公开(公告)号：CN113711331A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202080029818.X

申请日：2020-04-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 蔡泰正 ,  哈恩·阮 ,  菲利普·艾伦·克劳斯

IPC: H01J37/32 ,  H01Q1/02 ,  H01Q1/26 ,  H05H1/46

Abstract: 本文所公开的实施方式包括高频发射模块。在一个实施方式中，高频发射模块包含固态高频功率源、用于从功率源传播高频电磁辐射的施加器、及耦合于功率源及施加器之间的断热器。在一个实施方式中，断热器包含基板、在基板上的迹线及接地平面。

公开(公告)号：CN110622279A

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201880029380.8

申请日：2018-04-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 菲利普·艾伦·克劳斯 ,  蔡泰正 ,  曼尼·苏布拉马尼

IPC: H01J37/32

Abstract: 实施方式包括方法和设备，所述方法和设备包括等离子体处理工具，所述等离子体处理工具包括多个磁体。在一个实施方式中，等离子体处理工具可包括处理腔室和耦接至处理腔室的多个模块化微波源。在实施方式中，多个模块化微波源包括位于形成处理腔室的外壁的一部分的电介质上的施加器阵列，和微波放大模块阵列。在实施方式中，每一微波放大模块耦接至施加器阵列中的施加器之一或更多者。在实施方式中，等离子体处理工具可包括多个磁体。在实施方式中，磁体围绕施加器之一或更多者定位。

公开(公告)号：CN110176393A

公开(公告)日：2019-08-27

申请号：CN201910126663.0

申请日：2019-02-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 汉宏·陈 ,  凯尔文·陈 ,  菲利普·艾伦·克劳斯 ,  蔡泰正

IPC: H01L21/205

Abstract: 实施方式包括用于在沉积腔室中的基板上形成氮化硅膜的方法。在实施方式中，将基板顺序地暴露于一序列的处理气体，包括：卤化硅前驱物，所述卤化硅前驱物吸附到所述基板的表面上以形成吸附的卤化硅层；第一反应气体，所述第一反应气体包括N2以及Ar和He中的一种或两种；和第二反应气体，所述第二反应气体包括含氢气体以及Ar、He和N2中的一种或多种。在实施方式中，所述含氢气体包括H2(分子氢)、NH3(氨)、N2H2(二氮烯)、N2H4(肼)和HN3(叠氮化氢)中的至少一种。实施方式可以包括重复所述序列，直到获得期望厚度的所述氮化硅膜。