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公开(公告)号：CN112965181A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110197891.4
申请日：2021-02-22
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明涉及光子集成电路，特别涉及一种大规模集成光子器件阵列控制电路及方法。其中阵列控制电路由多个行、多个列相互连接构成可控光子器件的阵列式控制电路，各行、列的一端均设有作为阵列电路控制输入端的控制线，每根控制线连接一个独立的控制单元；大规模集成光子器件阵列控制电路包括脉冲阵列产生电路与节点驱动电路，每个行与每个列的交点构成了脉冲阵列产生电路的脉冲输出节点，每个脉冲输出节点上对应连接一个节点驱动电路。本电路可以实现对大规模集成光子器件阵列的同时控制，并且具有高度的可拓展性，可以显著降低控制电路的成本；并且通过整列扫描和选取合适的RC常数提升扫描速度。
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公开(公告)号：CN115373163B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202211006958.2
申请日：2022-08-22
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明提供了一种片上多物理场调控装置，包括信号发生器、光源及异质集成光调制器，信号发生器及光源分别与异质集成光调制器连接，信号发生器输出调制电信号至异质集成光调制器，光源输出光载波至异质集成光调制器，异质集成光调制器包括电极层、光波导层及电光材料层，电光材料层覆盖在光波导层的表面，电极层设于电光材料层的表面，光波导层内设有用于限制光载波的基于微纳结构的空隙结构，电光材料层的折射率低于光波导层的折射率。该调控装置在工艺上兼容现有的微纳加工工艺，可以融合多介质材料的优势，结构上基于微纳结构的空隙结构，可以增强光载波、调制电信号与电光材料之间的相互作用，提高了电光调制器的调制效率和带宽性能。
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公开(公告)号：CN111679529B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202010736857.5
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC: G02F1/29
Abstract: 本发明提供了一种可用于光学相控阵发射单元的长距离亚波长光栅结构，包括上下层叠设置的上层结构和下层结构，其中，下层结构为折射率相对上层较低的材料，例如各种氧化物等，上层结构为折射率相对下层较高的材料例如硅，氮化硅，氮化铝，氧化铝等的亚波长光栅结构，所述上层结构的中间部分为直波导，在所述直波导的两侧布置有亚波长方块，所述亚波长方块沿波导方向排列形成光栅。本发明的有益效果是：利用亚波长光栅波导来减小光栅对传输光的扰动强度，增加光栅的有效长度，从而增大光栅的有效长度减小光束的远场发散角，通过控制亚波长方块的位置，也可以控制近场的均匀发射，结构较简单，制作难度较低，成本较低。
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公开(公告)号：CN112067383B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202010812995.7
申请日：2020-08-13
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC: G01N1/28
Abstract: 本发明公开了多孔介质材料内液体流动控制方法与芯片，多孔介质材料内液体流动控制方法，包括以下步骤：打印具有流道与阀门的多孔介质基材，流道通过阀门进行分隔；将待检测的液体与用于调节液体的表面张力的调节剂混合，调节剂在设定时间内扩散至阀门并达到设定浓度后，改变液体在阀门中的通过状态。本发明利用调节剂调节液体的表面张力，同时基于调节剂的扩散实现液体延迟通过阀门或者被阀门延迟阻隔，操作方便，无需额外的控制装置，成本低廉。
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公开(公告)号：CN116230121A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211553503.2
申请日：2022-12-06
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC: G16C60/00 , G06F30/20 , G01D21/02 , G06F111/10
Abstract: 本发明涉及一种用于增强CAP信号的超晶格的材料检测方法，其包括如下步骤：S1、建立数学模型，所述数学模型如公式(1)所示；本发明公开了一种软件模拟的方法，其以数学模型的角度出发，详细分析了可以影响CAP信号的光‑声换能器材料的性质，即线性热膨胀系数、体积模量、比热、密度、声速、和折射率均会影响材料中的应变强度。同时分析了不同参数与CAP信号大小的相关性，指出了不同参数对于CAP信号强度的评判标准。指出即使材料中热膨胀系数不是很高时，也可以通过提升其他性质来增强CAP信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115373163A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202211006958.2
申请日：2022-08-22
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明提供了一种片上多物理场调控装置，包括信号发生器、光源及异质集成光调制器，信号发生器及光源分别与异质集成光调制器连接，信号发生器输出调制电信号至异质集成光调制器，光源输出光载波至异质集成光调制器，异质集成光调制器包括电极层、光波导层及电光材料层，电光材料层覆盖在光波导层的表面，电极层设于电光材料层的表面，光波导层内设有用于限制光载波的基于微纳结构的空隙结构，电光材料层的折射率低于光波导层的折射率。该调控装置在工艺上兼容现有的微纳加工工艺，可以融合多介质材料的优势，结构上基于微纳结构的空隙结构，可以增强光载波、调制电信号与电光材料之间的相互作用，提高了电光调制器的调制效率和带宽性能。
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公开(公告)号：CN112965181B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202110197891.4
申请日：2021-02-22
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明涉及光子集成电路，特别涉及一种大规模集成光子器件阵列控制电路及方法。其中阵列控制电路由多个行、多个列相互连接构成可控光子器件的阵列式控制电路，各行、列的一端均设有作为阵列电路控制输入端的控制线，每根控制线连接一个独立的控制单元；大规模集成光子器件阵列控制电路包括脉冲阵列产生电路与节点驱动电路，每个行与每个列的交点构成了脉冲阵列产生电路的脉冲输出节点，每个脉冲输出节点上对应连接一个节点驱动电路。本电路可以实现对大规模集成光子器件阵列的同时控制，并且具有高度的可拓展性，可以显著降低控制电路的成本；并且通过整列扫描和选取合适的RC常数提升扫描速度。
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公开(公告)号：CN114153029A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111568402.8
申请日：2021-12-21
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC: G02B6/124
Abstract: 本发明公开了一种基于连续域束缚态的光栅结构，包括基底和安装在基底上的光栅层，所述光栅层包括一个条形波导以及在条形波导两侧对称设置的子光栅，所述子光栅激发辐射模式，通过调整条形波导的宽度在侧向辐射模式之间形成相消干涉，用于建立连续域束缚态。本发明通过设计光栅结构并调整条形波导的宽度，在子光栅之间建立衍射受限的连续域束缚态，抑制光的侧向发射，从而抑制光栅之间的串扰，进而可以减小光学相控阵的阵列间距，增大相位调谐的光束扫描范围。
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公开(公告)号：CN113790804A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202111042288.5
申请日：2021-09-07
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明涉及安全驾驶技术领域，特别涉及一种基于中红外探测器的疲劳驾驶监测提醒装置及方法。其中中红外探测器包括柔性透明的沟道、基底、漏电极、源电极，沟道连接在基底上，漏电极、源电极分别连接在沟道上的两端，中红外探测器以受光源照射点为中心，为镜像非对称结构，漏电极、源电极为异质电极，沟道为同质结结构；或所述漏电极、源电极为同质电极，沟道为p‑n结或异质结结构。并基于中红外探测器衍生了监测提醒装置和方法。本发明无需外部光源照射辅助、甚至无需焦平面成像阵列，使用中红外传感技术降低了监测系统的体积、成本与功耗；同时排除了环境可见光带来的影响，提高了装置识别的精准度。
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公开(公告)号：CN111679529A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010736857.5
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC: G02F1/29
Abstract: 本发明提供了一种可用于光学相控阵发射单元的长距离亚波长光栅结构，包括上下层叠设置的上层结构和下层结构，其中，下层结构为折射率相对上层较低的材料，例如各种氧化物等，上层结构为折射率相对下层较高的材料例如硅，氮化硅，氮化铝，氧化铝等的亚波长光栅结构，所述上层结构的中间部分为直波导，在所述直波导的两侧布置有亚波长方块，所述亚波长方块沿波导方向排列形成光栅。本发明的有益效果是：利用亚波长光栅波导来减小光栅对传输光的扰动强度，增加光栅的有效长度，从而增大光栅的有效长度减小光束的远场发散角，通过控制亚波长方块的位置，也可以控制近场的均匀发射，结构较简单，制作难度较低，成本较低。
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