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公开(公告)号：CN116525642B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202310813051.5
申请日：2023-07-05
Applicant: 季华实验室 , 深圳市奥视微科技有限公司
IPC: H01L27/15
Abstract: 本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板、显示面板的制备方法以及显示装置。显示面板包括：像素阵列基板，像素阵列基板包括设置在衬底上的Micro‑LED器件、超导层和第一导电压缩部，Micro‑LED器件包括空穴传输层，超导层包括向上凸起的第一端和向下凸起的第二端，第一端与第一导电压缩部连接，第二端嵌入空穴传输层；驱动基板，驱动基板包括第二导电压缩部，驱动基板与像素阵列基板键合时，第二导电压缩部和第一导电压缩部对位压合。本公开的技术方案，有利于减小电子和空穴注入到Micro‑LED器件边缘的浓度，从而减小Micro‑LED器件的边缘发生非辐射复合，有利于提高Micro‑LED器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN117253901A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311520227.4
申请日：2023-11-15
Applicant: 季华实验室 , 深圳市奥视微科技有限公司
IPC: H01L27/15 , H01L25/075 , H01L33/50 , H01L33/60 , G09F9/33
Abstract: 本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种显示芯片以及显示芯片的制备方法。其中，显示芯片包括：驱动基板和键合在驱动基板上的显示模组，显示模组包括背光部和出光部，背光部包括发光二极管，发光二极管向出光部提供光源；出光部包括出光结构，出光结构与发光二极管一一对应设置，出光结构包括间隔设置的至少一个光作用层和多个光谱过滤层；发光二极管的阳极呈碗状，阳极作为发光二极管的反射层。本公开的技术方案，可有效提高光转换效率以及滤光效率，有利于减小光作用层的厚度和使用量，进而有利于降低芯片厚度。
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公开(公告)号：CN116722082A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310981170.1
申请日：2023-08-07
Applicant: 季华实验室 , 深圳市奥视微科技有限公司
Abstract: 本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板的制备方法、阵列基板以及显示面板。阵列基板的制备方法包括形成LED外延叠层结构；在LED外延叠层结构上依次形成阳极和第一硬掩膜层；在第一硬掩膜层上形成第一图形；在LED外延叠层结构形成第二图形；将第二衬底与第一硬掩膜层键合，去除第一衬底并在LED外延叠层结构背离第二衬底的一侧依次覆盖阴极和第二硬掩膜层；在第二硬掩膜层上形成第三图形；刻蚀阴极以及LED外延叠层结构至连通第二图形形成多个像素单元。本公开的技术方案，解决了由于采用光刻胶造成像素单元的电学接触受到影响，导致开启电压变大等电学问题，以及对像素单元的侧壁造成损伤，影响像素单元的发光效率的问题。
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公开(公告)号：CN116705924A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310977065.0
申请日：2023-08-04
Applicant: 季华实验室 , 深圳市奥视微科技有限公司
Abstract: 本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种发光单元转移方法及筛网，能够解决现有技术存在的发光效率受影响的技术问题。该发光单元转移方法包括：制备三种晶圆，三种晶圆上分别形成有三种颜色的发光单元，发光单元表面形成有凸起结构，不同颜色的发光单元上的凸起结构各不相同；利用激光剥离工艺，将发光单元从晶圆上剥离；将发光单元置于转移流体中；通过转移流体，将发光单元转移至筛网上，筛网上形成有三种网洞，分别与三种凸起结构相匹配，发光单元上的凸起结构嵌入相匹配的网洞中；将筛网上的发光单元与驱动芯片进行键合，并将凸起结构与发光单元脱离。
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公开(公告)号：CN116387339B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310617834.6
申请日：2023-05-30
Applicant: 季华实验室 , 深圳市奥视微科技有限公司
Abstract: 本公开涉及一种Micro LED混合出光结构及其制备方法，属于Micro LED显示技术领域，该Micro LED混合出光结构包括第一发光元件、第二发光元件、第三发光元件以及电光调制元件；电光调制元件设置于第二发光元件的出光面一侧；第一发光元件和第三发光元件均设置于电光调制元件背离第二发光元件的一侧；且第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件在出光面所在平面上的垂直投影相互错开。如此，实现了在第一发光元件或第三发光元件的混合出光，从而利于人眼对真实色彩的感知。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116525746A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310579931.0
申请日：2023-05-23
Applicant: 季华实验室 , 深圳市奥视微科技有限公司
IPC: H01L33/64
Abstract: 本公开涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种Micro‑LED芯片及晶片。包括第一衬底层，第一衬底层上依次外延生长有底部氮化镓层、多量子阱层和顶部氮化镓层；芯片上还设置有P电极和N电极，P电极用于连接电源正极，N电极用于连接电源负极第一衬底层上平行设置有多个第一凹槽，并且第一凹槽的表面覆设有导热层；还包括第二衬底层，第二衬底层朝向第一衬底层的一面平行设置有多个第二凹槽，第二凹槽上形成有微流道，微流道以用于降低芯片的热量。通过在第一衬底层上设置第一凹槽，可以增加第一衬底层的散热面积，并且通过设置第二衬底层和形成微流道，可以提高芯片机械强度，进一步地提高芯片的散热性能，最终能够低成本地解决Micro‑LED芯片的散热问题。
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公开(公告)号：CN116487508A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310737620.2
申请日：2023-06-21
Applicant: 季华实验室 , 深圳市奥视微科技有限公司
Abstract: 本公开涉及一种基于量子点的Micro LED结构及其制备方法，属于Micro LED显示技术领域，该结构包括阵列排布的像素，且每个像素包括：发光元件、第一光调制层以及阳极反射层；发光元件包括相对的第一表面和第二表面，以及衔接第一表面和第二表面的衔接面；发光元件的第一表面对应Micro LED结构的出光面；第一光调制层位于发光元件的至少部分第二表面和/或至少部分衔接面；第二颜色的光的波长大于第一颜色的光的波长；阳极反射层位于第一光调制层背离发光元件的一侧。如此，通过利用阳极反射层对第一光调制层发出的光进行反射，使发光元件的第二表面和/或衔接面的光能够进一步被反射至出光面，提高了Micro LED结构的光利用率并降低了整体能耗。
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公开(公告)号：CN116387339A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310617834.6
申请日：2023-05-30
Applicant: 季华实验室 , 深圳市奥视微科技有限公司
Abstract: 本公开涉及一种Micro LED混合出光结构及其制备方法，属于Micro LED显示技术领域，该Micro LED混合出光结构包括第一发光元件、第二发光元件、第三发光元件以及电光调制元件；电光调制元件设置于第二发光元件的出光面一侧；第一发光元件和第三发光元件均设置于电光调制元件背离第二发光元件的一侧；且第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件在出光面所在平面上的垂直投影相互错开。如此，实现了在第一发光元件或第三发光元件的混合出光，从而利于人眼对真实色彩的感知。
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公开(公告)号：CN115799196B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310069915.7
申请日：2023-02-07
Applicant: 季华实验室 , 深圳市奥视微科技有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/498 , H01L21/60 , H01L23/367 , H01L33/62 , H01L33/64
Abstract: 本公开涉及一种芯片封装结构、方法以及电子设备，涉及封装技术领域，芯片封装结构包括：芯片、印刷电路板以及散热基板；芯片与印刷电路板之间设置有焊球；芯片背离印刷电路板的一面边缘设置有电极结构；芯片的边缘还设置有通孔结构；通孔结构内填充导电材料；电极结构与通孔结构的导电材料电连接；散热基板位于芯片与印刷电路板之间；焊球包括第一焊球和第二焊球；通孔结构的导电材料通过第一焊球与散热基板电连接；散热基板通过第二焊球与印刷电路板电连接。本公开能够减小封装后的芯片体积，不需要焊线以及焊盘完成芯片与印刷电路板连接，同时封装更加牢固，且提高芯片工作时的散热能力，提高封装后芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN115820210A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211423032.3
申请日：2022-11-15
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本公开涉及磁力研磨技术领域，尤其涉及一种磁性复合磨粒、研磨液及研磨装置。磁性复合磨粒包括多层，磁性复合磨粒的内核为磁性纳米颗粒，磁性纳米颗粒作为内核，主要是为了提供磁性，以与电磁铁配合控制磁性复合磨粒的分布。磁性纳米颗粒的外层包裹有聚合物，聚合物的外层包裹有多孔杂化膜层，多孔杂化膜层上嵌设有第一磨粒，多孔杂化膜层的外层包裹有第二磨粒。其外层包裹的第二磨粒在低压研磨时会起到主要的研磨作用，在研磨过程中，若第二磨粒不能起到足够的研磨效果时，第一磨粒会在压强较大处由于较大压强而释放，以此来增加研磨速度，增大工件凸起处的材料去除率。
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