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公开(公告)号:CN110468377B
公开(公告)日:2022-04-22
申请号:CN201810450381.1
申请日:2018-05-11
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司 , 北京大学软件与微电子学院
Abstract: 本发明提供一种腔室及半导体加工设备,在腔室内设置有工艺组件及用于在腔室空闲时烘烤工艺组件的加热装置,还包括温度监控装置,用于监测工艺组件的温度;根据工艺组件的温度,来调节加热装置的输出功率,以将工艺组件的温度维持在目标温度。本发明提供的腔室,其可以避免因工艺组件的温度波动大而造成的颗粒增加,从而可以延长工艺组件清洗周期,提高机台利用率。
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公开(公告)号:CN103872140B
公开(公告)日:2017-09-29
申请号:CN201410081196.1
申请日:2014-03-06
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , B82Y10/00
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米线的平面环栅晶体管及其制备方法,其结构为:导电沟道材料是平行于衬底的低阻纳米线;栅介质和栅电极依次沿纳米线径向包围低阻纳米线;源漏电极和栅介质、栅电极在纳米线侧壁处有一定间隙;源漏电极包围低阻纳米线。本发明还公开了上述平面环栅晶体管制备方法,先制备栅电极,然后再制备源漏电极;首先形成栅电极窗口,用原子层淀积方法生长栅介质层及蒸镀栅电极,然后镀金属膜形成源漏电极;低阻接触电阻为对本征或低掺杂纳米线重掺杂或者与金属合金的方法获得。该晶体管结构和制备方法能够制备出沟道较短的器件,并有效减少寄生电容,加强栅级对沟道的调控能力,从而提高器件的性能。
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公开(公告)号:CN103606625A
公开(公告)日:2014-02-26
申请号:CN201310618361.8
申请日:2013-11-28
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L45/146 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1616 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 一种阻变存储器,其结构自下而上依次包括衬底、绝缘层、底电极、阻变材料薄膜、顶电极,其特征是,所述的阻变材料薄膜为由同种金属氧化物构成四层结构;所述的四层结构自下而上阻值依次提高10倍以上;所述四层结构自下而上氧浓度依次提高,厚度依次减小。本发明通过将同种金属氧化物阻变材料薄膜按不同氧浓度分为四层结构,可实现氧空位通道在各层中的完全通断,从而精确控制阻值,实现高一致性的2-bit存储。另外,通过合理调控4层结构中每层的阻值,即可进行低电流操作,进而实现低功耗。
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公开(公告)号:CN220550060U
公开(公告)日:2024-03-01
申请号:CN202321750218.X
申请日:2023-07-05
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院) , 深圳市环创新途投资咨询合伙企业(有限合伙)
IPC: C02F3/32
Abstract: 本实用新型技术是一种人工湿地出水系统,包括出水调节系统,出水调节系统包括集水管,集水管的一端与人工湿地相连,另一端与出水管相连;出水管,出水管的一端与集水管相连,另一端与出水井相连;出水管上设置出水自动调节阀;出水自动调节阀与控制柜连接;控制柜还连接人工湿地联通的液位计。本实用新型对潜流人工湿地出水水位进行精准调节,同时设置潜流人工湿地出水集水管冲洗装置,有效地解决潜流人工湿地出水水位不能自动调节以及潜流人工湿地集水管容易堵塞的问题。
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