公开(公告)号：CN114429934A

公开(公告)日：2022-05-03

申请号：CN202011182455.1

申请日：2020-10-29

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

Inventor： 安重镒 ,  李相遇 ,  金成基 ,  白国斌 ,  高建峰 ,  王桂磊 ,  丁云凌 ,  田光辉

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/8242

Abstract: 本发明涉及一种SOD膜的处理方法。一种SOD膜的处理方法，包括：第一次低温退火：在300℃～500℃温度下，向SOD膜交替通入氧气气体、氮气气体；第二次低温退火：在300℃～500℃温度下，向SOD膜通入氧气和氢气的混合气体；第三次高温退火：在700℃～1100℃温度下，向SOD膜通入氧气和氢气的混合气体。本发明能够促使材料放气以提高间隙填充能力，还能通过高温下的退火提高SOD膜致密度，减少孔洞，提高了膜强度。

公开(公告)号：CN112038214A

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN202010567101.2

申请日：2020-06-19

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

Inventor： 李相遇 ,  安重镒 ,  金成基 ,  项金娟 ,  李亭亭 ,  卢一泓

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种氧化锆膜及其沉积方法、应用。一种氧化锆膜ZrO2的沉积方法，包括：利用化学气相沉积法沉积氧化锆膜，并且在沉积时，供应锆源之前先供应环戊基甲基醚类溶剂。本发明利用环戊基甲基醚类溶剂为添加剂促进锆源的流动，可以避免局部过量沉积导致的膜不均匀问题。

公开(公告)号：CN112030140A

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN202010506687.1

申请日：2020-06-05

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  真芯(北京)半导体有限责任公司

Inventor： 安重镒 ,  金成基 ,  李亭亭 ,  项金娟 ,  杨涛 ,  李俊峰 ,  王文武

IPC: C23C16/455

Abstract: 本发明涉及一种立式化学气相沉积炉及其应用。一种立式化学气相沉积炉，包括：炉管，所述炉管内设有晶舟和喷嘴部件，所述喷嘴部件在所述晶舟的一侧沿所述晶舟的轴向分布；所述炉管内还设有一个内管，所述内管将所述晶舟和所述喷嘴部件嵌套在其内部；所述内管与所述喷嘴部件相对的一侧的侧壁上设有多个通孔或缝隙，并且所述内管上设有所述通孔的侧壁与所述炉管的内壁之间留有侧缝。本发明将气相镀膜原料以层流的方式沉积到晶圆上，解决了现有设备沉积膜厚不均匀、沉积效率低等技术问题。