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公开(公告)号：CN204714947U
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201520345520.6
申请日：2015-05-26
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本实用新型公开了一种通过温场调控溶液流向的氮化物单晶生长装置，包括反应釜，该反应釜内填充有反应物溶液，反应釜内设有晶种模板，所反应釜侧壁周围设有第一加热装置，反应釜底面外表面设有第二加热装置，反应釜内设有位于反应物溶液的液面上方的第三加热装置，第一加热装置的加热温度高于第二加热装置和第三加热装置的加热温度，第二加热装置的加热温度和第三加热装置的加热温度相异。本实用新型通过不同加热装置实现温度控制，使得反应釜内的反应物溶液形成有序的对流，使对流的中心点集中在晶种模板上，有效增加了晶体生长所需的N浓度。解决热对流无序引起的晶体生长不均匀及晶体质量差等问题，提高晶体质量且显著增大晶体生长速度。
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公开(公告)号：CN206512322U
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201621329743.4
申请日：2016-12-06
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本实用新型公开了一种光作用的晶体生长装置，包括反应釜、坩埚和加热器，坩埚设在反应釜内，加热器设在坩埚侧面，所述反应釜上设有调节阀，反应釜上设有延伸至坩埚内的光传输通道，该光传输通道与光源连接使光源发出的光线经光传输通道射入坩埚内，光传输通道的下端位于坩埚内的溶液液面的上方或内部，并且坩埚内还设有用于驱动流体流动的叶片，坩埚底面设有旋转支撑杆。本实用新型通过引入光作用，依靠照射Ga‑Na熔体及加速气体电离的光能量，有效地提高了GaN晶体生长速率。
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公开(公告)号：CN204939659U
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201520648634.8
申请日：2015-08-26
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本实用新型公开了一种生长Ⅲ族氮化物晶体的装置，包括反应釜，所述反应釜内设有至少两个由上往下分布的坩埚，坩埚内底部设有晶种模板，位于反应釜最下部的坩埚通过环流通道与位于反应釜最上部的坩埚相连通，环流通道内设有溶液驱动器，上下分布的相邻的两个坩埚通过连通管相互连通，上方坩埚的连通管延伸至下方坩埚的内部，环流通道设置在反应釜内部或者反应釜外部。本实用新型通过设置多个垂直方向上布局和驱动环流的坩埚，各坩埚内气液界面高N浓度生长溶液向底部的晶种模版附近移动，从而促进氮化物单晶的生长。
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