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公开(公告)号：CN109867959B
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201811623376.2
申请日：2018-12-28
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明提供了一种在弹性体薄膜表面形成褶皱的方法。该方法包括如下步骤：(1)在硬质基底表面形成纳米线网络，并以此作为模板；(2)在所述模板的含有纳米线网络的表面覆盖流动的弹性体材料，使所述弹性体材料填充至所述纳米线网络的全部空隙中并附着于所述硬质基底上；(3)使所述弹性体材料固化；(4)除去所述硬质基底，得到表面含有纳米褶皱的弹性体薄膜。本发明通过将由纳米线或纳米纤维构筑的纳米线网络转移至弹性体薄膜中，在弹性体薄膜表面大面积制备出纳米尺度的褶皱结构，纳米褶皱的形貌调控非常简便。利用本发明制备褶皱结构，无需光刻、纳米压印、电子束刻蚀等微纳加工技术，制备工艺简单、快速、成本低、重复性好。
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公开(公告)号：CN109489539B
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201810996027.9
申请日：2018-08-29
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G01B7/16
Abstract: 本发明实施例提供一种柔性应变传感器的制备方法及柔性应变传感器。该方法包括：在弹性织物内浸入液态导电材料；在弹性织物的两端各设置一个电极，并在电极上连接电极引线；在弹性织物的外表面包覆弹性体材料，并使电极引线从弹性体材料中露出；弹性体材料固化后，获得柔性应变传感器。本发明实施例，选择弹性织物作为液态导电材料存储通道，传感器在被施加拉力或压力时，液态导电材料都能够从弹性织物中流出，致使弹性织物的导电性能下降；当撤除施加的外力后，流出的液态导电材料重新流回到弹性织物中，致使弹性织物的导电性能恢复，从而使得传感器同时具备拉力传感和压力传感的功能，不仅扩大柔性传感器的应变感知范围，还简化了其制备工艺。
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公开(公告)号：CN106876418B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201710149708.7
申请日：2017-03-14
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L27/144
Abstract: 本发明提供一种光电探测器阵列，包括半绝缘的衬底层；覆盖在所述衬底层表面的绝缘钝化层；设置在所述衬底层上且位于所述钝化层内的至少2个光电探测器；在每个所述光电探测器的N接触层上蒸镀的N接触电极；在每个所述光电探测器的P接触层上蒸镀的P接触电极；在所述N接触电极上开孔设置并在所述钝化层上蒸镀的接地大电极；以及在所述P接触电极上开孔设置并在所述钝化层上蒸镀的信号大电极。本发明将多个光电探测器按照以信号大电极为中心的对称结构设计，克服了单个光电探测器无法处理过大功率的光信号的弊端，以及传统光电探测器阵列的各光电探测器电信号容易在输出端产生相位失配而引起信号畸变的缺点；工艺简单、饱和功率大且响应度高。
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公开(公告)号：CN105448675B
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201410514645.7
申请日：2014-09-29
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种GaAs/Si外延材料的MOCVD制备方法，包括：在清洁的单晶硅衬底上制作GaAs低温成核层；在所述GaAs低温成核层上制作GaAs中温缓冲层；在所述GaAs中温缓冲层上制作GaAs第一高温缓冲层；在所述GaAs第一高温缓冲层上制作GaAs第二高温缓冲层；在所述GaAs第二高温缓冲层上制作GaAs变温缓冲层；在所述GaAs变温缓冲层上制作多层量子点位错阻挡层；在所述多层量子点位错阻挡层上制作应变插入层；在所述应变插入层上制作GaAs外延层。本发明能够大面积、均匀、高重复性地完成材料生长和制备，降低所生长材料的位错密度，成本更加低廉，更适合产业化的需求。
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公开(公告)号：CN104851947B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201510189107.X
申请日：2015-04-21
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L33/22
Abstract: 本发明公开了一种带有表面糙化透光结构的LED芯片及其制作方法，属于LED芯片制造及LED照明领域。所述的带有表面糙化透光结构的LED芯片，包括芯片的衬底、n型半导体结构、i型有源区和p型半导体结构，以及形成在芯片表面的糙化透光结构；所述糙化透光结构是切面角度连续变化的糙化层。所述糙化透光结构在p型半导体结构上，或者在p型半导体结构的钝化层上，或者在p型半导体结构的透明电极上，或者在p型半导体结构的透明有机层上或者在n型半导体结构上，或者在衬底上。本发明可以改善LED器件出光受全反射角的影响，从而提升LED器件的出光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103367370B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201210084793.0
申请日：2012-03-27
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及光电子技术领域，提供了一种亚波长光栅反射增强型硅基宽光谱集成光探测器及其制备方法。所述光探测器包括由下至上依次形成的硅衬底层、氧化硅衬底层、亚波长光栅层、树脂层、n型外延层、本征层、p型外延层，以及形成在n型外延层上的n型接触电极和形成在p型外延层上的p型接触电极；其中，亚波长光栅层包括由硅材料制成的具有特定图案的光栅。本发明的器件易于集成、宽光谱范围高量子效率、高频率响应带宽；同时相关工艺成本低、工艺简单、易于实现。本发明解决了传统半导体光探测器量子效率和频率响应带宽的相互制约的问题，能够广泛用于光通信及光信号处理等领域。
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公开(公告)号：CN105140330A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510613957.8
申请日：2015-09-23
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/08 , H01L31/0304
CPC classification number: H01L31/08 , H01L31/03046
Abstract: 本发明公开了一种能够工作于零偏压下的低功耗单行载流子光电探测器。该光电探测器由InP半绝缘衬底以及其上的外延层组成。外延层包括InP半绝缘衬底、第一InGaAs腐蚀阻止层、InP次收集层(其上镀有n型接触电极)、第二InGaAs腐蚀阻止层、InP收集层、InGaAsP过渡层、InGaAs吸收层、InAlAs电子阻挡层和InGaAs接触层(其上镀有p型接触电极)。其中在吸收层和电子阻挡层上优选地使用了InAlAs/InGaAs异质结，利用InAlAs的高费米能级和大禁带宽度获得了在零偏压下更好的响应度与相应带宽，并且降低了功耗。
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公开(公告)号：CN103151710B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201110401751.0
申请日：2011-12-06
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明涉及半导体光电子材料与器件领域，公开了一种GaAs基含B高应变量子阱的制备方法，包括步骤：S1、在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；S2、在所述GaAs缓冲层的顶部生长高应变阱层，生长过程中通入B源形成含B高应变阱层；S3、在所述含B高应变阱层上生长GaAs垒层或应变补偿垒层，形成GaAs基含B高应变量子阱。本发明还公开了一种GaAs基含B高应变量子阱以及一种边发射半导体激光器。本发明通过将B并入到InGaAs或GaAsSb中补偿In、Sb并入GaAs导致的晶格常数变大，从而实现对晶格失配度的调控；通过将B并入到InGaAs或GaAsSb中降低高应变InGaAs或GaAsSb的表面能，从而进一步拓展InGaAs/GaAs和GaAsSb/GaAs高应变量子阱的发光波长；通过对含B高应变阱层进行应变补偿，从而提高量子阱的光学质量。
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公开(公告)号：CN101958753B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN200910160632.3
申请日：2009-07-17
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明属于光电技术领域，具体涉及一种具有平顶陡边光谱响应性能的用于波分复用中的解复用接收器。本发明所提供的解复用接收器，包括：至少两个光探测器，所述光探测器信道相邻且具有滤波性能；信号处理单元，所述信号处理单元对探测器的输出信号的直流分量进行比较，以向所述光探测器中指定的光探测器输出的交流信号实现光谱响应。本发明所提供的是可以实现可变带宽的平顶陡边的解复用接收器，同时可以实现可调谐的平顶陡边的解复用接收器。
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公开(公告)号：CN103378209A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201210147762.5
申请日：2012-05-11
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/11 , H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种混合集成光探测器及其制备方法，涉及光通信领域。所述混合集成光探测器包括：键合在一起的介质膜型滤波器和InGaAs光电二极管；所述介质膜型滤波器包括衬底，以及设置在衬底正面的介质膜层和设置在所述衬底背面的减反射膜；所述衬底采用Si、InP或者GaAs；所述介质膜层为垂直多腔结构。所述混合集成光探测器及其制备方法，采用Si、InP或者GaAs作为衬底，有利于与其他有源或无源光器件进行集成；采用InGaAs光电二极管与介质膜型滤波器键合在一起，使所述混合集成光探测器具有更好的平顶陡边窄带频谱响应，提高了通带效果，可用于信道间隔为100GHz的密集波分复用接收的应用，降低了通信成本。
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