公开(公告)号：CN116885029A

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202311132320.8

申请日：2023-09-05

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 郭霞 ,  张世凤 ,  任艳玲 ,  李少斌 ,  刘巧莉 ,  胡安琪

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种高效率PIN光电探测器及其制备方法，高效率PIN光电探测器包括：衬底，包括光吸收层、第一欧姆接触层和第二欧姆接触层，第一欧姆接触层的至少部分结构位于光吸收层内，第二欧姆接触层形成于光吸收层的第二表面，并与第一欧姆接触层间隔开，第一欧姆接触层和第二欧姆接触层的掺杂类型相反；增透层，形成于衬底的第一表面；界面态钝化层，由衬底和增透层形成的界面态沿水平方向的至少部分结构掺杂形成，界面态钝化层与第二欧姆接触层的掺杂类型相同；第一欧姆接触电极，与第一欧姆接触层连接，并与增透层同层布置；第二欧姆接触电极，与第二欧姆接触层连接。根据本发明的高效率PIN光电探测器，可以提高器件的量子效率。

公开(公告)号：CN115084307A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210989618.X

申请日：2022-08-18

Applicant: 北京邮电大学 ,  无锡中微晶园电子有限公司 ,  北京中盾安民分析技术有限公司

Inventor： 郭霞 ,  刘巧莉 ,  胡安琪 ,  张世凤 ,  许莉 ,  任艳玲 ,  蔡子昱 ,  王涛 ,  张明 ,  陈力 ,  廖建新

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种抗辐照加固单光子探测器及其制备方法，抗辐照加固单光子探测器包括衬底、钝化层、雪崩层、补偿层、第一欧姆接触复合层和第二欧姆接触复合层；第二欧姆接触复合层、衬底和钝化层依次层叠设置，第一欧姆接触复合层包括第一接触电极和第一欧姆接触层，雪崩层和第一欧姆接触层均位于衬底内，雪崩层与第一欧姆接触层朝向第二欧姆接触复合层的一面连接；第一接触电极与钝化层同层设置，且第一接触电极与第一欧姆接触层连接；补偿层位于衬底内，补偿层背离第二欧姆接触复合层的一面与钝化层接触，补偿层用于预补偿辐照损伤在衬底中感应的电荷。本发明的抗辐照加固单光子探测器结构简单、抗辐照损伤效果明显。

公开(公告)号：CN113284963B

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202110438832.1

申请日：2021-04-22

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 胡成日 ,  陈年域 ,  王博 ,  刘巧莉 ,  胡安琪 ,  郭霞

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18

Abstract: 本申请实施例提供一种叉指型导模光电探测器。其中，探测器包括光波导结构，包括芯层和包裹芯层的包层，芯层沿第一方向延伸预设距离，芯层的第一端用于接收目标入射光；多个P型欧姆接触区和多个N型欧姆接触区，为芯层顶部的掺杂部分，均沿垂直于第一方向的第二方向延伸，且沿第一方向交替排列；以及，P型和N型电极，沿第一方向延伸；P型电极设有并列的多个第一枝节，每一个第一枝节与一个P型欧姆接触区贴合；N型电极设有并列的多个第二枝节，每一个第二枝节与一个N型欧姆接触区贴合。通过本方案可以解决现有光电探测器对波长接近光电探测器半导体材料禁带宽度的目标入射光的探测效率低的问题。

公开(公告)号：CN113284964A

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN202110438858.6

申请日：2021-04-22

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 胡成日 ,  陈年域 ,  王博 ,  刘巧莉 ,  胡安琪 ,  郭霞

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18

Abstract: 本申请实施例提供一种导模光电探测器。其中，导模光电探测器包括：光波导结构，包括芯层和包裹芯层的包层，芯层延第一方向延伸预设距离，芯层的第一端用于接收目标入射光；目标入射光进入光波导结构后以导模光的形式沿第一方向传播；P型欧姆接触区和N型欧姆接触区，为芯层两侧的掺杂部分，均沿第一方向延伸；以及，P型电极和N型电极，沿第一方向延伸，并且P型电极与P型欧姆接触区的侧面贴合，N型电极与N型欧姆接触区的侧面贴合，用于收集目标入射光与芯层相互作用所产生的光生载流子。通过本方案可以解决现有光电探测器对波长接近光电探测器半导体材料禁带宽度的目标入射光的探测效率低的问题。