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公开(公告)号：CN100445318C
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN02805781.3
申请日：2002-03-05
Applicant: 住友精化株式会社
IPC: C08G65/04
CPC classification number: C08G65/2696 , C08G65/2642 , C08G65/2648 , C08G65/2654 , C08G65/266
Abstract: 根据本发明的环氧烷烃聚合物的制造方法，使环氧烷烃在含有具有支链结构的、碳原子数为5～7的脂肪族烃的溶剂中，在催化剂的存在下进行聚合反应。作为具有支链结构的、碳原子数为5～7的脂肪族烃，优选使用2-甲基戊烷、3-甲基戊烷、2，3-二甲基戊烷以及2，4-二甲基戊烷等。环氧烷烃则优选为环氧乙烷以及/或者环氧丙烷。
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公开(公告)号：CN101223196A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200680025757.X
申请日：2006-06-29
Applicant: 住友精化株式会社
CPC classification number: H01M4/60 , C08F8/06 , C08F220/34 , C08F220/36 , C08F2800/10 , H01M4/608 , C08F2222/1013
Abstract: 本发明涉及对聚(甲基)丙烯酸氮氧化合物进行交联而成的交联聚(甲基)丙烯酸氮氧化合物，目的是提供便宜、容易地制造具有高的自由基浓度的交联聚(甲基)丙烯酸氮氧化合物的方法。本发明为含有通式(2)表示的重复单元的交联聚(甲基)丙烯酸氮氧化合物的制造方法，其特征在于，以包含通式(1)表示的重复单元的聚(甲基)丙烯酸亚氨基化合物进行交联而成的交联聚(甲基)丙烯酸亚氨基化合物在水中分散的状态而氮氧化，(式中，R表示氢原子或甲基)(式中，R表示与上述通式(2)中的R相同的基团。)。
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公开(公告)号：CN107431013B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN201680022181.5
申请日：2016-03-14
Applicant: 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学 , 住友精化株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种丝网印刷用的蚀刻掩模(80)，其包含脂肪族聚碳酸酯。此外，本发明提供一种氧化物层(沟道(44))的制造方法，包括：形成包含脂肪族聚碳酸酯的蚀刻掩模(80)的图案的蚀刻掩模形成工序；在该蚀刻掩模形成工序之后，与溶解没有以蚀刻掩模(80)保护的氧化物层(沟道(44))的溶液接触的接触工序；及在该接触工序之后，将氧化物层(沟道(44))及蚀刻掩模(80)，加热至蚀刻掩模(80)会分解的温度以上的加热工序。
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公开(公告)号：CN107004606B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201580062190.2
申请日：2015-10-05
Applicant: 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学 , 住友精化株式会社
IPC: H01L21/368 , C23C18/12 , H01L21/288 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供当通过印刷法形成电子装置或半导体元件可采用的薄膜时能控制牵丝性的脂肪族聚碳酸酯、氧化物的前驱体、及氧化物层。本发明之一的氧化物的前驱体是在含有分子量为6千以上且40万以下的脂肪族聚碳酸酯比率为该脂肪族聚碳酸酯全体的80质量％以上的前述脂肪族聚碳酸酯构成的粘结剂(可含不可避免的杂质)的溶液中，分散有在被氧化时成为金属氧化物的金属的化合物的物质。结果如图1所示，可形成可用于半导体元件的制造的良好图案。
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公开(公告)号：CN105474372B
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201480044072.4
申请日：2014-07-04
Applicant: 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学 , 住友精化株式会社
IPC: H01L21/368 , C01G15/00 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66969 , C01G15/00 , H01L21/02483 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02614 , H01L21/02628 , H01L21/02664 , H01L27/1225 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/7869
Abstract: 本发明的课题在于提供种能够减少裂纹的生成且具有优异的电特性及稳定性的氧化物半导体层、及具有该氧化物半导体层的半导体元件与电子装置。本发明的解决手段在于提供种氧化物半导体层的制造方法,包含以下工序:前驱体层的形成工序,其将氧化物半导体的前驱体在基板上或其上方形成为层状,其中该氧化物半导体的前驱体是将被氧化时成为氧化物半导体的金属的化合物分散在含有粘合剂的溶液中而成的,所述粘合剂包含脂肪族聚碳酸酯;及烧成工序,其在使该粘合剂的90wt%以上分解的第1温度将该前驱体层加热之后,在比该第1温度更高、而且为前述金属与氧键合、且差示热分析法(DTA)的放热峰值即第2温度(以X表示的温度)以上的温度烧成该前驱体层。
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公开(公告)号：CN105874575A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201480067483.5
申请日：2014-12-16
Applicant: 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学 , 住友精化株式会社
IPC: H01L21/336 , C08G64/02 , H01L21/28 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78618 , C09D5/008 , C09D7/61 , C09D169/00 , H01L21/385 , H01L21/477 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 本发明的课题在于提供一种薄膜晶体管及其制造方法，所述薄膜晶体管不必使用在真空下或低压下的各工艺且不必使用昂贵的设备，而对于提供一种能够简便地实现自对准式地形成源极/漏极区域。本发明的一种半导体器件的制造方法，包括以下的步骤：脂肪族聚碳酸酯层形成步骤，其是将介由栅绝缘层30而被配置在本半导体层20上的栅电极层40、及半导体层20覆盖而形成脂肪族聚碳酸酯层50，此脂肪族聚碳酸酯层50是具有使半导体层20成为n型或p型的半导体层的掺杂剂；及加热步骤，其是在将其掺杂剂导入半导体层20中且于将脂肪族聚碳酸酯层50分解的温度下进行加热。
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公开(公告)号：CN105340110A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201480035720.X
申请日：2014-03-19
Applicant: 住友精化株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
CPC classification number: H01M4/364 , H01M4/133 , H01M4/134 , H01M4/386 , H01M4/58 , H01M4/587 , H01M4/622 , H01M4/625 , H01M10/052 , H01M2004/027
Abstract: 本发明的非水电解质二次电池用负极合剂具有负极活性物质、导电助剂和粘结剂，所述粘结剂含有乙烯醇与烯属不饱和羧酸碱金属中和物的共聚物。
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