公开(公告)号：CN102075188B

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201010624156.9

申请日：2010-12-31

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所

Inventor： 王立果 ,  王宗民 ,  孔瀛 ,  管海涛 ,  彭新芒

IPC: G06F7/00 ,  H03M1/10

Abstract: 本发明公开了一种DAC数字静态校准电路，可在电流型DAC中对MSB电流源和LSB总电流源进行校准，所述校准电路在外部信号的控制下，分别工作于校准模式和输出模式，包括地址发生器、开关阵列、逐次逼近逻辑模块、校准DAC阵列、存储器、比较器和整体电流增益模块，所述整体电流增益模块包括用于调整整体电流的电流源阵列、二选一、满量程调节电阻，放大器。采用本电路克服了电流型数模转化器精度受限的困难，实现了DAC高静态线性度，提高了电流型数模转换器的精度。

公开(公告)号：CN101752420A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910242495.8

申请日：2009-12-15

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所

Inventor： 王宗民 ,  刘福海 ,  孔瀛 ,  张铁良 ,  赵耀华 ,  管海涛 ,  周亮

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L27/088

Abstract: 本发明涉及一种总剂量辐射加固工形栅版图结构，包括有源区、有源区之外的场氧区，以及和有源区相交叠的工形栅，在有源区上和工形栅没有交叠的部分划分为矩形的源区、漏区，本发明将栅氧化层设置在工形栅与有源区相交叠的全部区域的工形栅层下，不仅包括源区与漏区之间的a区域，而且包括源区与漏区上部和下部的b区域，b区域的形成推离了源区、漏区和场氧区之间的距离，避离了场区，切断了场氧区边缘辐射寄生沟道与源区、漏区之间的通路，更好解决由电离辐射总剂量效应引起的寄生漏电问题，提高电路的抗电离辐射能力，而且减小了芯片版图面积，可应用于大规模集成电路系统中。