公开(公告)号：CN209947792U

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201920901163.5

申请日：2019-06-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： H·诺巴卡施 ,  A·侯赛因 ,  R·若林

IPC: H01J37/32

Abstract: 本公开内容总体上涉及用于控制在基板边缘附近的等离子体鞘层的设备和方法。所述设备涉及处理腔室和/或基板支撑件，所述处理腔室和/或所述基板支撑件包括具有边缘环电极的边缘环组件和具有夹持电极的静电吸盘。所述边缘环组件定位为与所述静电吸盘相邻，诸如边缘环组件定位在所述静电吸盘的外部或周围。所述边缘环组件包括基部和定位在所述基部上方的帽，其中所述边缘环电极定位在所述帽与所述基部之间。所述边缘环电极的所述基部可以包括内凹槽和/或外凹槽，其中所述帽包括延伸到所述内凹槽和/或所述外凹槽中的一个或多个唇缘。一个或多个硅环和/或绝缘环定位为与所述边缘环组件相邻。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN210628242U

公开(公告)日：2020-05-26

申请号：CN201921485674.X

申请日：2019-06-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： H·诺巴卡施 ,  A·侯赛因 ,  R·若林

IPC: H01J37/32

Abstract: 本公开内容涉及处理腔室、等离子体筛设备以及基板支撑设备。本公开内容总体上涉及用于控制在基板边缘附近的等离子体鞘层的设备。设备涉及包括具有边缘环电极的边缘环组件和具有夹持电极的静电吸盘的处理腔室和/或基板支撑件。边缘环组件定位为与静电吸盘相邻，诸如边缘环组件定位在静电吸盘的外部或周围。边缘环组件包括基部和定位在基部上方的帽，其中边缘环电极定位在帽与基部之间。边缘环电极的基部可以包括内凹槽和/或外凹槽，其中帽包括延伸到内凹槽和/或外凹槽中的一个或多个唇缘。一个或多个硅环和/或绝缘环定位为与边缘环组件相邻。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利