公开(公告)号：CN109960111B

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN201811592270.0

申请日：2018-12-25

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 荻原勤 ,  郡大佑 ,  橘诚一郎 ,  美谷岛祐介 ,  小林直贵 ,  野田和美

IPC: G03F7/09

Abstract: 本发明提供一种过滤性高的有机膜形成用组合物、使用该组合物的有机膜的形成方法、图案形成方法、及形成有该有机膜的半导体装置制造用基板，所述组合物能够形成图案弯曲耐性高、尤其是在比40nm微细且为高高宽的线条图案中不会发生干法蚀刻后的线条的坍塌或起皱的有机膜。所述有机膜形成用组合物含有作为下述式(1)所示的二羟基萘与缩合剂的缩合体的缩合物(A)或该缩合物(A)的衍生物，所述缩合物(A)或缩合物(A)的衍生物中含有的成分元素中的硫成分的含量以质量比计为100ppm以下。[化学式1]

公开(公告)号：CN111208710A

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：CN201911139299.8

申请日：2019-11-20

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 荻原勤 ,  渡边司 ,  美谷岛祐介 ,  金山昌广 ,  三井亮

IPC: G03F7/075 ,  G03F7/00 ,  G03F7/09

Abstract: 本发明涉及含碘的热固性含硅材料、含该材料的极紫外线光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物、及图案形成方法。本发明提供用于形成能够保持着上层抗蚀剂的LWR而贡献于感度提升的抗蚀剂下层膜的热固性含硅材料、含有该材料的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物、及使用该组合物的图案形成方法。一种热固性含硅材料，其特征在于含有下列通式(Sx-1)所示的重复单元、下列通式(Sx-2)所示的重复单元、及下列通式(Sx-3)所示的部分结构中的任一个以上。[化学式1]式中，R1为含有碘的有机基团。R2、R3分别独立地和R1相同、或为氢原子或碳数1～30的1价有机基团。