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公开(公告)号：CN106587071A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611258337.8
申请日：2016-12-30
Applicant: 大连理工大学
IPC: C01B33/037
CPC classification number: C01B33/037
Abstract: 本发明公开了一种横向凝固叠加电场提高多晶硅提纯得率的设备，其特征在于，包括水冷柱，所述水冷柱的侧壁外侧设有石墨套筒，所述石墨套筒的侧壁外侧设有石墨坩埚，所述水冷柱、所述石墨套筒和所述石墨坩埚的轴线位于同一直线上，所述石墨坩埚的侧壁外侧设有环形发热体，所述环形发热体的侧壁外侧设有环形加热体，所述石墨坩埚的底部设有旋转托盘，所述水冷柱内设有循环流道，所述石墨套筒和所述石墨坩埚分别与电源正负极连接。本发明采用的是横向凝固叠加电场的方式，并且采用离心力和电场力来降低固液界面扩散层厚度，增加其分凝效果。
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公开(公告)号：CN106001584A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610594252.0
申请日：2016-07-26
Applicant: 大连理工大学
CPC classification number: B22F9/04 , C22C1/02 , C23C14/3414
Abstract: 本发明公开了一种铸造法安全生产硅锆均匀混合金粉末工艺，其特征在于具有如下步骤：S1、选用硅料和锆块体按照需要的比例混合，得到硅锆原料，并装入坩埚；S2、将装有硅锆原料的坩埚放置感应炉中熔炼，完全融化后倾倒入水冷模具中凝固，凝固后得到硅锆合金，所述感应炉的炉膛内为真空或流动氩气保护；S3、将硅锆合金磨成粉，并混合均匀，得到硅锆均匀混合金粉末。本发明采用硅料和锆块体进行熔炼凝固后磨粉，中间不在有锆粉，可以快速、安全、有效的进行硅锆合金混合，避免单纯锆粉混料过程中出现的爆炸自燃，本发明得到的硅锆均匀混合金粉末可以进一步降低后续热压反应的条件，降低成本。
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公开(公告)号：CN103849931B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410123650.5
申请日：2014-03-28
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明涉及一种底部补偿硼元素的多晶硅铸锭工艺，属于多晶硅生产领域。一种底部补偿硼元素的多晶硅铸锭工艺，所述工艺于铸锭炉中进行，包括原料装料步骤，所述原料装料步骤：在坩埚底部均匀铺设若干块状高硼硅料，铺设面积为坩埚底面积的1/5～1/3，厚度为3～10mm，其上放置普通硅料与硅硼合金原料，且将硅硼合金原料按照自坩埚底部向上含量依次减少的分布规律置于坩埚中。本发明提供的多晶硅铸锭工艺可以实现硼元素在铸锭内的均匀分布、特别是补偿铸锭底部的低硼元素含量区，硅锭的出成率可以提高5%；均匀的硼元素分布、低的位错密度使得硅锭的效率提高0.1～0.2%。
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公开(公告)号：CN103539126B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310533033.8
申请日：2013-10-30
Applicant: 大连理工大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 本发明涉及一种多晶硅逆向凝固方法，属于多晶硅生产领域。一种多晶硅快速凝固方法，包括备料、熔炼、凝固的步骤，所述凝固步骤按下述方法进行：将置于多晶硅逆向凝固装置中硅液进行定向凝固，当剩余的硅液体积为初始体积的1%～25%时，停止凝固；使温度为0～500℃的水冷铜板与剩余的硅液接触直至剩余的硅液凝固。本发明提供的多晶硅快速凝固方法，当水冷铜板进入硅液上表面后形成强大的过冷度，保证硅液迅速凝固并且产生较大应力，容易破碎，抑制杂质的反向扩散便于后期处理。
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公开(公告)号：CN104357799A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410631828.7
申请日：2014-11-11
Applicant: 大连理工大学
IPC: C23C14/30
Abstract: 本发明涉及一种双e型电子枪的蒸镀装置及利用该装置进行蒸镀方法，属于电子蒸镀领域。一种双e型电子枪的蒸镀装置，所述装置包括蒸镀室，蒸镀室内设有两个双e型电子枪，e型电子枪I用于加热基板，e型电子枪II用于轰击镀膜材料。该装置设备简单、操作简单，能够提高膜层与基体之间的粘合力；可以实现单一膜层与基体之间的高粘合力，而不必进行多层镀膜提高性能膜层与基体之间的粘合力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104178810A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410441314.5
申请日：2014-09-01
Applicant: 大连理工大学
IPC: C30B29/06 , C30B28/06 , C01B33/037
Abstract: 本发明涉及一种电子束熔炼装置及利用该装置制备硼母合金的方法，属于硼母合金制备领域。所述装置包括熔炼室，所述熔炼室内设有无底的水冷铜坩埚，所述水冷铜坩埚底部内部尺寸与位于其下方的定向凝固拉锭装置的水冷铜拉锭底座的尺寸相配合，使得水冷铜拉锭底座与无底的水冷铜坩埚形成一个完整的水冷铜坩埚；水冷铜拉锭底座底部固定拉锭杆，拉锭杆与电机相连；所述水冷铜坩埚的上方设有加料装置，所述加料装置的出料口设有用于控制加料口开启的阀门。利用本发明提供的装置和工艺可实现硼母合金的连续化生产，可保证生产室内持续高真空，避免了开关仓门时抽真空和放气需要的等待时间以及不必要的能源浪费，提高生产效率，降低能耗。
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公开(公告)号：CN104131342A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410339743.1
申请日：2014-07-17
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 电磁扰动多晶硅除杂装置及其方法，在炉体内下部设有石墨底座，在石墨底座上配有装入多晶硅料的坩锅，在炉体内位于坩锅周边设有与系统控制装置相接的加热体，在炉体内位于坩锅的外侧设有与系统控制装置相接的感应线圈。步骤如下：向坩锅内装入多晶硅料，关闭炉体的腔室，抽高真空，真空度小于0.1Pa；加温；硅料完全处于液态，进入长晶阶段；每一个小时测量一次固液界面高度，并控制固液界面的生长速度；当固液界面位置到达距硅液顶部3-8厘米的位置时，感应线圈通交变电流，产生磁感应力，使熔硅向中间聚集并形成凸起，通过调节交变电流弱化顶部高杂志区熔硅凝固的结合力，并最终形成凸性突起；冷却后出炉；去除凸性突起。提高了出成率，降低了成本。
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公开(公告)号：CN115124041A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210593958.0
申请日：2022-05-27
Applicant: 大连理工大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 本发明属于太阳能废弃组件回收利用领域，具体涉及一种利用太阳能电池废旧玻璃提纯多晶硅废料的方法。所述方法包括以下步骤：(1)获取晶硅废料备用；(2)获得玻璃碎渣；(3)将玻璃碎渣与辅料混匀得到精炼渣；(4)将晶硅废料和精炼渣按照一定质量比放入坩埚中，精炼渣与晶硅废料的质量比为1‑10:1；(5)将盛有晶硅废料和精炼渣的坩埚放入高温炉内，设置高温炉工作温度为1450℃‑1700℃，保温0.5‑5h，进行保温精炼1‑5次，随后分离硅渣两相。本发明的方法可以直接利用玻璃碎渣作为精炼渣主要成分，使用操作方便，大大提高非金属夹杂物的去除率，改善多晶硅品质，本发明方法硅纯度为2N‑6N，其中夹杂物低于1％。
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公开(公告)号：CN111961897B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202010963709.7
申请日：2020-09-14
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供一种真空感应熔炼‑浇铸‑电子束精炼工艺制备高纯镍基高温合金的方法。本发明方法，包括如下步骤：S1、原材料的预处理；S2、装炉；S3、真空感应熔炼；S4、电子束精炼，得到精炼后的合金。本发明采用真空感应熔炼方法制备高温合金母合金，再使用电子束精炼进一步提纯高温合金，降低偏析程度，充分利用感应熔炼和电子束精炼的优势提高高温合金铸锭的冶金质量，最终实现合金的高纯净制备。
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公开(公告)号：CN114044677A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111302037.6
申请日：2021-11-04
Applicant: 大连理工大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C23C14/34
Abstract: 本发明提供一种溅射靶材用硅硼母合金及其制备方法，硅硼母合金为采用高纯硅粉和高纯硼粉为原料，依次经高能球磨、造粒后采用粉末冶金压制成形技术和真空烧结制备的所得产物。本发明制备的硅硼母合金中具有含硼量高、颗粒分布均匀、杂质含量低、粉末活性高、易于掺杂等特点，并且，掺杂该种硅硼母合金制备的多晶硅靶材，较制备的硅靶材具有产品出成率高，电阻率分布均匀等特点。
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