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公开(公告)号：CN100424233C
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200610019996.6
申请日：2006-08-15
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种多晶氧化锌薄膜材料的制备方法，步骤为：①清洗衬底；②将锌盐溶于去离子水中，加入配合物，锌盐与配合物的摩尔比为1∶1至1∶4，配合物为乙醇胺系列化合物；调节pH值至11～12.5之间，制成前驱体溶液；③将衬底浸入前驱体溶液，锌的配合物离子与衬底之间达到吸附饱和后取出；④将衬底浸入室温去离子水中洗涤；⑤再将衬底浸入85-95℃去离子水中；⑥反复进行步骤③-⑤，直到厚度达到所需的尺寸；⑦对薄膜进行低温干燥和退火处理。本发明通过连续离子层吸附反应法制备氧化锌薄膜材料，形成的薄膜具有高附着力和致密性、良好的结晶性能和光电性能。本发明成功的改善了薄膜的表面性能，大幅度减少了薄膜中的针孔。
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公开(公告)号：CN1932086A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200610019996.6
申请日：2006-08-15
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种多晶氧化锌薄膜材料的制备方法，步骤为：①清洗衬底；②将锌盐溶于去离子水中，加入配合物，锌盐与配合物的摩尔比为1∶1至1∶4，配合物为乙醇胺系列化合物；调节pH值至11～12.5之间，制成前驱体溶液：；③将衬底浸入前驱体溶液，锌的配合物离子与衬底之间达到吸附饱和后取出；④将衬底浸入室温去离子水中洗涤；⑤再将衬底浸入85－95℃去离子水中；⑥反复进行步骤③－⑤，直到厚度达到所需的尺寸；⑦对薄膜进行低温干燥和退火处理。本发明通过连续离子层吸附反应法制备氧化锌薄膜材料，形成的薄膜具有高附着力和致密性、良好的结晶性能和光电性能。本发明成功的改善了薄膜的表面性能，大幅度减少了薄膜中的针孔。
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公开(公告)号：CN1915803A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200610124483.1
申请日：2006-09-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种硒化锌多晶纳米薄膜的化学浴制备方法。采用锌盐溶液作为锌离子源，自制Na2SeSO3溶液或配制硒脲或二甲基硒脲溶液提供Se2－源，采用单一水合阱或水合肼与氨水、三乙醇胺的一种或多种混合作络合剂形成化学浴前驱体溶液，以化学浴法制备ZnSe纳米光电薄膜材料。和其它II－VI族半导体相比，ZnSe的溶度积常数相对较高，溶液中阴阳离子浓度之积超过其离子积常数时很容易发生同相沉积而形成粉末状块材，因此工艺的控制相当重要。本发明在ZnSe半导体薄膜合成过程中废液对环境的污染很小，是一种“绿色”的制备方法，所制备的ZnSe多晶纳米薄膜具有结晶性好，表面均匀而有光泽，可见光范围内透射率高，光学特性好等特点。
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公开(公告)号：CN118479531A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410715325.1
申请日：2024-06-04
Applicant: 华中科技大学
IPC: C01G21/21
Abstract: 本发明涉及一种硫化铅量子点制备方法，具体包括向氯化铅和油胺的混合液中快速注入活化后的二硫代氨基甲酸锌的胺溶液使其成核生长，通过调控温度、生长时间等来调控合成PbS量子点的尺寸。本发明提供的一种单一前驱体二硫代氨基甲酸锌完全替代ZnS量子点作为成核和生长的硫源，不需要滴加注射，节省了时间，省去了合成ZnS量子点的复杂步骤，并且可以长时间稳定在某一尺寸，不发生熟化。
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公开(公告)号：CN118332764A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410272476.4
申请日：2024-03-11
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种光谱重构方法及计算光谱仪，光谱重构方法包括以下步骤：将光谱重建问题用公式表示；对公式中的光谱变量x进行正则化约束后，对正则项使用ADMM进行约束，得到光谱重建问题的数学模型；输入正则化系数和ADMM中的拉格朗日迭代参数，以确定数学模型；更新数学模型中的变量；更新模型中正则项系数和拉格朗日迭代参数；判断是否满足迭代循环条件，若满足则更新模型中的变量，否则输出当前的光谱变量x，即获得重建后的光谱。在引入ADMM的同时，融合了正则化技术，从而在低信噪比下也具有良好的频谱恢复能力；通过插值，所述光谱重构方法可以减少预校准过程中的工作量，同时保持较高的光谱恢复性能，并能够提高光谱分辨率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118325612A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410298522.8
申请日：2024-03-15
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请公开了一种钝化量子点表面的方法及其应用，属于半导体纳米材料技术领域。方法包括在量子点的溶液中加入一种配体化合物，所述配体化合物具有式I所示结构式的至少一种：#imgabs0#其中，C1选自H—、CnH2n+1—、CnH2n+1O—中的任一种；n为自然数。所述膦类化合物能够实现多种量子点如硒化镉量子点、硫化铅量子点、硒化铅量子点的表面钝化。从实验结果来看，由于量子点表面被有效钝化，表面缺陷位点明显减少，从而光生载流子捕获位点减少，量子点荧光峰明显增强。采用本申请提供的量子点钝化方法获得的量子点材料，可用于制备光电探测器的光敏材料，应用前景广泛。
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公开(公告)号：CN111423869A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010203444.0
申请日：2020-03-20
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于晶面控制抑制量子点表面缺陷态的方法，属于化合物半导体纳米材料制备技术领域。将铅前驱物溶液加热至40℃～70℃，然后快速注入浓度为0.6mol/L～0.8mol/L的硫源或硒源溶液；再缓慢滴加浓度为0.1mol/L～0.2mol/L的硫源或硒源溶液，再加入配体，随后加入反溶剂至溶液变浑浊后离心，沉淀即为有配体包裹的体心四方晶格结构的硫化铅量子点、硒化铅量子点、硫化铅/硒化铅核壳量子点或硒化铅/硫化铅核壳量子点；铅前驱物的物质的量大于加入的硫源或硒源的物质的量之和；整个反应均在保护性气体下进行。本发明最终产物能够有效缓解{100}晶面的暴露情况，避免氧气及水分的入侵，表面缺陷态少，在空气中稳定性好。
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公开(公告)号：CN106753357A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611050553.3
申请日：2016-11-21
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种PbS量子点的制备方法，包括以下步骤：(1)将铅的卤族化合物与油胺混合形成混合物；接着，在惰性气氛下，将该混合物加热至80℃～150℃，并保温得到铅的卤化物的油胺溶液；(2)将预先制备好的ZnS纳米棒溶液在注入到铅的卤化物的油胺溶液中，在80℃～190℃的温度下进行反应，即得到包括PbS量子点在内的反应产物。本发明通过对关键的制备方法原理、以及各步反应的反应条件等进行改进，与现有技术相比能够有效解决PbS量子点制备方法复杂、成本高的问题，并且本发明制备得到的纳米颗粒具有高度结晶性、尺寸均匀性、稳定性、良好的光学特性等特点，非常利于发挥PbS量子点的各种特性。
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公开(公告)号：CN101475141B
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200910060547.X
申请日：2009-01-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明公开了一种InAs纳米晶的制备方法，其步骤为：①将In的羧酸盐或InCl3与高级脂肪酸摩尔比为1∶1～3∶1的混合物，Zn的羧酸盐与十八烯混合，在惰性气氛下加热至190～250℃，形成无色透明的In-ODE复合物，In的浓度为0.003～0.2mol/L，Zn与In的摩尔比为1∶20～3∶1；②将AsH3用10～15分钟的时间通入In-ODE复合物，在开始通气2～10分钟后，往反应混合物中再次注入十八烯，注射量为初始十八烯体积的1/10～1倍；③20～120分钟后，将混合物温度降至30～60℃；④往反应产物中加入极性小于等于3德拜的有机溶剂和极性大于3德拜的有机溶剂，然后离心沉淀，得到纯净的InAs纳米晶，它可溶于普通的极性较小的有机溶剂，如甲苯、氯仿、正己烷等等。本发明简单而经济，制备的纳米晶具有高度结晶性，尺寸均匀性，良好的光学特性等特点。
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公开(公告)号：CN1912048A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200610019924.1
申请日：2006-08-07
Applicant: 华中科技大学
IPC: C09K11/70
Abstract: 本发明公开了一种InP量子点的制备方法，其步骤为：①将InCl3与三辛基氧膦混合，在90～ 110℃保温制得In含量为0.1～0.3mol/L的溶液；②升温到130～180℃，通入氩气；③将P(Si(CH3)3)3注射入InCl3－TOPO复合物中，其摩尔比为1∶1～1∶2；④待溶液颜色变为透明的红色或橙红色，将升温260～270℃保温；⑤降温到90～110℃，注入十二胺、癸胺或硫醇；⑥将反应混合物溶于非极性溶剂，形成透明的胶体溶液，然后加入极性溶剂，直至胶体溶液出现混浊状，然后离心分离获得沉积物和上层清液；⑦取上层清液进行离心分离。上述步骤①～⑤在保护气氛下进行。本发明制备的量子点具有高度结晶性，尺寸均匀，光学特性好等特点。
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