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公开(公告)号：CN117954331A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410353818.5
申请日：2024-03-27
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L21/48 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/683 , C23C16/27 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种金刚石复合散热基板的制备方法及金刚石复合散热基板，包括以下步骤：S1、取异质衬底，活化异质衬底抛光面，在异质衬底抛光面旋涂纳米金刚石分散液并甩干；S2、用CVD金刚石生长设备在异质衬底的抛光面上生长多晶金刚石膜；S3、将多晶金刚石膜进行剥离；S4、在导热基片上涂覆纳米浆料，然后将多晶金刚石膜的生长面粘贴在纳米浆料；S5、粘贴有多晶金刚石膜的导热基片进行热压烧结，形成金刚石复合散热基板。上述制备方法中，复合异质衬底的多晶金刚石膜成核面不需要抛光即可达到纳米级粗糙度，方便与器件的结合。其次，使用超薄的多晶金刚石膜与导热基片进行结合，可以在导热效果与制造成本方面获得高的性价比。
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公开(公告)号：CN117431061A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202210835536.X
申请日：2022-07-15
Applicant: 港大科桥有限公司 , 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明提供一种基于金刚石微粒的物理不可克隆功能材料及其制备方法和应用，其包括：单晶硅衬底和在其上通过化学气相沉积法生长的具有硅空位色心的金刚石微粒，其中所述化学气相沉积法采用盐辅助空气氧化处理过的纳米金刚石作为化学气相沉积晶种。硅衬底上金刚石微粒的制备是随机(非确定性)过程，这是制造物理不可克隆功能标签的关键要求。本发明利用金刚石微粒的散射光谱及其形貌特征和空间位置关系作为金刚石物理不可克隆功能材料的指纹信息。由于金刚石材料的极耐热、机械、化学和光稳定性，本发明的高鲁棒性标签可以满足各种环境中许多实际应用的要求，在电子元件、医药包装、车辆、奢侈品等巨大的防伪市场中具有现实的商业价值。
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公开(公告)号：CN114059159A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111371322.3
申请日：2021-11-18
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明提供一种金刚石的生长方法，采用凝聚态碳源代替气态碳源，除了提供初始条件外，在金刚石生长过程中不需要再通入工艺气体，只需要激发凝聚态碳源形成适合金刚石生长的等离子体区域；激发态的碳源在预先放置的诱导晶种上沉积并同质外延生长金刚石。该方法拓展碳源取材范围，节约能源，避免工艺气体的浪费，便于金刚石的连续生长。
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公开(公告)号：CN113584580A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110895167.9
申请日：2021-08-05
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C30B25/02 , C30B25/08 , C30B25/12 , C30B29/04 , C23C16/458 , C23C16/511
Abstract: 本发明涉及晶体合成技术领域，尤指一种金刚石圆片径向生长方法及装置，该包括升降式旋转支架和晶圆夹持单元；升降式旋转支架包括升降杆装置、横架、距离调整组件、旋转驱动组件和至少两组平行设置的旋转轴；而该生长方法通过晶圆夹持单元将多片金刚石圆片同轴夹持成柱状，然后安置在升降式旋转支架，升降式旋转支架带动金刚石圆片转动、升降及间隙控制作用下，金刚石圆片侧面暴露在工艺气体激发后的等离子体中，使得金刚石圆片只沿着侧面径向旋转生长，从而生长出大直径金刚石圆片，通过晶圆夹持单元保持金刚石圆片的厚度，通过旋转轴的研磨保持金刚石圆片的圆度。
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公开(公告)号：CN104355420A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410621924.3
申请日：2014-11-07
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
CPC classification number: Y02W10/15 , Y02W10/37 , C02F7/00 , A01K63/042 , C02F3/02 , C02F2103/00 , C02F2201/46165
Abstract: 本发明提供一种太阳能曝气装置，包括接收太阳能发出直流电的太阳能电池组件、启动直流气泵的控制器、将空气打入曝气管的直流气泵和用于将太阳能电池组件浮在水面的浮子，所述太阳能电池组件、控制器和直流气泵依次连接并安装在浮子上面，所述直流气泵连通曝气管用于将空气打入曝气管，所述曝气管至少有部分位于水面以下。本发明不使用蓄电池，而是让电池组件发出的直流电通过控制器直接驱动直流气泵，部分气体以压缩空气的形式储存在浮子中，以储气代替储电，在增加了系统的效率的同时，还降低了系统成本，减少了对环境的二次污染。
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公开(公告)号：CN119465395A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202310990328.1
申请日：2023-08-08
Applicant: 香港大学 , 北京大学东莞光电研究院 , 南方科技大学
Abstract: 本发明提供一种规模化制造超平多晶金刚石膜的方法，包括：(1)采用化学气相沉积法在表面具有金刚石晶种的生长衬底上生长一层多晶金刚石膜；(2)将生长后的衬底裁剪下至少一部分，形成多晶金刚石膜与生长衬底接合的分界线；(3)粘贴剥离胶带；(4)拉动剥离胶带将多晶金刚石膜从生长衬底表面剥离下来，以使多晶金刚石膜的成核表面暴露，其中，暴露后的成核表面的粗糙度小于生长表面的粗糙度。本发明通过将生长的多晶金刚石膜的成核表面翻转过来，开发了一种新颖而简便的方法来制造价格合理、可规模化生长、超平坦且可转移的多晶金刚石膜，在实际应用中具有巨大潜力。
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公开(公告)号：CN117604636A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311471457.6
申请日：2023-11-06
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开一种大尺寸单晶金刚石的制备方法，包括：在异质衬底表面外延生长高取向的多晶金刚石外延层，除去异质衬底得到自支持高取向的多晶金刚石薄片；对多晶金刚石薄片的成核面抛磨找平，再沿着标记方向对多晶金刚石薄片的生长面做直线单向或往复研磨与抛光；在处理后的多晶金刚石薄片的生长面继续外延生长高取向的多晶金刚石外延层，再次对多晶金刚石薄片的成核面抛磨找平和沿着标记方向对多晶金刚石薄片的生长面做直线单向或直线往复研磨与抛光，重复此步骤直至得到单晶金刚石薄片。本发明先在异质衬底上生长多晶金刚石，然后从多晶金刚石逐步过渡为单晶金刚石，降低了对设备、技术及原材料的要求，便于规模化生长大尺寸单晶金刚石。
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公开(公告)号：CN113584580B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202110895167.9
申请日：2021-08-05
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C30B25/02 , C30B25/08 , C30B25/12 , C30B29/04 , C23C16/458 , C23C16/511
Abstract: 本发明涉及晶体合成技术领域，尤指一种金刚石圆片径向生长方法及装置，该包括升降式旋转支架和晶圆夹持单元；升降式旋转支架包括升降杆装置、横架、距离调整组件、旋转驱动组件和至少两组平行设置的旋转轴；而该生长方法通过晶圆夹持单元将多片金刚石圆片同轴夹持成柱状，然后安置在升降式旋转支架，升降式旋转支架带动金刚石圆片转动、升降及间隙控制作用下，金刚石圆片侧面暴露在工艺气体激发后的等离子体中，使得金刚石圆片只沿着侧面径向旋转生长，从而生长出大直径金刚石圆片，通过晶圆夹持单元保持金刚石圆片的厚度，通过旋转轴的研磨保持金刚石圆片的圆度。
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公开(公告)号：CN114318307A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111633018.1
申请日：2021-12-28
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C23C16/511 , C23C16/50 , C23C16/27 , C23C16/46 , C23C16/458 , C23C16/54
Abstract: 本申请公开了一种微波等离子金刚石生长设备及应用方法，包括微波源，所述微波源通过波导连接有谐振腔，所述谐振腔的内腔中安装有基片台结构；本申请相对于现有的MPCVD金刚石沉积设备，本申请采用多面基片台包围谐振腔的设计，各基片台全方位吸收等离子体能量同时沉积生长金刚石膜，大大提高设备的能效。
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公开(公告)号：CN109887951A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910157608.8
申请日：2019-03-01
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L27/28
Abstract: 本发明涉及一种集成太阳能电池功能的显示屏幕结构、显示装置及制备方法，其中，集成太阳能电池功能的显示屏幕结构包括用于吸收第一方向偏振光的透明太阳能电池单元和用于发出第二方向偏振光的显示单元，透明太阳能电池单元设于显示单元上方、且第一方向和第二方向相互垂直，与现有的显示屏幕结构相比，本发明的显示屏幕结构的透明太阳能电池单元吸收的光的偏振方向与显示单元发出的光的偏振方向相互垂直，显示单元发出的光可近乎无损耗地通过透明太阳能电池单元，即透明太阳能电池单元不会吸收显示单元所发出的光，因而将透明太阳能电池单元设于显示单元上方，也不会增加显示屏幕的功耗以及不会影响亮度、可视角和响应时间等显示特性。
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