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公开(公告)号：CN104392945A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410602373.6
申请日：2014-10-31
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/66 , H01L21/205 , H01L21/336
CPC classification number: H01L22/14 , H01L21/02527 , H01L21/0262 , H01L29/66477
Abstract: 一种基于场效应估算CVD方法生长在铜箔上的石墨烯迁移率的方法，属于半导体技术领域。通过测量以石墨烯为沟道的背栅场效应晶体管中源漏电流随栅压的变化，来估算石墨烯的迁移率，石墨烯的转移过程在制作电极之后，不仅避免了制作电极对石墨烯的损伤，同时也避免了光刻过程中光刻胶对石墨烯的影响，石墨烯转移之后不需要进行光刻，不仅简化了一步工艺步骤，降低了成本，而且也避免了光刻对石墨烯的影响。
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公开(公告)号：CN102636261B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201210130399.6
申请日：2012-04-27
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01J1/42
Abstract: 本发明用于半导体光电子信息技术领域，具体涉及一种基于微动元调制GaN？HEMT沟道电流的红外探测器。其特征在于：所述探测器的结构依次包括：GaN/AlGaN？HEMT器件，微动元件，光波吸收辅助层，充气腔，衬底，吸收光波气体，窗口层；微动元件与HEMT沟道连接，充气腔内的吸收光波气体和光波吸收辅助层吸收光波后，发生形变，推动微动元件位移，微动元件的位移诱导GaN？HEMT沟道电流变化，使光波信号转变成电信号被探测。本发明实现GaN基力-电耦合红外探测器的高灵敏性和高可靠性。
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公开(公告)号：CN102997196A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210342023.1
申请日：2012-09-14
Applicant: 北京工业大学
IPC: F21V23/00 , H05B37/02 , F21Y101/02
Abstract: 具有整体供电方式的LED灯具，属于LED照明领域。其包括可提供恒定电流的驱动电源，灯具支架，托盘，灯罩，灯头，直流LED光源。通过导线将所有LED发光源以串联或串并联的方式连接起来。本发明提供的集成高效节能LED灯具，可减少驱动电源使用个数，降低驱动电源的电压转换幅度，减少能量损耗，提高灯具的可靠性，大幅度降低了成本。
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公开(公告)号：CN102868091A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210338837.8
申请日：2012-09-13
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种应用石墨烯表面电流扩展层的大功率面发射激光器，属于半导体光电子技术领域。包括下电极10，N型衬底2，N型分布布拉格反射镜31，有源层4，电流限制层5，P型分布布拉格反射镜32，欧姆接触层6，石墨烯电流扩展层7，上电极11。利用石墨烯薄膜的高导电性，良好的透光率及导热性来用作顶发射型垂直腔面发射激光器的表面电流扩展层，提高大功率垂直腔面发射激光器性能。解决之前电流扩展差，电流注入拥挤的问题。而石墨烯在紫外和近红外区透光率远高于常用的氧化铟锡透明导电膜（ITO），其纳米级的厚度也不会给器件带来有关光干涉的影响。
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公开(公告)号：CN102820315A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210297385.3
申请日：2012-08-20
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种直接发光型微显示阵列器件及其制备方法，所述显示阵列包括衬底外延片、半导体矩阵隔离区、电子型导电层、发光层、空穴型导电层、电子型导电电极、空穴型导电电极、隔离保护层、阳极线、阴极线。所述方法采用干法刻蚀外延层得到电子型导电层，形成多个矩阵单元；采用离子注入电子型导电层，直至衬底，实现相邻单元的隔离，获得半导体矩阵隔离区；电子束蒸发金属形成电子型导电电极，引出阴极线；用PECVD淀积隔离保护层；电子束蒸发金属形成空穴型导电电极，引出阳极线；阳极线与阴极线的在空间上交叉的区域即为显示像素。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102709423A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210150253.8
申请日：2012-05-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L33/14
Abstract: 一种具有电荷输运限制的高压发光二极管及其制备工艺，属于半导体光电子器件领域。其高压发光二极管的主要结构依次包括：电极、接触层、有源区、隔离槽、未掺杂电流限制层、反型防护层组成的LED结构。该结构是：利用ICP刻蚀隔离槽的方法，将LED独立绝缘开来，通过第二接触层、未掺杂电流限制层、反型防护层形成载流子输运限制结构，限制其在工作时处于反向状态，最后溅射金属进行串联，形成发光二极管阵列。本发明取代原有的刻蚀至衬底的方法，大大降低了隔离槽的深度，解决了绝缘层良好包覆在隔离槽侧壁的问题，使器件的制备不必采用深刻蚀工艺。同时该结构对器件提供静电保护，提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN1945862A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200610114080.9
申请日：2006-10-27
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 高提取效率的半导体发光二极管结构及其制备方法属于光电子器件制造技术领域，适合于多种波长的半导体LED。现有LED虽然内量子效率高，但是外量子效率很低，只有很少的一部分光子能够从LED出射。本发明提出在LED外延片上生长ITO透明导电膜与SixNy介质膜组成的复合增透膜结构，ITO透明导电膜的光学厚度为二分之一LED发射波长的整数倍，SixNy介质膜的光学厚度为四分之一LED发射波长的奇数倍，SixNy介质膜的折射率是LED外延片最上层半导体材料的折射率的开方。这种设计能够在实现好的电流扩展的同时，将界面反射率降到最低来实现最佳增透作用，极大的提高外量子效率，使得光强增加了130％以上。
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公开(公告)号：CN1812146A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200510132116.1
申请日：2005-12-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明属于光电子器件领域。传统结构光提取效率低，热可靠性差，绝缘层一次生长完成，易造成PN结漏电。结构包括：P电极加厚电极(1)，高反镜保护层(2)，金属高反镜(3)，N电极(4)，N型半导体(5)，多量子阱有源区MQW(6)，P型半导体(7)，P电极欧姆接触层(8)，N电极加厚电极(9)，衬底(10)；由P型半导体，多量子阱有源区MQW，N型半导体构成LED台；其特征在于：LED台侧壁上有透明绝缘层(11)；台上表面小于下表面面积；LED台侧壁与竖直面成锐角；金属高反镜覆盖在P电极欧姆接触层上，并延展覆盖在透明绝缘层上，但不与N电极接触；金属高反镜、透明绝缘层和LED台三者折射率大小排列为高低高。本发明解决了LED侧面出光，不能有效提取器件所发出的光问题，防止PN结氧化。
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公开(公告)号：CN1622353A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN200410101246.4
申请日：2004-12-17
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明的低接触电阻、低光吸收、全角高反射的LED电极属于光电子器件制造技术领域。该电极的结构为：第一层是掺杂的半导体层基底(1)；第二层是位于半导体基底上的欧姆接触层(8)；第三层是在欧姆接触层上的一层银高反镜(3)；第四层是在银高反镜上的一层保护层(4)，其特征在于：所述的欧姆接触层(8)上带有贯通的圆形微孔(10)，圆形微孔(10)内镀了透明膜(9)。透明膜的最佳光学厚度为器件发光波长的四分之一，透明膜(9)的折射率小于半导体基底(8)和银高反镜(3)的复折射率，形成了折射率高低高的结构。本发明的LED电极达到了接触电阻低、光吸收少，同时又提高了热可靠性的效果。
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公开(公告)号：CN1622352A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN200410101245.X
申请日：2004-12-17
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种GaN基LED高反电极，属于光电子器件制造技术领域。该电极的结构从下到上包括掺杂Mg的、器件发出的光从该层到达高反电极层，然后经电极反射再从该层返回器件内部的半导体GaN基底层(1)，欧姆接触层(6)，高反镜(3)，保护层(4)；其特征在于：所述的欧姆接触层(6)是位于基底层(1)与高反镜(3)之间的与基底直接接触的Ni和Mg金属固熔体层，在Ni和Mg金属固熔体层与高反镜之间是金属Pa层(7)。在电极保护层与高反镜之间有连接层Ti层(8)。该电极实现了接触电阻低，光吸收小，光的输出功率和热可靠性提高的效果，且制作简单。
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