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公开(公告)号：CN113549867A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110780775.5
申请日：2021-07-09
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种大冷量传输全碳柔性冷链结构的制备方法，属于新型导热材料制备技术领域。一种大冷量传输全碳柔性冷链结构，是中间为高导热柔性石墨膜，两端为CVD金刚石厚膜焊接而成的高导热柔性导热体。其工艺步骤为：1)裁剪高导热石墨膜；2)石墨膜通过表面金属离子注入与镀膜的方式实现金属化；3)将金属化后的石墨膜边缘通过热压扩散焊的方式焊接，形成石墨膜导热带；4)将高导热CVD金刚石厚膜进行研磨或抛光；5)根据石墨膜导热带宽度，在CVD金刚石厚膜表面加工相应尺寸的嵌入型沉槽结构；6)对表面加工后的CVD金刚石厚膜进行金属化后成为金刚石端头；7)将热压扩散焊焊接后的石墨膜导热带边缘置于CVD金刚石厚膜端头沉槽中，与金刚石间通过真空钎焊实现低热阻连接。
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公开(公告)号：CN113481595A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110634248.3
申请日：2021-06-07
Applicant: 北京科技大学
IPC: C30B29/04 , C23C16/27 , C23C16/511 , C30B25/00 , C30B28/14
Abstract: 一种M形同轴天线915MHz微波等离子体化学气相沉积装置。包括微波入口、上圆柱谐振腔、真空石英环、M形同轴天线、下圆柱谐振腔、测温窗口、第二调谐结构、排气口、第一调谐结构、沉积台、衬底、等离子体区、进气口、偏压电极。M形同轴天线的M形顶角对微波具有强汇聚作用，可提高微波耦合效率，并强化电场和等离子体强度。真空石英环置于M形同轴天线顶部。M形同轴天线底部中心放置偏压电极，偏压电极无需从M形同轴天线底部进一步突出就可形成强偏压电场，避免偏压电极伸出影响微波耦合；沉积台、第一调谐结构、第二调谐结构均可上下运动，调谐电场和等离子体。本装置主要用于制备单晶金刚石和多晶金刚石膜，可实现高功率、高或低腔压下单一等离子体高效沉积。
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公开(公告)号：CN112941623A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110108188.1
申请日：2021-01-27
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种高功率远红外金刚石激光单晶复合材料制备方法，属于金刚石激光晶体材料领域。首先采用微波等离子体化学气相沉积(CVD)制备(100)金刚石单晶膜；随后经过激光平整化、抛光、酸洗以及丙酮和酒精清洗后获得热导率≥2000w/(m·K)、远红外波段(8～12μm)红外透过率为71％金刚石单晶膜；再通过磁控溅射方法在双面抛光金刚石单晶膜单面沉积1‑2nm厚(100)铟(In)层作为晶格失配缓冲层；最后在铟(In)层表面异质外延生长(100)硒铟镓银(AgGa1‑xInxSe2)非线性晶体材料，进而获得单晶硒铟镓银(AgGa1‑xInxSe2)/铟(In)/金刚石激光单晶复合材料。本发明金刚石激光单晶复合材料导热系数高、远红外激光输出功率大，特别适用于远红外固体激光器、光通讯等领域的应用需求。
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公开(公告)号：CN111232972A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010193984.5
申请日：2020-03-19
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种高性能硼掺杂金刚石纳米线的制备方法，属于半导体材料领域。步骤如下：a.利用高本底真空微波等离子体化学气相沉积装置，通过等离子体中引入低浓度硼源实现金刚石膜P型半导体的生长；b.制备态硼掺杂金刚石膜经精细研磨获得低于500nm粗糙度的表面；c.使用电感耦合等离子氧等离子体和氯等离子体对研磨后的金刚石膜进行无掩模刻蚀，制备出硼掺杂金刚石纳米线阵列；d.采用氢等离子体刻蚀处理的方式进行氢化，使硼掺杂金刚石纳米线阵列表面导电；e.对硼掺杂金刚石纳米线阵列进行超声分散并使单根金刚石纳米线吸附在绝缘衬底上，实现单根硼掺杂金刚石纳米线的制备。本发明通过电感耦合等离子体刻蚀制备了金刚石纳米线，提高了比表面积和载流子浓度，提升了金刚石导电性。
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公开(公告)号：CN107204282A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201710491945.1
申请日：2017-06-26
Applicant: 北京科技大学
CPC classification number: H01L21/187 , H01L21/7806
Abstract: 本发明是基于GaN原始衬底去除生长金刚石的一种方法，属于半导体工艺技术领域，通过非自支撑氮化镓对粘及粘结剂中加入低热膨胀系数、高热导率材料，以CVD法在氮化镓上沉积金刚石膜，实现金刚石基氮化镓晶片。其步骤如下：1)非自支撑的GaN晶片清洗；2)将两个GaN面旋涂高温粘结剂对粘，粘结剂添加填充材料；3)固化粘结剂；4)用湿法刻蚀和ICP选择性刻蚀GaN原衬底；5)在暴露的GaN表面沉积介电层，然后将晶片在金刚石乙醇悬浮液中超声处理；6)将处理后的晶片沉积金刚石膜；7)刻蚀另一面衬底并沉积介电层和金刚石薄膜；8)双面沉积金刚石的晶片去除粘结剂。与传统的键合方法相比，可以更高效快捷得到低界面热阻的金刚石基GaN复合晶片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113549867B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202110780775.5
申请日：2021-07-09
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种大冷量传输全碳柔性冷链结构的制备方法，属于新型导热材料制备技术领域。一种大冷量传输全碳柔性冷链结构，是中间为高导热柔性石墨膜，两端为CVD金刚石厚膜焊接而成的高导热柔性导热体。其工艺步骤为：1)裁剪高导热石墨膜；2)石墨膜通过表面金属离子注入与镀膜的方式实现金属化；3)将金属化后的石墨膜边缘通过热压扩散焊的方式焊接，形成石墨膜导热带；4)将高导热CVD金刚石厚膜进行研磨或抛光；5)根据石墨膜导热带宽度，在CVD金刚石厚膜表面加工相应尺寸的嵌入型沉槽结构；6)对表面加工后的CVD金刚石厚膜进行金属化后成为金刚石端头；7)将热压扩散焊焊接后的石墨膜导热带边缘置于CVD金刚石厚膜端头沉槽中，与金刚石间通过真空钎焊实现低热阻连接。
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公开(公告)号：CN111517305A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010271353.0
申请日：2020-04-08
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01B32/184 , C01B32/28 , C01B32/25 , H01L29/161
Abstract: 一种高载流子浓度的石墨烯/金刚石复合结构制备方法，属于宽禁带半导体材料技术领域。主要步骤为1)对单晶金刚石进行抛光酸洗；2)在单晶金刚石表面镀覆一层厚度为10‑50nm的镍、铜、铬或铜镍合金；3)采用直流喷射等离子体电弧炉对表面镀镍、铜、铬或铜镍合金单晶金刚石进行快速热处理；4)将快速热处理后的镀镍、铜、铬或铜镍合金单晶金刚石放置于稀酸中浸泡直至金属镍完全溶解，即得到所述石墨烯/金刚石复合结构。本发明采用直流喷射等离子体电弧炉替代普通管式炉，解决了现有技术中升温速率慢，所得石墨烯缺陷多，导电性差等技术问题。本发明中石墨烯/金刚石复合结构缺陷少，质量高，表面载流子浓度高，导电性好，有望满足高频高功率金刚石电子器件的应用。
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公开(公告)号：CN107204282B
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201710491945.1
申请日：2017-06-26
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明是基于GaN原始衬底去除生长金刚石的一种方法，属于半导体工艺技术领域，通过非自支撑氮化镓对粘及粘结剂中加入低热膨胀系数、高热导率材料，以CVD法在氮化镓上沉积金刚石膜，实现金刚石基氮化镓晶片。其步骤如下：1)非自支撑的GaN晶片清洗；2)将两个GaN面旋涂高温粘结剂对粘，粘结剂添加填充材料；3)固化粘结剂；4)用湿法刻蚀和ICP选择性刻蚀GaN原衬底；5)在暴露的GaN表面沉积介电层，然后将晶片在金刚石乙醇悬浮液中超声处理；6)将处理后的晶片沉积金刚石膜；7)刻蚀另一面衬底并沉积介电层和金刚石薄膜；8)双面沉积金刚石的晶片去除粘结剂。与传统的键合方法相比，可以更高效快捷得到低界面热阻的金刚石基GaN复合晶片。
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公开(公告)号：CN208869656U
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201821600119.2
申请日：2018-09-29
Applicant: 北京科技大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/503 , C23C16/448
Abstract: 一种制备高质量金刚石的气体循环系统，属于材料制备领域。气体循环系统包括直流喷射等离子体化学气相沉积系统、气体供给系统、尾气循环系统、气体纯化系统。气体供给系统为两台直流喷射等离子体化学气相沉积装置提供原料气。尾气循环系统可将沉积系统中的尾气抽出，并供给到由氢气提纯仪组成的气体纯化系统，尾气经过提纯之后分离出高纯氢气和含氩、碳元素的混合气，其中高纯氢气供给回沉积装置，含氩、碳尾气作为原料气供给到其中一台沉积装置中沉积热沉级金刚石，另一台沉积装置可以实现高纯气体的供给，沉积光学级金刚石膜。通过上述过程，实现高纯氢气的循环使用，既可满足高质量金刚石膜的制备需求，也可降低制备成本。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN205529028U
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201620077526.4
申请日：2016-01-26
Applicant: 北京科技大学
IPC: C23C16/44
Abstract: 本实用新型公开了一种用于微波等离子体化学气相沉积装置的石英钟罩，所述石英钟罩，为下端圆柱形筒，上端为带有多个石英圆环的半球形封口；所述石英圆环呈水平阵列分布于半球形封口的中下部，且石英圆环的外径与圆柱形筒的外径相同，在外加风冷的条件下，该石英圆环起到增加散热的作用。应用本实用新型在微波等离子体化学气相沉积的过程中，能有效提高石英钟罩的散热能力，降低石英钟罩的温度，减缓活性基团在半球形封口内表面上的沉积，降低沉积物对等离子体放电的影响及对试样污染的倾向，有时降低石英钟罩温度，也会减轻等离子体对石英钟罩的刻蚀，采用本实用新型可适当提高输入的微波功率，提高试样的沉积速率和质量。
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