-
公开(公告)号：CN118223130A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410325437.6
申请日：2024-03-21
Applicant: 北京大学
Abstract: 一种金属硫族化合物单晶薄膜及其制备方法，属于材料领域。金属硫族化合物单晶薄膜包括依次堆叠的多层菱方相或六方相金属硫族化合物单晶晶粒，每层金属硫族化合物单晶晶粒单向取向，且任意相邻的两层金属硫族化合物单晶晶粒的单向取向方向平行。通过上述平行堆叠的多层单向相结构相同的金属硫族化合物单晶晶粒互相配合，使得金属硫族化合物单晶薄膜兼顾有均匀性高、质量高、晶圆级、纯相及可控厚度等优势。
-
-
公开(公告)号：CN116623300A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310546574.8
申请日：2023-05-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 一种去除电解铜箔单晶化过程中存在多晶区域的方法，属于金属材料技术领域；方法包括：施加压力使多晶电解铜箔和单晶铜箔或压延铜箔紧密贴合，后进行退火处理，以使所述多晶电解铜箔完全转变为单晶电解铜箔；通过施加压力使多晶电解铜箔和单晶铜箔或压延铜箔紧密贴合，再通过退火处理，可使得多晶电解铜箔完全转变为单晶电解铜箔，进而实现铜箔的性能提升。
-
公开(公告)号：CN115369484A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202111318030.3
申请日：2021-11-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本公开一种渗透生长碳膜的方法，包括如下步骤：S1，提供箔，所述箔选自镍箔或铜镍合金箔并且具有第一表面和第二表面；S2，选用所述箔作为衬底，将其放置于固态碳源上，其中，所述箔的第一表面靠近所述固态碳源，所述箔的第二表面远离所述固态碳源，然后加热箔和固态碳源使得在所述箔的第二表面上渗透生长出碳膜。
-
公开(公告)号：CN113186595B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202110372541.7
申请日：2021-04-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种大尺寸具有层间转角的二维单晶材料叠层的制备方法，涉及转角石墨烯及其它具有特定转角的二维单晶叠层制备方法。其主要特征为将单晶衬底进行堆叠并旋转特定角度，并在其表面外延二维单晶材料，随后将上下层二维单晶材料进行帖合，除去表面一层单晶衬底即可获得具有特定转角的二维单晶叠层。本发明提出的方法，解决了制备转角二维叠层时界面不洁净、叠层尺寸小、操作复杂等问题。通过非常简单的方法，实现了转角可控的大尺寸二维单晶叠层的快速制备。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113655560A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202010397157.8
申请日：2020-05-12
IPC: G02B6/02 , C03C25/223 , C03C25/1065 , C03C25/44 , C03C25/42
Abstract: 提供一种具有石墨烯‑氮化硼异质结构的光纤，包括光纤本体和设置在所述光纤本体表面的石墨烯薄膜和氮化硼薄膜，所述石墨烯薄膜和所述氮化硼薄膜层叠构成异质结构。还提供该光纤的制备方法。本发明的具有石墨烯‑氮化硼异质结构的光纤，相对于单纯的石墨烯光纤而言，可以增加光和石墨烯的相互作用，在非线性锁模激光器、波长转换器、光频梳等方面具有广阔的应用前景。通过化学气相沉积法制备具有石墨烯‑氮化硼异质结构的光纤步骤简单，生长工艺可控性强，重复性高，石墨烯‑氮化硼异质结构薄膜质量高，可实现同一批次多根光纤批量生长。
-
公开(公告)号：CN113122236A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202010045511.0
申请日：2020-01-16
Applicant: 北京大学
IPC: C09K11/02 , C09K11/88 , C01G39/06 , C01G41/00 , C01B21/064 , B82Y30/00 , C01B19/04 , C01B19/00 , C01G11/02 , C01G9/08
Abstract: 本发明提供一种增强二维材料的偶数阶高次谐波的方法，属于光信号增强技术领域。该方法包括：1)制备二维材料，并测定二维材料的二次谐波光谱或四次谐波光谱；2)在二维材料上涂覆量子点薄膜；3)选择量子点的双光子吸收波长与激光器的发光波长共振；实现增强二维材料的偶数阶高次谐波的强度。本发明通过QD涂层方法大大提高了二维材料的非线性光学响应。
-
公开(公告)号：CN111690982B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201910179967.3
申请日：2019-03-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明首次提出一种利用任意指数面的单晶铜箔生长单晶石墨烯的方法，所述方法包括如下步骤：S1，制备任意指数面的单晶铜箔；S2，选用所述单晶铜箔作为衬底，并在其上生长出高质量超大尺寸的单晶石墨烯。本发明首次在非Cu(111)、Cu(100)等常见晶面上生长大尺寸单晶石墨烯，在成功制备Cu(211)、Cu(323)、Cu(110)、Cu(236)、Cu(331)、Cu(256)、Cu(553)、Cu(659)、Cu(736)、Cu(748)、Cu(671)等晶面的单晶铜箔上均成功生长了连续的大尺寸的单晶石墨烯；在这些晶面上均长出了单层均匀且高质量的石墨烯。
-
公开(公告)号：CN110616458B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201910172442.7
申请日：2019-03-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种基于单晶铜的垂直异质外延单晶金属薄膜的方法。所述方法为用单晶铜为外延基底，在其上外延生长金属，获得单晶金属薄膜。所述金属包括但不限于金、银、铜、铂、钯、钨、铁、铬、钴、镍。本发明提出的方法，解决了单晶金属薄膜制备方法复杂、尺寸小、难剥离、价格极为昂贵的问题，通过非常简单的方法，实现了大尺寸的单晶金属薄膜的制备。
-
公开(公告)号：CN110616454B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201910171877.X
申请日：2019-03-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种基于单晶二维材料/单晶铜的垂直异质外延单晶金属薄膜的方法。所述单晶二维材料为单晶石墨烯或单晶氮化硼，所述方法为用单晶二维材料/单晶铜的复合结构为外延基底，在其上外延生长金属，获得单晶金属薄膜。所述金属包括但不限于金、银、铜、铂、钯、钨、铁、铬、钴、镍。本发明提出的方法，解决了单晶金属薄膜制备方法复杂、尺寸小、难剥离、价格极为昂贵的问题，通过非常简单的方法，实现了大尺寸的单晶金属薄膜的制备。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
124
records
(took 0.024 seconds)
