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公开(公告)号：CN107130294B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201710106146.8
申请日：2017-02-24
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所 , 国立大学法人金沢大学
Abstract: 提供一种转位缺陷可以被充分减低的金刚石基板的制造方法，以及高品质的金刚石基板以及金刚石自立基板。所述金刚石基板的制造方法的特征在于：包括，将基底表面上图案状的金刚石设置的第一工序，从第一工序设置的图案状的金刚石使金刚石成长，第一工序设置的图案状的金刚石中的图案间隙中使金刚石形成的第二工序，上述第一工序设置的图案状的金刚石去除，第二工序形成的金刚石构成的图案状的金刚石形成的第三工序，从第三工序形成的图案状的金刚石使金刚石成长以及第三工序形成的图案状的金刚石中的图案间隙中金刚石形成的第四工序。
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公开(公告)号：CN111270307A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201911222448.7
申请日：2019-12-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 野口仁
Abstract: 本发明提供一种具有可适用于电子器件及磁器件的、大口径且高品质的单晶金刚石(111)的层叠基板、大口径单晶金刚石(111)自支撑基板、所述层叠基板的制造方法及自支撑基板的制造方法。所述层叠基板为包含单晶金刚石(111)层的层叠基板，其包括基底基板、该基底基板上的中间层、及该中间层上的所述单晶金刚石(111)层，所述基底基板的主表面相对于晶面取向(111)，在结晶轴[＿1＿1 2]方向或其三次对称方向上，以-8.0°以上-0.5°以下或+0.5°以上+8.0°以下的范围具有偏离角，所述单晶金刚石(111)层相对于晶面取向(111)，在结晶轴[＿1＿1 2]方向或其三次对称方向上，以大于-10.5°且小于-2.0°或大于+2.0°且小于+10.5°的范围具有偏离角。
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公开(公告)号：CN105177705A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510627462.0
申请日：2009-12-11
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 野口仁
CPC classification number: C30B29/04 , C30B25/105 , C30B25/18 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明涉及金刚石膜的制造方法。本发明提供一种金刚石膜的制造方法，其特征在于，至少具有在单晶基板上化学气相沉积金刚石膜的工序、以及由所述单晶基板分离该金刚石膜的工序，所述单晶基板使用Ir单晶或Rh单晶，所述单晶基板在取出金刚石膜后能够重复使用，其中，由所述单晶基板分离该金刚石膜的工序是，通过将层积基板从高温的加热状态冷却至低温，利用在单晶基板和金刚石膜的界面产生的应力而分离金刚石膜；或者，使用在界面注入离子后，加热层积基板，而利用离子注入层进行分离的离子注入剥离法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103572248A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310337976.3
申请日：2013-08-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 野口仁
IPC: C23C16/27 , C23C16/517
CPC classification number: C30B25/16 , C23C16/27 , C23C16/272 , C23C16/515 , C23C16/517 , C30B25/105 , C30B25/12 , C30B25/14 , C30B25/183 , C30B29/04 , H01J37/32027 , H01J37/32926 , H01J2237/327 , H01J2237/3321
Abstract: 通过在用于固定衬底（S）的平台电极（12）与电压施加电极（13）之间施加DC电压的DC等离子体增强CVD方法，在衬底（S）上从含碳气体与氢气的气体混合物中生长金刚石。在通过施加DC电压生长金刚石的步骤期间，以预定时序在平台电极与电压施加电极之间施加与用于金刚石生长的DC电压极性相反的单脉冲电压。以稳定的生长速率制造优质的金刚石。
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公开(公告)号：CN102041551B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201010226110.1
申请日：2010-07-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 野口仁
CPC classification number: C30B25/183 , C30B25/06 , C30B25/18 , C30B29/02 , C30B29/04 , C30B29/16 , C30B29/36 , C30B33/08
Abstract: 本发明提供一种单晶金刚石生长用基材及单晶金刚石基板的制造方法，可以使面积大且结晶性良好的单晶金刚石生长，且可以便宜地制造高品质的单晶金刚石基板。所述单晶金刚石生长用基材是用于使单晶金刚石生长的基材，具有单晶SiC基板和在单晶SiC基板的生长单晶金刚石的一侧异质外延生长的铱膜或铑膜。
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公开(公告)号：CN101775592B
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN200910253986.2
申请日：2009-12-11
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 野口仁
IPC: C23C16/503 , C23C16/27
CPC classification number: C23C16/4582 , C23C16/272 , C23C16/4401 , C23C16/503
Abstract: 本发明提供一种直流等离子体CVD装置以及使用了此装置的高品质金刚石的制造方法，所述直流等离子体CVD装置可以获得不会发生由固定电极上的生成物的掉落引起的缺陷的、高品质的金刚石等的化学气相沉积膜。该直流等离子体CVD装置，至少具有固定电极、用来载置基板且兼作电极的基板平台，上述基板平台没有位于从上述固定电极的中心向铅垂方向延伸的线上，并且连接上述基板平台中心和上述固定电极中心的直线、与上述向铅垂方向延伸的线所构成的角在90°以下。
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公开(公告)号：CN101775645A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200910253988.1
申请日：2009-12-11
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 野口仁
IPC: C30B25/02
CPC classification number: C30B25/18 , C30B29/04 , Y10T117/10
Abstract: 本发明涉及单晶金刚石生长用基材以及使用该基材的单晶金刚石的制造方法，更具体地说，本发明提供一种可以使结晶性高的单晶金刚石异质外延生长，且可以反复使用的单晶金刚石生长用基材，还提供一种可廉价地制造大面积的高结晶性的单晶金刚石的单晶金刚石层积体的制造方法以及单晶金刚石的制造方法。本发明提供的单晶金刚石生长用基材的特征是，其至少具有由单晶构成的种基材和在该种基材上异质外延生长的薄膜，前述种基材是单晶金刚石，并且，前述薄膜是铱膜或铑膜。
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公开(公告)号：CN101775592A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200910253986.2
申请日：2009-12-11
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 野口仁
IPC: C23C16/503 , C23C16/27
CPC classification number: C23C16/4582 , C23C16/272 , C23C16/4401 , C23C16/503
Abstract: 本发明提供一种直流等离子体CVD装置以及使用了此装置的高品质金刚石的制造方法，所述直流等离子体CVD装置可以获得不会发生由固定电极上的生成物的掉落引起的缺陷的、高品质的金刚石等的化学气相沉积膜。该直流等离子体CVD装置，至少具有固定电极、用来载置基板且兼作电极的基板平台，上述基板平台没有位于从上述固定电极的中心向铅垂方向延伸的线上，并且连接上述基板平台中心和上述固定电极中心的直线、与上述向铅垂方向延伸的线所构成的角在90°以下。
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