公开(公告)号：CN113498563A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN202080013433.4

申请日：2020-02-12

Applicant: 国立大学法人东京大学 ,  岩谷产业株式会社

Inventor： 大越慎一 ,  吉清真理惠 ,  生井飞鸟 ,  浅沼雅行 ,  涉谷享洋 ,  山崎堇 ,  上田直将

IPC: H01P5/08 ,  H01F1/34 ,  H05K9/00 ,  H05K1/02 ,  H01F27/36

Abstract: 本发明提供一种与以往相比能够降低电路板内噪音的、电路板、天线元件、基板内置用毫米波吸收体以及电路板的降噪方法。在电路板(2)中，基板(2a)上设有层叠有多个电介质层(2e)的层叠基板(2b)，在层叠基板(2b)的内部设有在30～300GHz频段内具有电磁波吸收量的最大峰值的屏蔽通孔(V1～V12)。这样，电路板(2)的内部所产生的无用电磁波不仅可以单纯由屏蔽通孔(V1～V12)反射和降低，而且还可以通过屏蔽通孔(V1～V12)进行吸收，因此能够相应地降低电路板(2)内的噪音。

公开(公告)号：CN108475513B

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201680070163.4

申请日：2016-11-30

Applicant: 国立大学法人东京大学 ,  同和电子科技有限公司

Inventor： 大越慎一 ,  井元健太 ,  阿南静佳 ,  生井飞鸟 ,  正田宪司

IPC: G11B5/706 ,  C01G49/00 ,  C01G55/00 ,  G11B5/02 ,  G11B5/852 ,  H01F1/11

Abstract: 提供能够适用于MAMR、MIMR、F‑MIMR的包含以Rh置换型ε氧化铁或Ru置换型ε氧化铁为代表的铂族置换型ε氧化铁颗粒的取向体及其相关技术。提供一种取向体及其相关技术，所述取向体包含用铂族元素的至少一种置换ε氧化铁的一部分而成的铂族置换型ε氧化铁颗粒作为磁性颗粒，由取向度＝SQ(易磁化轴方向)/SQ(难磁化轴方向)定义的磁性颗粒的取向度的值超过5.0，矫顽力超过31kOe。

公开(公告)号：CN107635924A

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201680030678.1

申请日：2016-06-13

Applicant: 国立大学法人东京大学 ,  同和电子科技有限公司

Inventor： 大越慎一 ,  冈俊介 ,  生井飞鸟 ,  正田宪司

IPC: C01G49/00 ,  H01F1/11

Abstract: 本发明提供ε氧化铁及其制造方法，所述ε氧化铁是铁元素的一部分被置换元素置换而成的ε氧化铁，其具有10～18nm的平均粒径、矫顽力为14kOe以下并且该粒径的变异系数为40％以下。本发明提供ε氧化铁的制造方法，其特征在于，具有如下工序：使羟基氧化铁粘附作为置换元素的金属，得到粘附有前述金属的羟基氧化铁的工序；用硅氧化物涂覆粘附有前述金属的羟基氧化铁，得到涂覆有前述硅氧化物的羟基氧化铁的工序；和、在氧化性气氛下对涂覆有前述硅氧化物的羟基氧化铁进行热处理的工序，从而制造铁元素的一部分被前述置换元素置换而成的ε氧化铁。

公开(公告)号：CN106463224A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580031492.3

申请日：2015-06-18

Applicant: 国立大学法人东京大学 ,  同和电子科技有限公司

Inventor： 大越慎一 ,  吉清麻里绘 ,  生井飞鸟 ,  所裕子 ,  太郎良和香 ,  奈须義总 ,  吉田贵行 ,  田中学

IPC: H01F1/11 ,  C01G49/06 ,  G11B5/706 ,  G11B5/714 ,  G11B5/84

CPC classification number: C01G49/06 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2002/90 ,  C01P2006/42 ,  G11B5/706 ,  G11B5/714 ,  G11B5/84 ,  H01F1/11

Abstract: 提供具备磁极化、自发电极化、近似极性半金属的物性的作为新型氧化铁纳米磁粉的σ型氧化铁纳米磁粉及其制造方法。提供组成为Fe2O3、晶体结构属于单斜晶系的磁粉。

公开(公告)号：CN103956246B

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201410163400.4

申请日：2007-08-30

Applicant: 国立大学法人东京大学 ,  同和电子科技有限公司

Inventor： 大越慎一 ,  黑木施老 ,  樱井俊介 ,  生井飞鸟 ,  佐藤王高 ,  佐佐木信也

IPC: H01F1/34 ,  H01F1/00 ,  H05K9/00

CPC classification number: H05K9/0075 ,  B82Y30/00 ,  C01G49/0018 ,  C01G49/0045 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/42 ,  C04B35/26 ,  C04B35/62807 ,  C04B35/62813 ,  C04B35/62823 ,  C04B35/62886 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3274 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/5454 ,  H01F1/344

Abstract: 本发明涉及电波吸收材料用磁性晶体和电波吸收体。该电波吸收材料用磁性晶体，其空间群与ε‑Fe2O3晶体相同、具有用M置换了ε‑Fe2O3晶体中一部分Fe晶格格位的ε‑MxFe2‑xO3的结构，其中0＜x＜1。这里，M由具有通过所述置换降低ε‑Fe2O3晶体矫顽力Hc作用的3价元素构成。作为具体的M元素可以举出Al和Ga。具备粒子的填充结构、其中所述粒子在磁性相中具有添加了这些置换元素M的“M置换ε‑Fe2O3晶体”的电波吸收体可以由M元素的置换量控制电波吸收峰的频率，例如，得到适应于车载雷达中所利用的76GHz频带的电波吸收体。

公开(公告)号：CN102548903A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201080043063.5

申请日：2010-09-30

Applicant: 国立大学法人东京大学 ,  同和电子科技有限公司

Inventor： 大越慎一 ,  樱井俊介 ,  生井飞鸟 ,  梅田小矢佳 ,  蜂谷广志 ,  松本和幸 ,  后藤崇

IPC: C01G49/06 ,  H01F1/11

CPC classification number: H01F1/047 ,  C01G49/0018 ,  C01G49/06 ,  C01P2002/50 ,  C01P2002/52 ,  C01P2006/42 ,  C04B35/26 ,  C04B35/62826 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3289 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/761 ,  H01F1/10

Abstract: 本发明提供一种ε-型氧化铁颗粒的矫顽力提高方法和ε-型氧化铁。提供用其它元素置换该ε-型氧化铁的Fe位且该ε-型氧化铁中的D位的Fe未被其它元素置换的ε-型氧化铁的矫顽力提高方法和该ε-型氧化铁。