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公开(公告)号：CN109104866A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201780024422.4
申请日：2017-02-23
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C09K3/14 , B24B37/00 , C03C19/00 , C09G1/02 , H01L21/304
Abstract: 本发明为一种合成石英玻璃基板用研磨剂，其由研磨颗粒及水组成，其特征在于，所述研磨颗粒以二氧化铈颗粒为母体颗粒，在该母体颗粒的表面担载有铈与选自除铈以外的其他三价稀土元素中的至少一种稀土元素的复合氧化物颗粒。由此，可提供一种具有高研磨速度且能够充分降低因研磨导致的缺陷的产生的合成石英玻璃基板用研磨剂。
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公开(公告)号：CN103708839B
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201310460141.7
申请日：2013-09-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C04B35/50 , C04B35/505 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/50 , C04B35/505 , C04B35/62675 , C04B35/638 , C04B35/6455 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3244 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5463 , C04B2235/5481 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/661 , C04B2235/72 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/9653 , C09K11/7769 , H01J5/04 , H01J9/247 , H01J61/302 , H01S3/1685
Abstract: 提供一种制造透明倍半氧化物烧结体的方法以及通过该方法制造的透明倍半氧化物烧结体，通过该方法可以稳定的方式制造质量在实用水平的透明的M2O3型倍半氧化物烧结体。制备包括至少一种选自Y、Sc和镧系元素的稀土元素的氧化物颗粒和Zr氧化物颗粒的粉末作为原料粉末，其中在稀土元素氧化物颗粒的粒径分布中，或在稀土元素氧化物颗粒聚集形成二次颗粒的情况下的二次颗粒的粒径分布中，粒径D2.5为180nm‑2000nm，包括端点，在粒径D2.5，从最小粒径侧积累的颗粒量是基于总颗粒量的2.5％。将原料粉末压制成型为预定形状，之后进行烧结，由此制造透明的M2O3型倍半氧化物烧结体（M是至少一种选自Y、Sc和镧系元素的稀土元素）。
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公开(公告)号：CN107743515A
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201680033515.9
申请日：2016-05-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/304 , B24B37/00
CPC classification number: B24B37/00 , C09K3/14 , H01L21/304
Abstract: 本发明是一种研磨组合物，其包含二氧化锆作为磨粒，所述研磨组合物的特征在于，pH值是11.0以上且未满12.5；前述二氧化锆中所包含的钠、镁、铝、钾、钙、钛、铬、铁、锰、镍、铜、锌、铅及钴的元素浓度各自未满1ppm。由此，提供一种研磨组合物，其可生产性良好地获得一种半导体基板，所述半导体基板不仅内周部的平坦性高，外周部的平坦性也高，并且由金属杂质所造成的污染少。
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公开(公告)号：CN119654581A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202380060513.9
申请日：2023-08-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明为一种油墨组合物，其为包含量子点的油墨组合物，其特征在于，其包含使所述量子点与倍半硅氧烷共聚而成的倍半硅氧烷聚合物、或使所述量子点及烷氧基硅烷共聚而成的倍半硅氧烷聚合物。由此，提供一种能够使量子点在高浓度下分散而不凝聚从而包含可靠性高的量子点的油墨组合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115362238B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202180026031.2
申请日：2021-03-02
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种量子点的制造方法，所述量子点为结晶性纳米颗粒荧光体，所述制造方法中，使用含有彼此不同的元素的第一前驱体溶液及第二前驱体溶液，将第二前驱体溶液制成气溶胶并向已加热的第一前驱体溶液进行喷雾、或者将第一前驱体溶液及第二前驱体溶液分别制成气溶胶并向已加热的溶剂进行喷雾，由此使第一前驱体溶液与第二前驱体溶液进行反应，合成含有彼此不同的元素的核颗粒。由此，提供一种能够在大规模的合成中抑制量子点的粒径的不均匀性及伴随于此的发射波长的分布的增大的量子点的制造方法。
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公开(公告)号：CN117242588A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202280030593.9
申请日：2022-03-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L33/50
Abstract: 本发明为一种核壳型量子点，该核壳型量子点具备：由含有S、Se或Te中的至少一种与Zn的第II‑VI族元素构成的半导体纳米晶体核；及包覆所述半导体纳米晶体核且包含由第II‑VI族元素构成的单层或多层的壳层的半导体纳米晶体壳，所述壳层中的至少一层为含有Mg的壳层。由此，提供量子产率、荧光发光效率得以提高且发光的半峰全宽窄的核壳型量子点及该核壳型量子点的制造方法。
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公开(公告)号：CN116547232A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202180080828.0
申请日：2021-11-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种量子点的表面处理方法，其将包含具有配位性取代基及反应性取代基的配体通过所述配位性取代基配位于表面的量子点与有机硅化合物的溶液连续地供给至由透射光的材料构成的反应管道的同时，对所述反应管道照射光，使所述有机硅化合物与所述反应性取代基进行光聚合反应，从而利用所述有机硅化合物覆盖所述量子点的表面。由此，即使在使用大量的溶液进行表面处理时，也能够稳定地利用有机硅化合物进行量子点的表面覆盖，从而能够得到生产率高且稳定性优异的量子点，从而还提供一种可提供可靠性高的波长转换材料的量子点的表面处理方法。
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公开(公告)号：CN114746364A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202080082454.1
申请日：2020-09-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明为一种核壳型量子点，其包含：至少包含In及P且以第III‑V族元素为构成元素的半导体纳米晶体核；及包覆所述半导体纳米晶体核且以第II‑VI族元素为构成元素的单一或多个半导体纳米晶体壳，在所述半导体纳米晶体核与所述半导体纳米晶体壳之间，具有缓冲层，所述缓冲层包含以第II‑V族元素为构成元素的半导体纳米晶体。由此，本发明可提供一种将第III‑V族半导体纳米晶体用作核且荧光发光效率得到提高的量子点。
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公开(公告)号：CN114746363A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202080083102.8
申请日：2020-10-29
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B19/04 , C01B19/00 , C09K11/08 , C09K11/56 , C09K11/88 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , G02B5/20 , F21S2/00 , F21Y115/10
Abstract: 本发明为一种量子点，其为结晶性纳米颗粒，所述量子点具有核颗粒与包含所述核颗粒上的多个层的多层结构，所述量子点以Zn、S、Se及Te为构成元素，所述量子点自所述量子点的中心起在半径方向上具有至少一个量子阱结构。由此，可提供一种为结晶性纳米颗粒的量子点，其不含Cd、Pb等有害物质，发光半值宽度等发光特性优异，具有高量子效率。
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