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公开(公告)号：CN116062832B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202310029928.1
申请日：2023-01-09
Applicant: 厦门大学
IPC: C02F1/30
Abstract: 一种可拼接多场景可循环利用的污水净化装置，涉及水处理技术领域。包括：用于进行光催化的催化板，用于流通污水并固定光催化板的降解槽，以及用于透光的降解窗。所述催化板是在硅基片上刻蚀的硅纳米线和包覆在硅纳米线表面的二氧化钛组成的半导体异质纳米材料；所述降解槽的内侧设有固定催化窗的卡扣纹路，底部设有导流孔，外部四周设有拼接口；所述降解窗覆盖在降解槽之上，采用石英玻璃组成，并在窗内设有导流孔。本发明催化板为自主设计的纳米线异质结构，使用刻蚀和原子层沉积技术构建的半导体异质结纳米线阵列能够快速消除有机污染物，并且采用可拼接设计，大幅地拓展了设备使用的场景，能够在不同的场合设计相对应的净水装置。
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公开(公告)号：CN108428763B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201810348654.1
申请日：2018-04-18
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种应力调控紫外多波长MSM光电探测器及其制备方法，利用外延于同一衬底上的两组完全应变超短周期超晶格结构完成紫外双波长的窄线宽探测，不仅极大地简化了双波段探测器件材料结构、生长过程及制备工艺，而且通过精确选择、高度集成，为多波长集成的彩色成像提供基础。本发明通过调控单周期超晶格的阱分子、垒分子层数，使二者达到共格界面附近力平衡状态并处于完全应变；设计生长两组完全应变的超短周期超晶格，可实现针对紫外光信号的双波长探测。本发明通过在外延衬底同一晶向生长不同阱垒比的多组超短周期超晶格，使多个带隙处于预设波长范围，可获得窄线宽的更多波长紫外探测，从而为集成多波长的彩色成像探测提供前提。
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公开(公告)号：CN117568766A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311544856.0
申请日：2023-11-20
Abstract: 一种层数可调的贵金属纳米帽阵列的制备方法，涉及一种周期性纳米阵列结构材料的制备。首先在玻璃、硅等基片表面制备一层六方密排的聚苯乙烯(PS)纳米球的二维胶体阵列，随后将预定厚度的金、银、铂等贵金属薄膜沉积在PS纳米球阵列上，再根据所需层数重复排列PS纳米球阵列与沉积金属薄膜的步骤，从而得到单层及多层贵金属/PS纳米球复合阵列结构，最后通过退火工艺将PS纳米球去除，得到六方密排的单层及多层贵金属纳米帽阵列。该方法可通过调控PS球的直径与金属薄膜的厚度去改变纳米帽的大小和壳厚，从而调节整体阵列的等离子体特性，可广泛应用于传感、催化等领域。
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公开(公告)号：CN112117356A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010813127.0
申请日：2020-08-13
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及一种全彩有源寻址Micro‑LED芯片结构及其制作方法，包括具有驱动电路阵列的支撑衬底、位于支撑衬底上的堆叠层，以及贯穿堆叠层与驱动电路阵列连接的互联电极，其中堆叠层从下至上包括有衬底金属键合层、多色发光外延层上下表面覆盖有透明导电层的多层夹心结构、介质填充层、滤光层、钝化层，互联电极包括连接第一外延层的p型面与驱动像素的阵列电极、连接第二外延层p型面与驱动像素的贯穿阵列电极、连接第三外延层p型面与驱动像素的贯穿阵列电极、贯穿堆叠层分别与多色发光外延层n型面连接的共用电极。本发明技术方案可制造出高分辨率且高效的全彩驱动融合Micro‑LED芯片。
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公开(公告)号：CN108470793A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810162471.0
申请日：2018-02-26
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/105
Abstract: 本发明提供了一种紫外-红外双波段集成p-i-n型光电探测器，包括由下至上层叠设置的衬底、缓冲层、n型超短周期超晶格、非掺杂i型超短周期超晶格、p型超短周期超晶格；n型超短周期超晶格在非掺杂i型超短周期超晶格的侧面具有一外露区域；外露区域的上表面设置n型欧姆接触电极，p型超短周期超晶格的上表面设置p型欧姆接触电极；非掺杂i型超短周期超晶格既能满足载流子在价带与导带量子能级间的光吸收跃迁，也能通过先紫外光照射再协同红外光入射的方式使得价带内载流子吸收光子并进行带内量子能级间的跃迁，实现针对紫外和红外双波段的光信号探测识别；红外波段的光信号通过改变p型超短周期超晶格的掺杂浓度实现响应探测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105480942B
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610033401.6
申请日：2016-01-19
IPC: B82B3/00
Abstract: 一种单层密排纳米微球阵列的制备方法，涉及纳米微球。利用搭建的单层密排纳米微球阵列制备装置，把基片按一定位置和方向安置到装置中，通过水的浮力和表面活性剂的作用让纳米微球单层密排在水面上，缓慢平移一套装有待排列纳米微球阵列的第二基片夹支架，将第二基片置于水面单层密排纳米微球区域正下方，再缓慢排水以让纳米微球阵列转移到基片表面，并通过退火以让纳米微球阵列密排在基片上。装置成本低廉、结构简单、操作简便、对液面扰动小。所形成的纳米微球阵列除了本身二维结构特性应用，还可作为纳米微球模板用于制备更精细结构的大面积二维纳米球壳阵列、二维纳米颗粒阵列及二维异质结纳米薄层阵列，适用于纳米科学、纳米加工工程等领域。
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公开(公告)号：CN105480942A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201610033401.6
申请日：2016-01-19
IPC: B82B3/00
CPC classification number: B82B3/0009
Abstract: 一种单层密排纳米微球阵列的制备方法，涉及纳米微球。利用搭建的单层密排纳米微球阵列制备装置，把基片按一定位置和方向安置到装置中，通过水的浮力和表面活性剂的作用让纳米微球单层密排在水面上，缓慢平移一套装有待排列纳米微球阵列的第二基片夹支架，将第二基片置于水面单层密排纳米微球区域正下方，再缓慢排水以让纳米微球阵列转移到基片表面，并通过退火以让纳米微球阵列密排在基片上。装置成本低廉、结构简单、操作简便、对液面扰动小。所形成的纳米微球阵列除了本身二维结构特性应用，还可作为纳米微球模板用于制备更精细结构的大面积二维纳米球壳阵列、二维纳米颗粒阵列及二维异质结纳米薄层阵列，适用于纳米科学、纳米加工工程等领域。
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公开(公告)号：CN102590559A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210026594.4
申请日：2012-02-07
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种纳米结构量子态电注入发光测试方法，涉及一种材料器件电光性能测试方法。提供一种可针对纳米结构中单一量子态进行电注入发光的高空间分辨率、高能量分辨率测试的纳米结构量子态电注入发光测试方法。以双扫描隧道探针、高移动精度的光纤、高分辨率扫描电子显微镜、样品台及光谱仪作为联合实验平台，采用双扫描隧道探针作为电注入端、探针与样品间所产生的隧道电流作为注入电流、光纤作为光信号收集端。选取待测微区，选取待测纳米结构，光纤定位，双探针定位，高能量分辨率电注入发光测试，高空间分辨率载流子选择性注入测试。
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公开(公告)号：CN102544298A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210028309.2
申请日：2012-02-07
Applicant: 厦门大学
Abstract: 有效提高外量子效率的深紫外发光二极管及其制备方法，涉及一种发光二极管。深紫外发光二极管设有衬底，在衬底上依次生长AlN缓冲层、n-AlGaN层、有源层、p-AlGaN层和p-GaN盖层，在p-GaN盖层上沉积铝膜层，在n-AlGaN层上设n型电极，在p-GaN盖层上设p型电极。在衬底上生长AlN缓冲层、n-AlGaN层、有源层、p-AlGaN层和p-GaN盖层；采用ICP技术刻蚀出n型台面，并通过光刻、真空电子束蒸发沉积及快速热退火处理技术分别形成p型、n型的欧姆接触；在p-GaN盖层上沉积铝膜层；在n-AlGaN层上设n型电极，在p-GaN盖层上设p型电极。
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公开(公告)号：CN101503826A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200910111002.7
申请日：2009-02-03
Applicant: 厦门大学
IPC: C30B29/40 , C30B29/38 , C30B25/02 , H01L21/205 , H01L21/08
Abstract: AlN生长面复合基底的制备方法以及氮化物半导体器件，涉及一种氮化物半导体材料。提供一种用于生长氮化物半导体材料的AlN生长面复合基底的制备方法及氮化物半导体器件。在衬底上生长AlN外延层，得AlN生长面复合基底。氮化物半导体器件设有AlN生长面复合基底、过渡层和氮化物半导体器件结构材料层。过渡层生长在AlN生长面复合基底上，过渡层由含Al的氮化物材料AlxInyGa(1－x－y)N(0＜x≤1，0≤y≤1)组成，氮化物半导体器件结构材料层生长在过渡层上，氮化物半导体器件结构材料层包含n型层、发光或吸收等功能结构层和p型层，其成分含有AlxInyGa(1－x－y)N(0≤x≤1，0≤y≤1)。
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