一种基于纳米线的平面环栅晶体管及其制备方法

    公开(公告)号:CN103872140B

    公开(公告)日:2017-09-29

    申请号:CN201410081196.1

    申请日:2014-03-06

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于纳米线的平面环栅晶体管及其制备方法,其结构为:导电沟道材料是平行于衬底的低阻纳米线;栅介质和栅电极依次沿纳米线径向包围低阻纳米线;源漏电极和栅介质、栅电极在纳米线侧壁处有一定间隙;源漏电极包围低阻纳米线。本发明还公开了上述平面环栅晶体管制备方法,先制备栅电极,然后再制备源漏电极;首先形成栅电极窗口,用原子层淀积方法生长栅介质层及蒸镀栅电极,然后镀金属膜形成源漏电极;低阻接触电阻为对本征或低掺杂纳米线重掺杂或者与金属合金的方法获得。该晶体管结构和制备方法能够制备出沟道较短的器件,并有效减少寄生电容,加强栅级对沟道的调控能力,从而提高器件的性能。

    一种小尺寸超薄阻变存储器及其制备方法

    公开(公告)号:CN104409627A

    公开(公告)日:2015-03-11

    申请号:CN201410597309.3

    申请日:2014-10-30

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种小尺寸超薄阻变存储器及其制备方法,属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)技术领域。该阻变存储器与现有阻变存储器结构的主要区别在于将阻变薄膜局限在隔离层的凹槽中,使阻变薄膜层自然形成V型形状,大大缩小实际器件尺寸和厚度;同时使顶电极在阻变薄膜上自然形成尖峰状结构,以使电场集中,阻变行为可控在尖峰处发生,从而有效提高器件一致性。

    高一致性低功耗阻变存储器及制备方法

    公开(公告)号:CN103606625A

    公开(公告)日:2014-02-26

    申请号:CN201310618361.8

    申请日:2013-11-28

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 一种阻变存储器,其结构自下而上依次包括衬底、绝缘层、底电极、阻变材料薄膜、顶电极,其特征是,所述的阻变材料薄膜为由同种金属氧化物构成四层结构;所述的四层结构自下而上阻值依次提高10倍以上;所述四层结构自下而上氧浓度依次提高,厚度依次减小。本发明通过将同种金属氧化物阻变材料薄膜按不同氧浓度分为四层结构,可实现氧空位通道在各层中的完全通断,从而精确控制阻值,实现高一致性的2-bit存储。另外,通过合理调控4层结构中每层的阻值,即可进行低电流操作,进而实现低功耗。

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