公开(公告)号：CN115000301A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202210392987.0

申请日：2022-04-15

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 徐勇 ,  饶锦航 ,  高相林 ,  严宇 ,  戴晓菡 ,  窦存花 ,  陈泉桦 ,  陈子龙 ,  于志浩 ,  孙华斌 ,  吴洁

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明公开一种双介电层场效应晶体管及其制备方法，器件包括玻璃衬底、源漏电极、半导体层、介电层和栅极，介电层包括下方与半导体层接触的低k介电层和位于其上的高k介电层；低k介电层是将低k介电层溶液涂覆在半导体层上形成的；低k介电层溶液是将聚苯乙烯溶于有机溶剂中配置而成，聚苯乙烯的浓度为5‑20mg/mL。本发明利用双介电层结构来改善器件性能，使用低k聚合物抑制高k介电层中极化子引起的能量无序，提高界面中的电荷输运的同时，借助氧化物Al2O3作为高k介电层可有效降低器件工作电压；当低k聚合物的浓度在10‑20mg/mL范围内时，器件的阈值电压、迁移率存在最优匹配。

公开(公告)号：CN114665018A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202210275676.6

申请日：2022-03-21

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 徐勇 ,  张引全 ,  孙华斌 ,  陈子龙 ,  于志浩 ,  吴洁 ,  张晗

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/05

Abstract: 本发明公开了一种有机场效应晶体管半导体层P型掺杂方法及制备的有机场效应晶体管，将2,3,5,6‑四氟‑7,7',8,8'‑四氰二甲基对苯醌(F4‑TCNQ)溶于所述有机半导体层的正交溶剂，作为P型掺杂剂，并在空气氛围中将其旋涂于已经旋涂好的有机半导体层薄膜上，通过快速热退火激活掺杂，从而改善电荷输运中跳跃传输和库仑陷阱引发的问题，以此降低阈值电压，提高开关比。对于P型场效应晶体管来说，该P型掺杂增强了空穴输运，有效提高了饱和电流，并且抑制了电子输运，使得晶体管关闭时功耗降低。该掺杂方法基于溶液法操作，工艺简单，制备成本低，可适用于大规模的成产，对柔性、可便携电子设备的应用有很好的前景。

公开(公告)号：CN114628585A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202210258847.4

申请日：2022-03-16

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 徐勇 ,  朱雅丽 ,  李润 ,  孙华斌 ,  陈子龙 ,  于志浩 ,  吴洁

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/05 ,  H01L51/10

Abstract: 本发明公开了一种基于掺杂的电接触改良的平面聚合物薄膜晶体管的制备方法，所述聚合物薄膜晶体管具有顶栅顶接触结构。首先在绝缘衬底上旋涂一层有机半导体材料（DPPT‑TT）作为有源层（organic semiconductor,OSC），然后通过掩模版制备一层三氧化钼作为接触掺杂层，再在掺杂层上面制备一层银作为源极和漏极。样品暴露于水氧环境中4个小时，以激活掺杂效应稳定接触界面。然后再旋涂一层介电层材料（PMMA）作为绝缘层。最后通过掩膜版在绝缘层表面制备铝栅电极。该方法制备的这种共面结构的聚合物薄膜晶体管相较于未掺杂的共面聚合物薄膜晶体管，器件从不工作开始明显工作，实现了良好的欧姆接触。

公开(公告)号：CN108493098A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201810341058.0

申请日：2018-04-17

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 孙华斌 ,  刘奥 ,  朱慧慧 ,  徐勇

IPC: H01L21/16 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明公开了一种基于低温溶液法p型金属碘化物薄膜晶体管的制备方法，首先利用“溶胶凝胶法”制备超薄ZrO2高k介电薄膜代替传统SiO2作为p型TFT器件的栅介电层；然后采用相同溶液加工技术制备CuI半导体沟道层，紫外-可见光吸收能谱测试表明CuI薄膜具有极强的紫外吸收能力；最后通过热蒸发法制备源、漏电极，完成基于高k介电层的p型CuI/ZrO2薄膜晶体管的制备，制得的产物具有低的操作电压，优异的电学性能，为低功耗、高性能CMOS器件的发展奠定良好的科学基础。