公开(公告)号：CN104091837B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201410263961.1

申请日：2014-06-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 闫锋 ,  吴福伟 ,  纪小丽

IPC: H01L31/02 ,  H01L31/112

CPC classification number: H01L31/02

Abstract: 一种基于光学天线的太赫兹探测器，包括多晶硅材料层制成的光学天线、晶体管或场效应管；光学天线分别置于晶体管的源极和漏极两端，天线边缘距离晶体管栅极边缘间距为100～500nm，光学天线与晶体管源端、漏端和栅端通过标准工艺中填充氧化物隔开；光学天线与晶体管栅极采用同一层多晶硅材料，但掺杂通过其他工艺来单独实现，其厚度为100～300nm；光学天线采用偶极子天线、领结形天线天线结构，多晶硅材料的掺杂浓度为1017～1020；光学天线的太赫兹探测器工作方案为，在晶体管栅极上加上直流偏置电压，源极接地，漏极浮空，信号电压从漏极输出。

公开(公告)号：CN105449030A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201511018027.4

申请日：2015-12-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 张佳辰 ,  张铁 ,  吴福伟

IPC: H01L31/112 ,  H01L31/02

CPC classification number: H01L31/112 ,  H01L31/02

Abstract: 一种基于有源区材料的光学天线太赫兹探测器，光学天线与晶体管栅极采用同一层多晶硅材料，厚度为100～300nm；光学天线分别置于晶体管的源极和漏极两端，天线边缘距离晶体管栅极边缘间距为100～500nm，光学天线与晶体管源端、漏端和栅端通过标准半导体工艺中填充氧化物隔开；光学天线采用偶极子天线或领结形天线结构，多晶硅材料的掺杂浓度为1017～1020原子/每立方厘米；天线厚度与晶体管源漏端厚度相同，将天线分别与源漏连成一整体。

公开(公告)号：CN103165726A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201110419288.2

申请日：2011-12-14

Applicant: 南京大学

Inventor： 闫锋 ,  夏好广 ,  卜晓峰 ,  徐跃 ,  吴福伟 ,  马浩文

IPC: H01L31/113 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: PN结薄膜晶体管非挥发光电探测器，探测器结构包括硅(Si)衬底(1)，衬底正上方为一层绝缘介质称为体绝缘层(2)，体绝缘层正上方为掺杂不同的半导体薄膜层形成P型源极(3)和N型漏极(4)，在源极漏极分界处源极一侧正上方从下到上依次为底层绝缘介质(5)、电荷存储层(6)、顶层绝缘介质(7)和控制栅极(8)；两层绝缘介质包围电荷存储层可以防止中间电荷的流失；底层绝缘介质将半导体层和电荷存储层隔离。其中控制栅和衬底至少有一种是透光的材料以便于光探测。该探测器利用PN结反偏来产生和收集光信号，通过测量PN结的带带隧穿(BTBT)电流来读取信号大小。

公开(公告)号：CN103165630A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201110419788.6

申请日：2011-12-14

Applicant: 南京大学

Inventor： 闫锋 ,  卜晓峰 ,  胡悦 ,  吴福伟 ,  夏好广 ,  马浩文

IPC: H01L27/146 ,  H04N9/04

Abstract: 基于光敏复合介质栅MOSFET探测器的彩色成像方法，在栅极上加不同的电压脉冲，使MOSFET工作在深耗尽状态，根据所加栅极电压不同使耗尽区的深度不同，以此结合不同波长的光在硅中的穿透深度不同的原理，将入射光中的红、绿、蓝三中颜色的光子分开以分别进行收集与探测，实现在同一个像素中对红、绿、蓝三基色的探测，以进行彩色成像；具体操作方式为：在栅极加一个正向脉冲Vb，在P型硅半导体中形成一个深度一定的耗尽层，用来吸收蓝光光子，然后使栅极脉冲电压变化吸收红、绿光光子。本发明消除了传统彩色成像方法所遇到的色彩混淆现象，提高了量子效率，工艺流程简单，成本低，像素的可伸缩性极好。

公开(公告)号：CN102496648A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201110382697.X

申请日：2011-11-28

Applicant: 南京大学

Inventor： 闫锋 ,  吴福伟

IPC: H01L31/101 ,  G01J11/00 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种内置负反馈金属-半导体-金属紫外光单光子探测器，每个探测器从下至上包括衬底，衬底上可以生长缓冲层，衬底或缓冲层上是n型半导体，n型半导体上面是叉指状薄膜电阻，阳极电极淀积在薄膜电阻上形成阳极电极，最上层是叉指状电极，阴极电极与n型半导体形成肖特基结，阳极电极淀积在薄膜电阻上。本发明所述内置负反馈金属-半导体-金属结构紫外光单光子探测器克服了p-n和p-i-n结构紫外光单光子探测器复杂的工艺流程带来的工艺控制困难、成本昂贵的问题。

公开(公告)号：CN202351504U

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201120522080.9

申请日：2011-12-14

Applicant: 南京大学

Inventor： 闫锋 ,  吴福伟 ,  胡悦 ,  夏好广 ,  卜晓峰 ,  马浩文

IPC: G02B21/36

Abstract: 基于超高分辨率成像芯片便携式数码显微镜，包括光源、样品架和超高分辨率成像芯片及成像电路，光源、样品架和超高分辨率成像芯片及成像电路按序在一条直线上，或样品架位于光源和超高分辨率成像芯片及成像电路的下方。本实用新型用超高分辨率成像芯片直接对微小物体进行成像，利用芯片的超高分辨率对待观测物体进行放大，从而无需复杂的光学放大系统，可以使数码显微镜体积小、价格便宜。