-
公开(公告)号：CN102644098B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201210119052.1
申请日：2012-04-20
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明涉及一种无氰Au-Sn合金的电镀液，属于电镀领域。一种无氰Au-Sn合金电镀液，包含下述组分：非氰可溶性一价金盐，亚硫酸盐，有机多元酸，可溶性二价锡盐，焦磷酸盐，锡离子氧化抑制剂，磷酸氢二盐，钴盐。本发明镀液稳定、镀速快、操作简单、Au-Sn合金成分易于控制，适用于生产。
-
公开(公告)号：CN119611634A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411813060.5
申请日：2024-12-11
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供一种漂浮式光伏的组合式系泊系统，包括若干漂浮式光伏主体、若干漂浮筒、钢丝绳组件、系泊绳组件和若干锚固桩；其中，所述漂浮式光伏主体通过所述钢丝绳组件与所述漂浮筒连接；所述漂浮筒通过所述系泊绳组件与所述锚固桩连接。本发明在满足安全要求的情况下，从降低海上光伏系泊系统造价出发，把传统的钢丝绳、金属悬链和纤维绳系泊相结合，提出了一种新型的系泊系统，该系泊系统不仅安全可靠，可以明显降低光伏浮体的运动响应，而且相比传统的悬链式系泊成本更低。
-
公开(公告)号：CN115213514B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202210910966.3
申请日：2022-07-29
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供一种铜核金属间化合物焊点及制备方法，所述铜核金属间化合物焊点内部为铜或铜基合金核，其外部为覆于核表面的金属间化合物壳层，所述铜核金属间化合物焊点中金属间化合物壳层的厚度与铜或铜基合金核的直径的比值小于1/4。制备方法为在第一金属焊盘上植入铜核钎料球后，回流形成铜核钎料凸点，再将第二金属焊盘与铜核钎料凸点对准、接触，施以回流焊工艺，直至钎料完全转换为具有一定厚度的金属间化合物。本发明的制备工艺简单，成本低廉，导电性优良，强度高，与现有封装技术有着良好的兼容性，可实现低温连接高温服役这一技术难点，减少回流焊过程中的热应力，提高焊点的可靠性与服役性能。
-
公开(公告)号：CN115411006A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210952745.2
申请日：2022-08-09
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L23/488 , H01L21/60 , C23C14/34 , C23C18/00 , C25D7/00
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米晶铜基体的微焊点及其制备方法。包括第一基底和第二基底，位于第一基底上的第一纳米晶铜基体，位于第二基底上的第二纳米晶铜基体，以及位于第一纳米晶铜基体和第二纳米晶铜基体之间的连接介质，所述连接介质包括Sn钎料或Sn基合金钎料，钎料与纳米晶铜界面为金属间化合物(IMC)。制备出界面IMC呈层状、劣性Cu3Sn IMC极少、Cu6Sn5IMC取向随机且晶粒尺寸为亚微米级的微互连焊点。当钎料高度小于30μm时，可在10min内转变为全IMC焊点，实现低温互连高温服役。制备工艺简单，成本低廉，与现有封装技术有着良好的兼容性，解决传统微焊点中存在的IMC界面应力集中、IMC层织构特征强烈、柯肯达尔孔洞一系列问题，提高微焊点的可靠性与服役性能。
-
公开(公告)号：CN114597187A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210108676.7
申请日：2022-01-28
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供一种Cu‑Sn基金属间化合物焊点及其制备方法，涉及3D封装芯片堆叠互连制造和高功率器件封装制造。选用Cu‑xNi合金为第一金属基体，纯Cu或Cu‑xNi合金为第二金属基体，纯Sn或Sn基钎料作为中间钎料层，构成Cu‑xNi/钎料/Cu或Cu‑xNi/钎料/Cu‑xNi结构组合体，随后将上述组合体在一定温度条件下进行钎焊回流反应，使钎料全部反应完并转化为以(Cu,Ni)6Sn5为主体的金属间化合物焊点，(Cu,Ni)6Sn5晶粒细小，晶粒取向杂乱、随机，且热稳定性良好。本发明具有成本低廉、工艺流程简单、与现有技术设备兼容性好，显著缩短键合时间等优点。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113798722A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111161549.5
申请日：2021-09-30
Applicant: 大连理工大学
IPC: B23K35/26 , B23K35/363
Abstract: 本发明提供一种复合焊膏及应用其制备组织为细晶β‑Sn晶粒的BGA焊锡球/焊点的方法。其中，复合焊膏是由Sn‑xAg‑yCu粉末、添加剂和助焊剂/膏按照一定质量比例混合均匀制得。应用该复合焊膏制备焊锡球/焊点的方法是将具有一定尺寸网孔且厚度一定的丝网放置在与Sn基焊料不润湿的基板或者焊盘上使两者紧密贴合，而后将复合焊膏均匀涂覆至丝网网孔内部，通过回流工艺将焊膏熔化并凝固成型，丙酮清洗脱落，过滤烘干后得到尺寸一定且β‑Sn晶粒细化的BGA焊锡球/焊点。本发明在低成本，低能耗的条件下制备出尺寸可控且β‑Sn晶粒为细晶的BGA焊锡球及焊点，具有制备便捷，有效提高焊点或器件服役寿命等优点。
-
公开(公告)号：CN112338306B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202011192808.6
申请日：2020-10-30
Applicant: 大连理工大学
IPC: B23K1/00 , B23K3/08 , B23K101/40
Abstract: 本发明提供一种多次回流过程中调控微焊点Sn晶粒取向的方法，其特征在于：采用预设的回流工艺将由第一基底与第二基底之间具有钎料微凸点的第一金属焊盘和第二金属焊盘形成的组合体结构进行两次或两次以上钎焊回流，每次钎焊回流后钎料全部凝固形成微焊点，使得微焊点中的Sn晶粒具有择优取向或织构特征。本发明通过在钎焊第二次回流时改变相应的工艺参数，实现微焊点钎料基体Sn晶粒取向调控，形成择优取向微焊点实现第一基底和第二基底之间的互连，制作过程方便，与半导体和封装技术中的多次钎焊回流工艺有良好的兼容性，所形成的择优取向微焊点具有良好的抗电迁移和热迁移可靠性，提高微焊点或者具有以上材料组织及结构特征器件的服役寿命。
-
公开(公告)号：CN112338306A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011192808.6
申请日：2020-10-30
Applicant: 大连理工大学
IPC: B23K1/00 , B23K3/08 , B23K101/40
Abstract: 本发明提供一种多次回流过程中调控微焊点Sn晶粒取向的方法，其特征在于：采用预设的回流工艺将由第一基底与第二基底之间具有钎料微凸点的第一金属焊盘和第二金属焊盘形成的组合体结构进行两次或两次以上钎焊回流，每次钎焊回流后钎料全部凝固形成微焊点，使得微焊点中的Sn晶粒具有择优取向或织构特征。本发明通过在钎焊第二次回流时改变相应的工艺参数，实现微焊点钎料基体Sn晶粒取向调控，形成择优取向微焊点实现第一基底和第二基底之间的互连，制作过程方便，与半导体和封装技术中的多次钎焊回流工艺有良好的兼容性，所形成的择优取向微焊点具有良好的抗电迁移和热迁移可靠性，提高微焊点或者具有以上材料组织及结构特征器件的服役寿命。
-
公开(公告)号：CN105671473B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201610157120.1
申请日：2016-03-17
Applicant: 大连理工大学
IPC: C23C4/123 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种填充垂直通孔的方法及装置，包括金属液喷射装置和填充工作区，其特征在于：坩埚是以中心线为轴的圆筒形结构，坩埚通过连接有三维运动控制器的坩埚支架与腔体上部相连，腔体中部两侧还设有维持腔体温度的腔体温度控制器；填充工作区包括用于承接金属液喷射装置喷射出的均匀液滴或稳流液线的衬底和用于放置衬底的衬底承载部。本发明还公开了应用上述装置填充垂直通孔的方法。本发明通过金属液喷射装置和填充工作区的工作平台的协同配合，可形成均一液滴且频率可控，也可以形成稳流液线，实现垂直通孔的金属化填充，尺寸精度高、气孔率低、填充效率高、成本低、工艺简单、可自动化生产。
-
公开(公告)号：CN104690383B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201510069883.6
申请日：2015-02-09
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种全金属间化合物互连焊点的制备方法及结构，第一衬底上制备单晶或择优取向第一金属焊盘和钎料凸点，第二衬底上制备第二金属焊盘和可焊层，将钎料凸点和第二金属焊盘一一对准、接触放置，形成一个组合体，对该组合体在所需温度下进行钎焊回流，同时施加电流密度I/S的直流电流，并使电流方向由第一金属焊盘指向第二金属焊盘，直至钎料凸点熔化后发生钎焊反应全部转变为金属间化合物，形成单一取向金属间化合物互连焊点。本发明的方法不仅加速了金属间化合物的形成速率，显著提高制作效率，而且形成的金属间化合物为单一取向，提高了焊点的力学性能和服役可靠性，与半导体和封装技术工艺有良好的兼容性，实现了低温互连高温服役。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
60
records
(took 0.028 seconds)
