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公开(公告)号：CN109216399B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN201811152566.0
申请日：2018-09-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了倒装结构微尺寸光子晶体LED阵列芯片及其制备方法。本发明的LED阵列芯片，四个发光单元并联，正电极金属连接线与半导体材料之间由介质绝缘层隔离，负电极直接覆盖在半导体材料上表面；发光单元的有源区域具有周期分布的光子晶体，光子晶体的深度超过有源层的深度；除电极焊盘外，整个芯片表面都分布有介质DBR；金属电极构成金属反射镜。本发明的制备方法，采用先制备欧姆接触层和电极、后刻蚀光子晶体的方案，无需平坦化等传统工艺流程；采用较厚的条状介质绝缘层隔离电极与半导体材料，较薄的介质掩膜层与胶掩膜层共同刻蚀的方案，有利于DBR的沉积以及光子模式的快速逸出；本发明的工艺流程简单、可靠。
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公开(公告)号：CN107369746B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201710764421.5
申请日：2017-08-30
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片及其制备方法。本发明的LED芯片为倒装薄膜结构，外延薄膜仅包含p‑GaN层、量子阱层和n‑GaN层，在p‑GaN层下面是高反射率的金属反射电极，在n‑GaN层上面是介质分布布拉格反射镜，金属反射电极和介质DBR构成谐振腔的反射镜，谐振腔的腔长是波长数量级。本发明制备方法将LED外延片的衬底通过第一次光电辅助化学腐蚀和第二次化学腐蚀去除，再通过金属键合使LED外延片分布在导热基板上，得到所述化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片。本发明制备方法不需要引入额外的材料，因此不会造成外延生长设备真空腔室的污染，同时有利于降低谐振腔的长度。
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公开(公告)号：CN106784221B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201611209700.7
申请日：2016-12-23
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: B82Y40/00 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/20
Abstract: 本发明公开了一种基于表面等离子体效应的宽带高效GaN基LED芯片及其制备方法。该宽带高效GaN基LED芯片为倒装结构，由下至上依次包括衬底、缓冲层、非故意掺杂GaN层、n‑GaN层、量子阱层、电子阻挡层、p‑GaN层、金属反射镜层、钝化层、p‑电极层、n‑电极层、p‑电极孔和n‑电极孔；所述金属反射镜层的底面连接p‑GaN层的表面处具有微米‑纳米复合金属结构。微米金属结构包含交替出现的凸起部分和凹槽部分；凸起部分延伸至量子阱附近，实现高效SP‑MQW耦合；凹槽部分覆盖在p‑GaN表面，使p‑GaN层具有足够的厚度注入空穴；纳米金属结构分布在微米金属结构与p‑GaN的分界面上。
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公开(公告)号：CN109216399A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201811152566.0
申请日：2018-09-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了倒装结构微尺寸光子晶体LED阵列芯片及其制备方法。本发明的LED阵列芯片，四个发光单元并联，正电极金属连接线与半导体材料之间由介质绝缘层隔离，负电极直接覆盖在半导体材料上表面；发光单元的有源区域具有周期分布的光子晶体，光子晶体的深度超过有源层的深度；除电极焊盘外，整个芯片表面都分布有介质DBR；金属电极构成金属反射镜。本发明的制备方法，采用先制备欧姆接触层和电极、后刻蚀光子晶体的方案，无需平坦化等传统工艺流程；采用较厚的条状介质绝缘层隔离电极与半导体材料，较薄的介质掩膜层与胶掩膜层共同刻蚀的方案，有利于DBR的沉积以及光子模式的快速逸出；本发明的工艺流程简单、可靠。
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公开(公告)号：CN108807621A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810717722.7
申请日：2018-06-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明提供了照明通信共用的二维光子晶体LED倒装芯片及其制备方法，制备方法包括提供透明衬底的外延片、在所述透明衬底的外延片上制备空气孔光子晶体结构、在所述空气孔光子晶体结构中填充SOG绝缘介质、用填充好绝缘介质的外延片进行普通倒装芯片制备工艺，形成二维光子晶体LED倒装芯片。本发明的照明通信共用的二维光子晶体LED倒装芯片的制备方法可以有效的提高LED芯片的调制带宽和出光效率，同时有效避免外延片带来的质量问题，而照明通信共用的二维光子晶体LED倒装芯片具有散热效果好、出光效率高的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107195747A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710405621.1
申请日：2017-06-01
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: H01L33/20 , H01L21/0274 , H01L33/007 , H01L33/14 , H01L33/405 , H01L33/46
Abstract: 本发明公开一种微米尺寸倒装LED芯片及其制备方法，特点是制备LED的GaN外延层是台型结构，台型结构的台基和台面都呈圆台型，台基上分布有n‑电极圆环，台面顶部的边缘分布有电流扩展圆环，电流扩展材料在300℃的温度下不会发生离子扩散，电流扩展圆环顶部的边缘和台型结构的侧壁是钝化层，钝化层采用化学气相沉积介质绝缘层和周期数不小于1的分布布拉格反射镜层，台面顶部和钝化层侧壁覆盖p‑反射电极层。本发明可提高反射镜的反射率，同时避免反射电极层中的金属扩散导致的漏电现象，并且在光刻工艺中具有较大的对准容差。
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公开(公告)号：CN106941377A
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201710097747.7
申请日：2017-02-22
Applicant: 华南理工大学
IPC: H04B10/116 , H04B10/69
CPC classification number: H04B10/116 , H04B10/691
Abstract: 本发明公开了用于提高可见光通信中高频增益的光电接收器设计方法，通过设置反馈网络中反馈电阻和电容的值，使光电接收器的传输特性曲线在高频部分出现一个增益峰值，利用这个峰值提高接收器对于LED的高频响应增益，从而提高响应曲线平坦度、拓展带宽。本发明侧重光电接收器上的优化设计，不需要额外的后均衡电路，电路结构简单、成本较低，而且由于所需元器件较少可实现较高的集成度。
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公开(公告)号：CN103022070B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201210476298.4
申请日：2012-11-22
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开一种具有新型发光单元结构的大尺寸LED芯片，其衬底为长方体，而外延层分割成多个发光单元，发光单元侧壁制备有微结构，微结构呈随机分布或周期分布。对于导电型衬底，所述发光单元为圆柱形、正圆台形或倒圆台形，发光单元以并联的形式组成单个的大功率LED芯片；对于绝缘型衬底的大尺寸LED芯片，所述发光单元台形结构的台基和台面分别为圆柱形、正圆台形或倒圆台形，发光单元以串联或并联的形式组成单个的大功率LED芯片。本发明保持简单的芯片切割工艺，而对芯片内部的发光单元应用塑形技术和侧面粗化技术，并对电极优化设计，增强各发光单元的光提取效率和电注入效率，从而提高大尺寸LED芯片的发光效率。
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公开(公告)号：CN103199171A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201210544524.8
申请日：2012-12-14
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于半导体光电子器件制造技术领域，具体涉及到一种N型透明电极结构的功率型LED芯片，其具体结构包括：衬底、缓冲层、缓冲层上的本征层、本征层上的N型层、N型层上的发光层、发光层上的P型层、P型层上的电流阻挡层、P型层和电流阻挡层上的透明导电层、P电极和形成于N型台面上的N型透明电极以及N型焊点处电极。本发明制作的N型透明电极能够有效地改善传统功率型芯片中大面积N电极金属对光的阻挡和吸收，提高了芯片的发光亮度。同时该发明还具有工艺制作简单，用透明电极取代价格昂贵的金属电极，极大地降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN102606977A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210093422.9
申请日：2012-03-31
Applicant: 华南理工大学
IPC: F21V5/04 , F21W101/02 , F21Y101/02
CPC classification number: G02B19/0061 , F21S41/143 , F21S41/255 , G02B19/0014
Abstract: 本发明公开了一种用于LED汽车远光灯的自由曲面光学透镜，由透明材料制成，透明材料为PC或PMMA或光学玻璃，透镜包括入射面及出射面。所述透镜的底面中心设有一供LED安装于其内的空腔，空腔的一部分腔壁是柱面，所述的入射面由所述柱面和位于柱面顶部的自由曲面构成；透镜的外侧面是自由曲面，透镜的顶面是平面即所述的出射面。由于LED光源发光效率高及采用自由曲面透镜，从光源射出的光线几乎可以全部被收集利用，故能量利用率很高，同时，LED光源光型，发光方向都可以控制。透镜的底面中部设有一供LED安装于其内的空腔，使LED光源易于安装，透镜的体积小，留出大量的空间有利于散热装置的安装。点亮LED光源，光线经过透镜后出射，可以得到椭圆形光型和满足国家标准GB25991-2010的照度分布。
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