含硅的耐原子氧聚酰亚胺薄膜组合物及其制备方法

    公开(公告)号:CN109651812B

    公开(公告)日:2021-06-22

    申请号:CN201811535130.X

    申请日:2018-12-14

    Abstract: 本发明提供了一种含硅的耐原子氧聚酰亚胺薄膜材料及其制备方法,所述薄膜材料包括依次设置的基底薄膜层、过渡层和表面防护层;所述基底薄膜层包括改性聚酰亚胺基体和纳米SiO2填料;所述过渡层为Si‑O‑Si与聚酰亚胺互穿网络结构;所述表面防护层为纯二氧化硅层。本发明制得的耐原子氧聚酰亚胺薄膜为淡黄色、厚度50‑80μm、拉伸强度≥200MPa、绝缘强度≥230V/μm、满足原子氧总累积量7.83×1022atom/cm2(近地轨道运行10年)作用后质量损失率≤10%,光学性能变化≤10%的指标要求,涂层经过‑100~+100℃100次高低温热循环试验后,无明显裂纹、光学性能稳定、力学性能良好。

    一种星用低吸收比颜料颗粒及其制备方法

    公开(公告)号:CN110835474B

    公开(公告)日:2021-06-08

    申请号:CN201911158351.4

    申请日:2019-11-22

    Abstract: 本发明提供了一种星用低吸收比颜料颗粒及其制备方法,所述颜料颗粒包括依次设置的颗粒基体、过渡层和表面功能层;所述的颗粒基体为改性ZnO颗粒;所述过渡层为Zn2SiO4核壳结构;所述表面功能层为纳米二氧化硅层。本发明制得的低吸收比颜料为纯白色、粒径分布范围约为0.9‑1.8μm、太阳吸收比≤0.08,满足质子辐照能量90keV剂量5×1015cm‑2作用后太阳吸收比变化量≤0.1,满足电子辐照能量90keV剂量1×1016cm‑2作用后太阳吸收比变化量≤0.09。

    一种航天器用金属件表面的热控处理方法

    公开(公告)号:CN106498358B

    公开(公告)日:2019-01-18

    申请号:CN201611042888.0

    申请日:2016-11-24

    Abstract: 本发明涉及一种新型航天器用金属件表面的热控处理方法。结合航天器用金属件表面的热控、防冷焊、机械强度等一体化的特殊要求,将离子注入与沉积技术应用于航天器用金属件表面的热控处理中,获得了离子注入与沉积技术应用于航天器用金属件表面热控处理的工艺方法及参数。该方法制备出的涂层光滑、致密,不仅能够同时满足热控、防冷焊及机械强度等性能要求,而且处理工艺简单,自动化程度高,工艺可控性好,重复性高,又因为没有废液所以健康、环保。

    真空紫外辐照强度控制装置及控制方法

    公开(公告)号:CN103676971A

    公开(公告)日:2014-03-26

    申请号:CN201310647605.5

    申请日:2013-12-03

    Abstract: 本发明提供了一种真空紫外辐照试验辐照强度控制装置,包括:真空设备、真空紫外强度探测器、探测器电源、探测器移动机构、探测器伺服电机、探测器伺服电机电源、电荷放大器、数据采集卡、紫外辐照试样板、试样板移动机构、试样板移动导轨、试样板伺服电机、试样板伺服电机电源、控制器和计算机。本发明还提供了一种用于真空紫外辐照试验的辐照强度控制方法,利用真空紫外强度探测器得到光源的总辐射量,采用闭环控制原理,通过伺服电机调节真空紫外光源与辐照样品之间的距离,保证试样受到的真空紫外辐照强度恒定。本发明具有结构简单、通用性高、应用方便、精度高、响应快的优点,可以有效地降低航天器产品真空紫外辐照试验成本,提高试验精度。

    基于三冗余反馈的高可靠性21T抗辐照SRAM单元电路及设备

    公开(公告)号:CN119763628A

    公开(公告)日:2025-04-04

    申请号:CN202411662816.0

    申请日:2024-11-20

    Abstract: 本发明提供了一种基于三冗余反馈的高可靠性21T抗辐照SRAM单元电路及设备,SRAM单元包含十二个NMOS晶体管N1~N12和九个PMOS晶体管P1~P9;N7‑N12的栅极连接字线WL,均由WL控制;P4~P9作为上拉晶体管,N1‑N6作为下拉晶体管,P1~P3作为锁存控制管,其连接方式相互锁存并构建反馈回路;六个存储节点S0~S5与通过传输管N7~N12分别于位线BL和BLB连接。本发明的抗辐照SRAM单元在写入的过程中,通过三对传输管同时传输数据,提高写稳定性并降低写延迟,同时构建相互反馈的冗余节点对,具有完全抗单节点翻转与双节点翻转的能力,并对部分三节点翻转具有容错能力。

    一种抗中子、质子、电子辐射的相变储热一体化结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN119637116A

    公开(公告)日:2025-03-18

    申请号:CN202411861726.4

    申请日:2024-12-17

    Abstract: 本发明提供一种抗中子、电子、质子辐射的相变储能一体化结构及其制备方法。本发明针对航天器内部敏感单机抗辐射要求及热控要求,提出了一种抗粒子辐射的相变储能一体化结构及其制备方法,包括点阵增强空腔结构、多功能相变工质。所述点阵增强空腔结构为点阵增强的密封连通结构,兼具导热和承载功能。所述多功能相变工质为相变基体材料掺杂辐射防护纳米粒子,填充于点阵增强空腔结构的空腔中,实现粒子防护和相变储能的功能。本发明结构简单合理,附加重量小,可实施性强,可灵活应用于航天器内部敏感单机中子、电子、质子辐射防护及热控,提升航天器在轨运行可靠性和寿命。

    面向卫星敏感单机的抗强电磁脉冲防护结构及制备方法

    公开(公告)号:CN118843303A

    公开(公告)日:2024-10-25

    申请号:CN202410999002.X

    申请日:2024-07-24

    Abstract: 本发明提供了一种面向卫星敏感单机的抗强电磁脉冲防护结构及制备方法,包括吸波超构材料层和相变储热板,吸波超构材料层包括网格状三维吸波超构材料结构,吸波超构材料层以相变储热板的一侧表面为金属基底,相变储热板包括点阵夹层结构板,点阵夹层结构板内部为密封连通结构,其内部空腔充装相变工质。本发明通过吸波超构材料层吸收强电磁脉冲,发生热转换,热量由相变储热板传导吸收,避免局部过热;简单合理,附加重量小,可实施性强,可以灵活应用于卫星敏感单机防护结构,减少强电磁脉冲对敏感单机的损伤和破坏,同时兼具承载和储热功能,满足航天器轻量化要求,显著提高了航天器在轨运行的可靠性和安全性。

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