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公开(公告)号:CN110041758B
公开(公告)日:2021-04-09
申请号:CN201910323360.8
申请日:2019-04-22
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 南京理工大学
IPC: C09D11/50 , C09D11/328 , C09D11/36 , H01L51/50 , H01L51/56
Abstract: 本发明公开了钙钛矿纳米晶墨水、电致发光器件及制备方法,属于印刷显示领域。该钙钛矿纳米晶墨水包括:钙钛矿纳米晶材料、用于分散钙钛矿纳米晶材料的溶剂体系,溶剂体系包括:沸点为115℃‑175℃的低沸点溶剂;沸点为230℃‑260℃的高沸点溶剂;低沸点溶剂的表面张力和粘度分别小于高沸点溶剂的表面张力和粘度。通过调节低沸点溶剂和高沸点溶剂的体积比,可调节溶剂体系的沸点至期望范围,使该墨水适于分散钙钛矿纳米晶,且能够获得期望的挥发性,确保喷墨可行性,避免堵塞喷头,且还可有效避免咖啡环现象出现。通过调节溶剂体系的表面张力和粘度至期望范围,确保钙钛矿纳米晶墨水的铺展能力以及喷墨后的印刷性,提高印刷效果。
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公开(公告)号:CN105609588B
公开(公告)日:2018-01-05
申请号:CN201610046489.5
申请日:2016-01-22
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/09 , H01L31/032
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种Au纳米颗粒增强的高性能CsPbX3无机钙钛矿纳米晶可见光探测器。通过旋涂制备Au纳米颗粒增强层,运用离心制膜的方法组装无机钙钛矿感光活性层,然后通过热蒸发沉积以及刻蚀工艺制备叉指电极组装成可见光探测器。本发明所述的可见光探测器的探测波长范围可通过改变量子点发光层材料的卤素配比进行调节,能够覆盖整个可见光谱范围;且其探测速度快,响应时间小于毫秒,可用于快速响应的光探测以及光通讯领域。
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公开(公告)号:CN105552185A
公开(公告)日:2016-05-04
申请号:CN201610071423.1
申请日:2016-02-01
Applicant: 南京理工大学
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/005 , H01L33/14
Abstract: 本发明公开了一种基于无机钙钛矿材料的全无机量子点发光二极管,由ITO玻璃、p型氧化物半导体材料NiO空穴传输层、无机钙钛矿CsPbX3量子点发光层、n型氧化物半导体材料电子传输层和阴极电极材料组成。通过以下步骤制备:首先在ITO玻璃上通过沉积P型无机氧化物材料作空穴传输层,然后旋涂无机卤化物钙钛矿量子点,再通过磁控溅射沉积n型无机氧化物作电子传输层,最后通过热蒸发沉积发光二极管的金属电极,得到发光均匀的全无机CsPbX3钙钛矿量子点发光二极管。本发明制备的全无机量子点发光二极管发光光谱半高宽窄,色纯度高,稳定性好,性能优异,具有广泛的应用价值。
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公开(公告)号:CN103114269A
公开(公告)日:2013-05-22
申请号:CN201310028623.5
申请日:2013-01-25
Applicant: 南京理工大学
Abstract: CuAlO2透明导电薄膜具有宽禁带、低电阻率、可见光范围高光学透过率等特性,可广泛应用于太阳能电池、平面显示、电磁防护罩、功能窗、传感器以及其它光电器件领域。本发明涉及一种p型CuAlO2光电薄膜材料,提供了一种结晶质量好、高c轴取向、高透过率的CuAlO2薄膜制备方法。本发明首先采用脉冲激光沉积技术,以CuAlO2为靶材,在蓝宝石衬底上沉积CuAlO2薄膜,然后对制备的薄膜样品进行了900-1100℃高温气氛退火处理,获得了高结晶度、均匀致密、高c轴择优取向的纯相CuAlO2薄膜。本发明制备工艺简单、容易控制、重复性好、沉积速率稳定、绿色环保。
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公开(公告)号:CN119709193A
公开(公告)日:2025-03-28
申请号:CN202411924104.1
申请日:2024-12-25
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开一种高效发光Sr2+掺杂CsPbX3量子点的制备方法,称量油酸、油胺、1‑十八烯和碳酸铯混合搅拌加热得油酸铯溶液;称量卤化铅、卤化锶,和油酸、油胺、1‑十八烯加热搅拌得到前驱体溶液;在高温下将油酸铯溶液快速注入至前驱体溶液中,反应一定时间后将反应容器置于冰水中降温至室温,得到Sr2+掺杂量子点原液;在Sr2+掺杂量子点原液中加入絮凝剂,混合均匀后放入离心机离心,将所得沉淀分散在甲苯中并加入OAmX的甲苯溶液,随后加入絮凝剂,混合均匀后进行二次离心,将所得沉淀分散在分散剂中,得到高效发光Sr2+掺杂CsPbX3量子点溶液。本发明通过Sr2+掺杂减少了CsPbX3量子点中的Pb含量,降低了材料的毒性,具有绿色环保的优势,且简单可控,易于操作。
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公开(公告)号:CN118109190A
公开(公告)日:2024-05-31
申请号:CN202410051053.X
申请日:2024-01-15
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开一种基于高活性铟盐一锅法制备AgInGaS@GaSx核壳量子点的方法,将铟源、银源和镓硫源依次加入三颈烧瓶中,再向三颈烧瓶中加入有机物配体和溶剂,随后通过加热套升温和磁力搅拌,同时进行抽真空溶解前驱体。利用一锅法结合两步升温,升高到合适的温度得到AIGS量子点,继续升温反应则得到AIGS@GaSx核壳量子点。本发明利用高活性铟盐匹配高活性的ⅠB和ⅥA元素,抑制多种元素活性的差异,提高了系统活性,使量子点在更温和的条件下爆发性成核,从而窄化了AIGS量子点的尺寸分布,提高了量子点的荧光发光效率。得到的AIGS量子点具有单分散尺寸分布,荧光量子产率可达到70%以上,包覆GaS壳层后可得AIGS@GaSx核壳量子点,荧光量子产率超过90%的波长可调的窄带发射。
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公开(公告)号:CN110041758A
公开(公告)日:2019-07-23
申请号:CN201910323360.8
申请日:2019-04-22
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 南京理工大学
IPC: C09D11/50 , C09D11/328 , C09D11/36 , H01L51/50 , H01L51/56
Abstract: 本发明公开了钙钛矿纳米晶墨水、电致发光器件及制备方法,属于印刷显示领域。该钙钛矿纳米晶墨水包括:钙钛矿纳米晶材料、用于分散钙钛矿纳米晶材料的溶剂体系,溶剂体系包括:沸点为115℃-175℃的低沸点溶剂;沸点为230℃-260℃的高沸点溶剂;低沸点溶剂的表面张力和粘度分别小于高沸点溶剂的表面张力和粘度。通过调节低沸点溶剂和高沸点溶剂的体积比,可调节溶剂体系的沸点至期望范围,使该墨水适于分散钙钛矿纳米晶,且能够获得期望的挥发性,确保喷墨可行性,避免堵塞喷头,且还可有效避免咖啡环现象出现。通过调节溶剂体系的表面张力和粘度至期望范围,确保钙钛矿纳米晶墨水的铺展能力以及喷墨后的印刷性,提高印刷效果。
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公开(公告)号:CN106024999B
公开(公告)日:2019-05-07
申请号:CN201610365441.0
申请日:2016-05-27
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种提高钙钛矿量子LED发光效率的表面纯化法,其步骤为:1)向CsPbX3量子点溶液中加入絮凝剂,离心后取沉淀;2)将沉淀分散在有机溶剂中,再加入提纯溶剂,再次离心,取沉淀;3)将步骤2)中得到的沉淀再次分散在有机溶剂中,得到提纯后的CsPbX3量子点。本发明通过筛选不同的溶剂和循环次数对钙钛矿量子点进行表面纯化,减少量子点表面的配体数量,在保证光致发光量子产率的同时能够提高电荷注入率,从而获得高发光效率的QLED,纯化后的QLED的光致发光量子产率保持在90%以上,外量子效率从0.9%提高到3.2%。
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公开(公告)号:CN105552185B
公开(公告)日:2018-11-13
申请号:CN201610071423.1
申请日:2016-02-01
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于无机钙钛矿材料的全无机量子点发光二极管,由ITO玻璃、p型氧化物半导体材料NiO空穴传输层、无机钙钛矿CsPbX3量子点发光层、n型氧化物半导体材料电子传输层和阴极电极材料组成。通过以下步骤制备:首先在ITO玻璃上通过沉积P型无机氧化物材料作空穴传输层,然后旋涂无机卤化物钙钛矿量子点,再通过磁控溅射沉积n型无机氧化物作电子传输层,最后通过热蒸发沉积发光二极管的金属电极,得到发光均匀的全无机CsPbX3钙钛矿量子点发光二极管。本发明制备的全无机量子点发光二极管发光光谱半高宽窄,色纯度高,稳定性好,性能优异,具有广泛的应用价值。
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公开(公告)号:CN105720204B
公开(公告)日:2018-03-09
申请号:CN201610071186.9
申请日:2016-02-01
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种反置结构的无机钙钛矿量子点发光二极管,包括ITO玻璃基板、沉积在ITO玻璃表面的ZnO电子传输层、无机钙钛矿CsPbX3量子点发光层、4,4',4”‑三(咔唑‑9‑基)三苯胺空穴传输层、空穴注入层和阳极电极材料。通过以下步骤制备:首先在洁净的ITO玻璃上采用磁控溅射法沉积ZnO电子传输层,之后取CsPbX3量子点的分散液旋涂在器件表面,然后热蒸发沉积TCTA空穴传输层,再热蒸发沉积空穴注入层,最后沉积阳极电极材料。本发明的发光二极管可调节量子点发光层材料的卤素配比覆盖可见光范围,发光稳定且发光效率高。
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