公开(公告)号：CN111190486B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN201911379932.0

申请日：2019-12-27

Applicant: 季华实验室

Inventor： 胡强 ,  胡琅 ,  徐平 ,  侯立涛 ,  冯杰 ,  方威 ,  侯少毅 ,  黄丽玲

IPC: G06F3/01 ,  G06T3/40 ,  G06F3/14

Abstract: 本发明提供了一种基于眼睛控制的分区显示方法及装置。其中方法包括步骤：A.通过识别用户瞳孔位置以对用户视线落在屏幕上的位置进行定位；B.以上述定位的位置为中心，按照预设的规则对屏幕划定高清区域；C.显示图像时，其它区域的图像分辨率低于所述高清区域的图像分辨率。装置包括定位模块、分区模块、输出模块。该方法及装置可实现在人眼关注的地方清晰显示，在人眼不关注的地方模糊显示，从而提高图像处理速度。

公开(公告)号：CN111118599B

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN201911379934.X

申请日：2019-12-27

Applicant: 季华实验室

Inventor： 胡强 ,  胡琅 ,  冯杰 ,  徐平 ,  侯立涛 ,  方威 ,  黄星星

IPC: C30B25/12 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明提供了一种用于碳化硅外延生长设备载盘的涂层制备方法，包括步骤：A.制备SiC凝胶溶胶；B.把SiC凝胶溶胶装入喷机中预热至150℃～250℃；C.将SiC凝胶溶胶喷射到石墨载盘所有表面并自然干燥24小时；D.将石墨载盘装入烧结炉中在1600℃～1800℃、压力550托～650托、氢气环境中烧结2小时，然后自然冷却到室温；E.将石墨载盘表面的SiC涂层进行整形、打磨；F.按预设次数重复执行步骤B～E。该方法制得的SiC涂层的抗热震能力强、使用寿命长，且制备成本低。

公开(公告)号：CN111778484A

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN202010513293.9

申请日：2020-06-08

Applicant: 季华实验室

Inventor： 卫红 ,  胡琅 ,  徐平 ,  侯立涛 ,  冯杰 ,  胡强 ,  侯少毅

IPC: C23C14/32

Abstract: 本申请实施例提供了一种变径磁过滤等离子体引出装置及真空离子束镀膜设备。该变径磁过滤等离子体引出装置，包括：一管体，所述管体包括第一端和第二端，所述管体在所述第一端与所述第二端之间的横截面的尺寸按照预设规律变化；一导电线，其沿着所述管体的外侧壁逐圈缠绕，以在所述管体的外壁上形成与所述管体外壁轮廓对应的导电螺线管。本申请实施例通过该管体的变化设置及导电线的提供的磁场，可以解决现有过滤阴极过滤管道及磁路设计困难，大颗粒杂质过滤效果差，沉积端离子束光斑不可变等问题，同时可以提高等离子体的利用效率，可以提高沉积形成的膜层的质量以及均匀性。

公开(公告)号：CN111182767A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201911426098.6

申请日：2019-12-31

Applicant: 季华实验室

Inventor： 黄星星 ,  徐平 ,  胡琅 ,  侯立涛 ,  吴猛 ,  冯杰 ,  胡强

IPC: H05K7/20

Abstract: 本发明公开了一种散热器，该散热器包括壳体、传动机构以及散热基板，壳体形成有进液口、出液口及连通进液口和出液口的冷却剂通道，传动机构设于壳体内，用于在动作时带动进液口的冷却剂沿冷却剂通道向出液口流动，散热基板供发热元件安装，散热基板贴靠安装于壳体位于进液口和出液口之间的外壁上。本发明的散热器改进了散热结构，提高了散热能力，满足了高热流密度元件散热要求，并实现了散热器低负载下的节能降耗。

公开(公告)号：CN111074342A

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201911379924.6

申请日：2019-12-27

Applicant: 季华实验室

Inventor： 胡强 ,  徐平 ,  胡琅 ,  侯立涛 ,  冯杰 ,  侯少毅 ,  黄星星

IPC: C30B25/12 ,  C30B29/36 ,  C23C16/32

Abstract: 本发明提供了一种利用碳化硅外延生长设备制备载盘涂层的方法，包括步骤：A.把石墨载盘放入碳化硅外延生长设备的外延生长室；B.把石墨载盘升温至第一预设温度，保持外延生长室压力为第一预设压力，以氢气为载气通入硅源和碳源，使之在石墨载盘上发生化合反应并沉积形成SiC涂层；第一预设温度为1550℃～1750℃，第一预设压力为150托～250托；C.保持通入氢气并关闭硅源和碳源，将温度降低至第二预设温度，该第二预设温度为600℃～800℃；D.重复预设次数的步骤B、C；E.将温度降至第二预设温度以下时关闭氢气，继续降温至室温；F.取出石墨载盘。该方法可降低涂层的制备成本并提高石墨载盘的使用寿命。

公开(公告)号：CN111020693A

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201911379922.7

申请日：2019-12-27

Applicant: 季华实验室

Inventor： 胡强 ,  徐平 ,  胡琅 ,  侯立涛 ,  冯杰 ,  何斌 ,  郭远军 ,  李晓峰 ,  黎天韵 ,  侯少毅

IPC: C30B25/14 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明提供了一种碳化硅外延生长设备的进气装置，包括进气装置主体，进气装置主体的前部设置有混合腔、后部设置有冷却腔；混合腔的前侧设置有进气管、后侧设置有多根出气管，出气管穿过所述冷却腔；还包括插接在进气装置主体前部并与冷却腔连通的冷却液入口管和冷却液出口管，以及多根穿设在进气装置主体上、下部的吹扫管；所述进气装置主体的后部穿过碳化硅外延生长设备的过渡区域。该进气装置可抑制反应气体的预反应。