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公开(公告)号：CN110431660A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201880016713.3
申请日：2018-03-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 提供了用于用非晶硅(a-Si)膜对半导体器件特征(诸如高深宽比沟槽)进行间隙填充的方法，所述方法涉及预处理基板的表面以将下面的羟基封端的硅(Si-OH)或氢封端的硅(Si-H)表面改性为氧氮化物封端的硅(Si-ON)或氮化物封端的硅(Si-N)并增强后续的a-Si沉积。首先，提供基板，所述基板具有形成在所述基板的第一表面中的特征。然后，预处理所述基板的所述表面来增强所述基板的所述表面，以供进行随后的非晶硅的可流动沉积。然后，执行可流动沉积工艺以在所述基板的所述表面之上沉积可流动硅层。本文所述的方法一般通过共形硅沉积和可流动硅沉积工艺改进整体蚀刻选择性，以用高品质非晶硅膜来实现对特征之间的无缝间隙填充。
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