公开(公告)号：CN101896999A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN200880119995.6

申请日：2008-12-26

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 高田朋幸 ,  山中贞则 ,  秦雅彦

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/331 ,  H01L29/737

CPC classification number: H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/22 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/737 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明使用廉价且散热特性优良的Si基板，制得质量良好的GaAs系的结晶薄膜。本发明提供一种具有：Si基板；在基板上结晶生长，并形成为孤立的岛状的Ge层；在Ge层上结晶生长，且由含P的3-5族化合物半导体层构成的缓冲层；以及在缓冲层上结晶生长的功能层的半导体基板。所述Ge层形成为岛状，所述岛状的大小不超过进行退火时在所述退火的温度及时间内结晶缺陷所移动的距离的2倍。所述Ge层形成为岛状，所述岛状的大小满足进行退火时在所述退火的温度下所述Ge层与所述Si基板之间的热膨胀系数的差异所产生的应力不会导致剥离发生的条件。