公开(公告)号：CN115020488A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202210646218.9

申请日：2022-06-08

申请人： 国网智能电网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网福建省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 高明超 ,  金锐 ,  王耀华 ,  刘江 ,  李立 ,  晁武杰

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L23/48 ,  H01L21/331

摘要： 本发明提供一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法，绝缘栅双极晶体管包括：体层，所述体层包括元胞区和环绕元胞区的过渡区，所述过渡区包括汇流区；栅极结构，位于部分元胞区上或者部分元胞区中；位于汇流区上的栅汇流条，所述栅汇流条与栅极结构的部分边缘之间具有第一开口；镇流结构，位于汇流区中且延伸至第一开口底部的部分元胞区中；阱区，位于栅极结构周围的部分元胞区中，第一开口底部的体层中具有阱区，所述阱区的导电类型与所述镇流结构的导电类型相同；位于阱区的顶部区域中的源掺杂区，所述源掺杂区的导电类型与所述阱区的导电类型相反，所述源掺杂区与所述镇流结构间隔。上述绝缘栅双极晶体管能够缓解元胞区电流集中，降低闩锁风险。

公开(公告)号：CN116110785B

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202211647982.4

申请日：2022-12-21

申请人： 北京智慧能源研究院 ,  国家电网有限公司 ,  国网上海市电力公司电力科学研究院 ,  国网上海市电力公司

发明人： 聂瑞芬 ,  魏晓光 ,  高凯 ,  鲁燕青 ,  曹培 ,  黄兴德 ,  金锐 ,  王耀华 ,  李立 ,  高明超 ,  刘江 ,  李翠 ,  孙琬茹

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/739

摘要： 本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，该方法包括：在衬底第一表面形成图形化掩膜层，露出衬底的部分第一表面；采用高温氧化工艺，在衬底第一表面形成场氧化层，场氧化层覆盖所述掩膜层露出的衬底部分第一表面且延伸至氮化硅掩膜层下方与衬底第一表面之间；去除掩膜层，形成栅氧化层、体区、源区、栅电极、发射极以及集电极。通过实施本发明，在衬底第一表面形成图形化的掩膜层，然后采用高温氧化工艺形成场氧化层，由此形成了尖角结构的场氧化层，实现了场氧化层的斜面与水平面的夹角降低，避免了电场集中的现象。同时，在去除掩膜层后形成栅氧化层、体区、源区、栅电极、发射极以及集电极；构成了完整的绝缘栅双极型晶体管结构。

公开(公告)号：CN114975303A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210610621.6

申请日：2022-05-31

申请人： 国网智能电网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网安徽省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 李翠 ,  聂瑞芬 ,  孙琬茹 ,  金锐 ,  王耀华 ,  高明超 ,  王鑫 ,  陈艺

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L21/304 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78

摘要： 本发明公开了一种高压功率芯片及其制造方法、一种半导体器件及其制造方法。高压功率芯片包括：晶圆衬底；正面结构，正面结构位于晶圆衬底的一侧表面；其中正面结构包括元胞区和包围元胞区的终端区，还包括位于终端区的基本钝化保护层；补充钝化层；补充钝化层至少部分覆盖终端区背向晶圆衬底一侧表面，且至少同时覆盖终端区的侧部表面。补充钝化层还至少覆盖终端区背向晶圆衬底一侧表面与终端区的侧部表面的交界处。本发明提供的高压功率芯片耐压可靠性高。

公开(公告)号：CN116110785A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202211647982.4

申请日：2022-12-21

申请人： 北京智慧能源研究院 ,  国家电网有限公司 ,  国网上海市电力公司电力科学研究院 ,  国网上海市电力公司

发明人： 聂瑞芬 ,  魏晓光 ,  高凯 ,  鲁燕青 ,  曹培 ,  黄兴德 ,  金锐 ,  王耀华 ,  李立 ,  高明超 ,  刘江 ,  李翠 ,  孙琬茹

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/739

摘要： 本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，该方法包括：在衬底第一表面形成图形化掩膜层，露出衬底的部分第一表面；采用高温氧化工艺，在衬底第一表面形成场氧化层，场氧化层覆盖所述掩膜层露出的衬底部分第一表面且延伸至氮化硅掩膜层下方与衬底第一表面之间；去除掩膜层，形成栅氧化层、体区、源区、栅电极、发射极以及集电极。通过实施本发明，在衬底第一表面形成图形化的掩膜层，然后采用高温氧化工艺形成场氧化层，由此形成了尖角结构的场氧化层，实现了场氧化层的斜面与水平面的夹角降低，避免了电场集中的现象。同时，在去除掩膜层后形成栅氧化层、体区、源区、栅电极、发射极以及集电极；构成了完整的绝缘栅双极型晶体管结构。

公开(公告)号：CN219917174U

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202321297019.8

申请日：2023-05-26

申请人： 北京智慧能源研究院 ,  国网上海市电力公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 李翠 ,  魏晓光 ,  金锐 ,  和峰 ,  王耀华 ,  刘江 ,  高凯 ,  聂瑞芬 ,  田宝华 ,  李立 ,  高明超 ,  郝夏敏 ,  孙琬茹

IPC分类号： H01L29/06

摘要： 一种适用于高压功率芯片的终端结构，包括围绕高压功率芯片有源区以及过渡区的多个同心浮空场限环，在所述场限环上方覆盖有钝化层。本发明可以提高高压大功率芯片的终端可靠性，提高终端效率，同时，兼顾安全工作区，工艺简单，适合大规模产品应用。本发明通过优化场环设计，提高高压功率芯片的终端效率，保证可靠性的同时，优化安全工作区。