硅漂移探测器的封装结构
    34.
    实用新型

    公开(公告)号:CN218447924U

    公开(公告)日:2023-02-03

    申请号:CN202222606708.4

    申请日:2022-09-30

    Abstract: 本实用新型公开一种硅漂移探测器的封装结构,在壳体的容置腔内准直器与硅漂移探测元件连接;放大器与硅漂移探测元件电连接,用于放大硅漂移探测元件的输出信号;陶瓷基座与硅漂移探测元件连接,设置于硅漂移探测元件远离准直器的一侧;其中,陶瓷基座的表面设置有至少两个凹槽,凹槽内嵌合有绝压传感器和/或温度传感器,绝压传感器和温度传感器用于向外界输出压力信号和温度信号;制冷器设置于陶瓷基座远离硅漂移探测元件的一端,用于对壳体内部进行温度保持;合理设计绝压传感器和温度传感器的安装位置,在不增加整体设计体积,并保证内部构造不发生结构干涉的情况下,提供具有自检漏以及温度控制功能的硅漂移探测器。

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