一种电子枪灯丝电源、电子加速器及其控制方法

    公开(公告)号:CN111478596B

    公开(公告)日:2021-04-20

    申请号:CN202010041057.1

    申请日:2020-01-15

    Abstract: 本发明公开了一种电子枪灯丝电源、电子加速器及其控制方法,属于辐照加工领域。包括:三相桥式不控整流电路,用于对三相输入交流电压进行整流,得到直流电压;逆变电路,包括,LLC逆变器用于将三相桥式不控整流电路输出的直流电压转化为频率为150kHz以上的交流电压,高频变压器用于降低LLC逆变器输出的交流电压幅值,降低后的交流电压用于电子枪灯丝的供电;采样电路,用于采样三相桥式不控整流电路的输入电压和输出电压、逆变电路的输出功率;控制电路,用于根据采样到的逆变电路输出功率值,动态调整逆变器工作频率以改变其输出功率,解决了电子枪灯丝电源控制精度低、响应速度慢的问题,结合提出的电子加速器及其控制方法,实现加速器束流稳定输出。

    一种喷铯装置
    34.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107385376B

    公开(公告)日:2019-07-19

    申请号:CN201710661200.5

    申请日:2017-08-04

    Abstract: 本发明公开了一种喷铯装置,包括储铯单元、第一传导单元和第二传导单元,储铯单元包括:安瓿瓶、储铯管、第一CF法兰、第一加热单元和第一温度检测单元,主要用于铯的存储和蒸发;第一传导单元包括:盲板、第一全金属管阀、第一传导管、第二全金属管阀、第二加热单元和第二温度检测单元,主要用于铯的传输;第二传导单元包括:第二CF法兰、陶瓷、连接元件、第二传导管、喷嘴、第三加热单元和第三温度检测单元,主要用于铯的传输。本发明在传导管等电阻丝容易缠绕部位采用欧姆加热方式,对于管阀等电阻丝不易缠绕和固定的部位采用感应加热方式,两种方式相互配合实现了喷铯装置不同部位准确、均匀的温度控制,从而达到铯喷发速率可控的目的。

    一种二倍压整流电路底盘
    35.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107645240A

    公开(公告)日:2018-01-30

    申请号:CN201711019484.4

    申请日:2017-10-26

    Abstract: 本发明提供了一种二倍压整流电路底盘,包括多个底盘单元串联;每个底盘单元包括;四个用于将底盘单元分为均匀对称的四相的支撑部件;每一相均包括次级线圈、第一整流二极管、第二整流二极管、第一限流电阻、第二限流电阻、第一输出电阻、第二输出电阻、第一整流电容和第二整流电容;次级线圈的正极与第一整流二极管的正端以及第二整流二极管的负端连接,负极连接至第一整流电容和第二整流电容的串联连接端;第一限流电阻的一端连接至第一整流二极管的负端,另一端与第一输出电阻的一端以及第一整流电容的非串联连接端连接;第二限流电阻的一端连接至第二整流二极管的正端,另一端与第二输出电阻的一端以及第二整流电容的非串联连接端均连接。

    一种用于铁磁性精密工件装配的磁力提手

    公开(公告)号:CN104900391B

    公开(公告)日:2017-06-16

    申请号:CN201510250002.0

    申请日:2015-05-15

    Abstract: 本发明公开了一种磁力提手,包括两个磁力执行机构和连接于两个磁力执行机构之间的转动调节机构;磁力执行机构包括磁力座、中间连接板、承力臂、弹性定位机构和手柄;磁力座的上端面通过中间连接板与承力臂固接;中间连接板上开有通孔,通孔内设有连接磁力座上端面的弹性定位机构;承力臂的一端连接手柄的一侧,手柄的另一侧设有用于连接旋转调节机构的连接臂;转动调节机构包括棘轮、棘爪、旋转轴和弹簧,棘轮固定于一个磁力执行机构的连接臂上,棘爪的转动端通过旋转轴连接另一个磁力执行机构的连接臂,棘爪的大端通过弹簧连接另一个磁力执行机构的手柄。本发明结构简单,使用方便,稳定可靠,能够实现精密铁磁性工件的无划伤、无污渍装配。

    一种基于温控微量石英天平的铯沉积诊断装置及方法

    公开(公告)号:CN118389998A

    公开(公告)日:2024-07-26

    申请号:CN202410433351.5

    申请日:2024-04-11

    Abstract: 本发明公开了一种基于温控微量石英天平的铯沉积诊断装置及方法,属于负离子源及铯沉积诊断领域,该装置在QMB原始的金晶片表面上镀了镍或钼,用以模拟负离子源中的铯在等离子体栅极的沉积情况,从而实现铯在等离子体栅极的沉积诊断,并可由此对比分析铯在镀镍或钼的晶体表面的沉积效果;设计了可移动的着铯挡板,在铯流不稳定阶段着铯挡板覆盖在晶片着铯面阻止腔体中的铯附着在晶片上,待铯流稳定之后再移走着铯挡板使铯在晶片上沉积,能够提高测量精度、延长晶片的使用寿命;通过温控系统实现对晶片的温度控制,从而开展钼等多晶片实验,更为全面地研究铯的吸附解离过程,有助于研究分析温度和基底金属种类对铯吸附解离的沉积效果影响。

    一种用于射频系统的搜索记忆式阻抗匹配调节方法

    公开(公告)号:CN115865031A

    公开(公告)日:2023-03-28

    申请号:CN202211596780.1

    申请日:2022-12-12

    Abstract: 本发明公开了一种用于射频系统的搜索记忆式阻抗匹配调节方法,适用于L型(也称Γ型)阻抗匹配电路的可调电容调节。本方法不需要建立准确的匹配电路模型,利用匹配电路前端的传输线终端阻抗和当前并联电容Cp的容值直接计算得到并联电容Cp的调节量,并以此作为电容Cp的调节依据,提升了电容Cp的调节收敛速度,减少了Cp电容无效调节的次数;针对串联电容Cs采用试探调节方法,每次试探调节后,依靠调节前后反射系数模值变化情况来对电容进行自适应的调节,针对不同的反射系数模值采取不同的调节步长。电容Cp和Cs交替调节,减小了彼此耦合带来的锯齿现象。此外,通过在局部最优点范围大步长调节和数值滤波方法的处理尽可能避免产生局部最优的问题。

Patent Agency Ranking