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公开(公告)号：CN105182523A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510612186.0
申请日：2015-09-23
Applicant: 北京大学
CPC classification number: G02B21/0072 , G01N21/6458 , G01N2021/6463 , G02B21/0032 , G02B21/0036 , G02B21/06 , G02B21/36
Abstract: 本发明公开了一种基于一阶贝塞尔光束的STED超分辨显微镜及其调节方法。本发明的STED显微镜包括：激发光光源、损耗光光源、激发光扩束准直系统、损耗光扩束准直系统、螺旋形相位板、贝塞尔光束产生系统、损耗光聚焦透镜、合束系统、物镜、压电扫描系统、滤波片、信号收集系统和单光子探测器；本发明的损耗光为一阶贝塞尔光束，其本身具有抗散射和自愈特性，在样品较深的位置可以保持很好的光斑形貌，从而提高样品深层区域的分辨率；相比于调节物镜校正环来实现STED超分辨显微镜深层成像的方法，本发明实验操作上较为简单，无需主动调节；相比于使用自适应光学系统的方法，本发明实验装置上较为简单且廉价。
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公开(公告)号：CN105140401A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510441660.8
申请日：2015-07-24
Applicant: 北京大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/4253 , H01L51/0002
Abstract: 本发明提供一种基于多孔有机或有机无机杂化骨架支撑的钙钛矿太阳能电池及其制备方法。这种方法是通过将钙钛矿前驱体液渗透、填充于多孔有机或有机无机杂化材料骨架中形成活性吸光层，然后将两个电极直接夹叠在该活性吸光层两侧而制备成钙钛矿太阳能电池。从而实现极大地简化制备工艺、减少制备时间并避免高温烧结的目的。与现有方法相比，本发明可选有机或有机无机杂化材料骨架种类多，器件结构和制备工艺简单，制备成本和时间减少，可采用常温或较低温度的条件，适合柔性太阳能电池的制备以及大规模生产。
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公开(公告)号：CN102881830B
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201210370816.4
申请日：2012-09-28
Applicant: 北京大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种有机太阳能电池及其制备方法。本发明的有机太阳能电池从下至上依次包括：基板、阳极、空穴传输层、光活性层、电子传输层和阴极；其中，空穴传输层为含有巯基基团的有机物与阳极的金属自组装形成的单分子膜，巯基基团为巯基噻吩、巯基苯及二者衍生物中的一种或两种以上。本发明的阳极的材料采用具有高功函数的金属，含巯基基团的有机物在阳极的金属上形成的单分子膜作为空穴传输层，降低器件串联电阻的同时，有效地阻挡电子的通过，其短路电流密度、开路电压、填充因子及光电转换效率有显著提高，并且极大地提高了电池的寿命。
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公开(公告)号：CN103236643B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201310135296.3
申请日：2013-04-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种宽带表面等离激元单向激发器。本发明的宽带表面等离激元单向激发器包括：金属薄膜；以及设置在金属薄膜的表面的第一纳米沟槽和第二纳米沟槽；第一纳米沟槽和第二纳米沟槽的尺寸不同。通过操控两个纳米沟槽激发SPP相对强度和相位差，实现了SPP单向激发，而且通过将两个纳米沟槽的间距降低到激发的表面等离激元的波长的四分之三，使两个纳米沟槽间的干涉效应变得对波长的依赖不敏感，从而实现了带宽达到200nm左右的宽带SPP单向激发器。本发明的SPP单向激发器同时还具有高SPP激发效率、高消光比等高性能，和亚微米的超小尺寸，有利于高度集成，因此在超高集成度SPP光子回路中将获得广泛应用。
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公开(公告)号：CN104614796A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510045015.4
申请日：2015-01-29
Applicant: 北京大学
IPC: G02B5/30
CPC classification number: G02B5/3041 , G02B5/305 , G02B27/283
Abstract: 本发明公开了一种基于双缝干涉的超小宽带偏振分束器。本发明采用介质薄膜覆盖金属双缝结构，当入射光从背面照射金属双缝结构时，每个狭缝都可以激发空气-介质-金属的复合波导支持的TM和TE模式，每个方向波导模式总的场强就是两个狭缝单独激发的模式的相干叠加；由于两个狭缝的宽度不同，相反方向的干涉状态可以反相，因此可以实现波导模式的定向激发；进一步，由于复合波导存在很大的模式色散，因此两个互相垂直的偏振模式可以沿着相反的方向传播，从而实现偏振分束。本发明在金属双缝结构上实现了一个超小的偏振分束器件，双缝干涉可以调控金属纳米结构中的场分布，在纳米等离激元器件中有重要的作用；并且在集成回路中具有重要的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103746078A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201410040145.4
申请日：2014-01-27
Applicant: 北京大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/4293 , H01L51/0014
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法。该钙钛矿太阳能电池包括依次层叠的衬底、透明电极、电子传输层、电子传输-吸光层、吸光层、空穴传输-吸光层、空穴传输层和顶电极，其中：所述吸光层为具有钙钛矿结构的光伏材料吸光层；所述电子传输-吸光层是电子传输材料和钙钛矿结构光伏材料嵌合形成的复合功能层；所述空穴传输-吸光层是空穴传输材料和钙钛矿结构光伏材料嵌合形成的复合功能层。该钙钛矿太阳能电池吸光层的两侧都具有一定的微纳结构，从而与其外侧的传输层之间能够形成材料相互嵌合的复合功能层，大幅提高吸光层与传输层的接触面积，有利于提高激子分离及电荷传输效率，从而抑制光生电子与空穴的复合，改善器件性能。
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公开(公告)号：CN102707342B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201210211252.X
申请日：2012-06-20
Applicant: 北京大学
IPC: G02B3/00
Abstract: 本发明公开了一种集成金属纳米腔的表面等离激元透镜。本发明的表面等离激元透镜包括：衬底、金膜、纳米缝圆环和金属纳米腔；其中，金膜镀在衬底的上表面；纳米缝圆环位于金膜上并穿透金膜；以及金属纳米腔为矩形浅槽，位于纳米缝圆环的中心，从金膜的上表面开始刻到金膜内一定深度但没有刻透。本发明的表面等离激元透镜在金属纳米腔共振的情况下，可以将光场局域到小至6.0×10-3λ02（λ0是入射光的自由空间波长）的一个光斑，同时透镜中心的光强相比无腔的情况增强了5500倍。光源避免了径向偏振光的使用，也不要求光束中心和透镜中心的精确对准，应用范围更大，使用更方便。而且，本发明的表面等离激元透镜便于加工，易于高质量的制备。
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公开(公告)号：CN103236643A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310135296.3
申请日：2013-04-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种宽带表面等离激元单向激发器。本发明的宽带表面等离激元单向激发器包括：金属薄膜；以及设置在金属薄膜的表面的第一纳米沟槽和第二纳米沟槽；第一纳米沟槽和第二纳米沟槽的尺寸不同。通过操控两个纳米沟槽激发SPP相对强度和相位差，实现了SPP单向激发，而且通过将两个纳米沟槽的间距降低到激发的表面等离激元的波长的四分之三，使两个纳米沟槽间的干涉效应变得对波长的依赖不敏感，从而实现了带宽达到200nm左右的宽带SPP单向激发器。本发明的SPP单向激发器同时还具有高SPP激发效率、高消光比等高性能，和亚微米的超小尺寸，有利于高度集成，因此在超高集成度SPP光子回路中将获得广泛应用。
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公开(公告)号：CN102707342A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210211252.X
申请日：2012-06-20
Applicant: 北京大学
IPC: G02B3/00
Abstract: 本发明公开了一种集成金属纳米腔的表面等离激元透镜。本发明的表面等离激元透镜包括：衬底、金膜、纳米缝圆环和金属纳米腔；其中，金膜镀在衬底的上表面；纳米缝圆环位于金膜上并穿透金膜；以及金属纳米腔为矩形浅槽，位于纳米缝圆环的中心，从金膜的上表面开始刻到金膜内一定深度但没有刻透。本发明的表面等离激元透镜在金属纳米腔共振的情况下，可以将光场局域到小至6.0×10-3λ02（λ0是入射光的自由空间波长）的一个光斑，同时透镜中心的光强相比无腔的情况增强了5500倍。光源避免了径向偏振光的使用，也不要求光束中心和透镜中心的精确对准，应用范围更大，使用更方便。而且，本发明的表面等离激元透镜便于加工，易于高质量的制备。
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公开(公告)号：CN101562231B
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200910083709.1
申请日：2009-05-08
Applicant: 北京大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了基于强关联电子体系的有机太阳能电池及其制备方法。该有机太阳能电池包括阳极、空穴缓冲层、光活性层和阴极，其特征在于，在光活性层与阴极之间还包括一层材料为强关联电子体系化合物的电子缓冲层，利用强关联电子体系化合物在电荷注入的情况下可以发生绝缘态-金属转变的特性，提高有机层和无机电极界面处的电子传输能力，从而提高器件的短路电流Isc和功率转换效率PCE，还可以阻挡蒸镀金属阴极时对有机层的损坏，减小器件的缺陷，抑制器件的退化，而且，相比于通用的LiF电子缓冲层，本发明的制作工艺简单方便，容易控制，器件性能也更优良。
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