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公开(公告)号：CN119947561A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510063209.0
申请日：2025-01-15
Applicant: 浙江工业大学 , 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: H10N10/817 , H10N10/82 , H10N10/852 , H10N10/01
Abstract: 本发明公开了一种无金属电极的热电元件、器件及其制备方法，属于热电器件技术领域。该热电元件由P型热电臂、阻挡层和N型热电臂组成，本发明的元件在P型热电臂和N型热电臂之间设置了阻挡层，阻挡层实现了P型热电臂和N型热电臂之间的连接与电子传输，在实现P型热电臂和N型热电臂成分的有效分隔同时，因为阻挡层的两侧分别和P型热电臂以及N型热电臂均为一体连接，避免了焊接形成的应力问题，提升了热电元件的界面性能和稳定性。此工艺无金属电极层，能够降低界面电阻和应力，同时提升了热电器件的性能和可靠性，采用该方法制备的热电器件在高温循环测试中表现出优异的稳定性，为热电器件高温无损连接提供创新解决方案。
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公开(公告)号：CN119836213A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411704030.0
申请日：2024-11-26
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: H10N10/852 , H10N10/01 , H10N10/17 , H10N10/817 , C04B35/515 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种碲化锑基热电材料、热电模块及其制备方法和应用，涉及热电材料技术领域。碲化锑基热电材料为P型同质双段热电材料，可大幅降低高温‑低温界面接触电阻，相同结构带来的低热膨胀系数差和低界面元素扩散，克服了由于不同热电材料之间的热膨胀系数不匹配，导致的稳定性差的问题；通过Cd与S共掺杂，扩大了高温段(500K以上)热电材料的带隙，促进高密度孪晶界和位错的引入，有助于抑制双极效应，提高了热电材料的热电转换效率和机械强度，使制备的碲化锑基热电材料兼具优异的力学性能和热电性能。
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公开(公告)号：CN119351098A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411261671.3
申请日：2024-09-10
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明提供一种柔性复合闪烁薄膜的制备方法，具体包括如下步骤：S1、通过球磨处理将稀土硫氧化物粉体、光学胶、分散剂和固化剂均匀混合后得到均质浆料；S2、在真空环境中，对步骤S1制得的均质浆料进行排气处理后得到脱气浆料；S3、将步骤S2制得的脱气浆料均匀涂布在基板上得到薄膜；S4、将步骤S3制得的薄膜经过固化处理后得到柔性复合闪烁薄膜。与现有技术相比，本发明提供的一种稀土硫氧化物柔性复合闪烁薄膜的制备方法，利用薄膜优异的柔韧性与可加工性，可实现任意形状闪烁体探测器的制备。
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公开(公告)号：CN119118647A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411221835.X
申请日：2024-09-02
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: C04B35/44 , G01T1/20 , C04B35/50 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/64
Abstract: 本发明提供一种闪烁陶瓷、高能探测阵列、探测器及制备方法，所述闪烁陶瓷化学式为Gd3Al2‑x‑yScxGa3O12:yCr3+。制备方法包括：S01，将Gd2O3、Sc2O3、Ga2O3、NH4Al(SO4)2·12H2O和Cr(NO3)3溶于热酸溶液中，将酸溶液滴入碱溶液中进行共沉淀，收集沉淀物并洗涤；S02，将沉淀物干燥、研磨，得到粉体；S03，将粉体预烧；S04，将预烧后的粉体研磨、过筛、干压和冷等静压处理；S05，在氧气气氛中进行一次烧结，在惰性气氛中进行等静压烧结成致密陶瓷。本发明的石榴石闪烁陶瓷可以实现宽波段的高吸收强度和发光强度，表现出良好的发光性能和探测效率。
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公开(公告)号：CN117888203A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410075304.8
申请日：2024-01-17
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明提供了一种SnSe晶体的制备方法，包括：S1，将SnSe多晶料锭置于石英坩埚底部，将SnSe籽晶倒置悬挂在石英坩埚内，将石英坩埚抽真空并密封；S2，将石英坩埚置于晶体生长炉中，升高石英坩埚内温度，使SnSe多晶料锭熔化为SnSe熔体并与SnSe籽晶接种；自上而下降低石英坩埚内温度，使SnSe熔体结晶为SnSe晶体；结晶完成后，继续降低石英坩埚内温度，对SnSe晶体进行退火，得到SnSe晶体。本发明可抑制SnSe晶体生长过程中Se元素挥发，并避免降温过程中坩埚对SnSe晶体挤压产生应力和坩埚破裂熔体外溢，大幅提升SnSe晶体结晶质量和晶体生长成功率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115197702B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202110375676.9
申请日：2021-04-08
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本申请公开了一种氟化物盐近红外荧光粉及其制备方法和应用，所述近红外荧光粉的化学通式为Na3A1‑xCrxF6；其中，A选自Ga、Sc、In、Gd、Lu、Y中的至少一种；x表示摩尔分数，x的取值范围为：0.0001≤x≤0.2。制备上述近红外荧光粉，所用原料成本低，制备过程只需经过较低温度的水热合成反应即可，过程简单、获得的产品质量稳定可靠，非常利于工业化生产。
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公开(公告)号：CN115073176B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202110274171.3
申请日：2021-03-15
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: H10N10/852
Abstract: 本申请公开了一种碲化铋基热电材料及其制备方法，所述碲化铋基热电材料包括基体材料和掺杂在所述基体材料内的半导体材料；所述基体材料包括碲化铋；所述半导体材料为三元化合物半导体材料。本申请热电材料通过在基体材料中掺入三元化合物半导体材料并结合湿法高能球磨及真空热压烧结工艺，提升了功率因子，优化了电输运性能；形成多种缺陷中心，增强了声子散射，有效降低了碲化铋基热电材料晶格热导率，优化了热输运性能；同时提高了热电材料的各向同性和维氏硬度。
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公开(公告)号：CN114394822B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202210113922.8
申请日：2022-01-30
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: C09K11/08 , C04B35/10 , C04B35/44 , C04B35/622 , C04B35/64 , C09K11/64 , B28B3/02 , B28B3/00 , B28B11/24
Abstract: 本发明提供了一种面心结构复合陶瓷，包括荧光材料和氧化铝材料，所述荧光材料由第一底面、第二底面和侧面组成，所述氧化铝材料复合于所述荧光材料的第一底面的表面和侧面的表面。本申请还提供了面心结构复合陶瓷的制备方法和应用。本申请提供的面心结构复合陶瓷避免了传统弥散结构中激光光斑辐照范围内因不发光的氧化铝占据大部分面积造成的发光效率下降问题，同时利用高热导率的氧化铝陶瓷为荧光陶瓷进行散热，有利于提升复合陶瓷的发光性能。
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公开(公告)号：CN115072671A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110274145.0
申请日：2021-03-15
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: C01B19/00 , C04B35/515 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/645 , H01L35/16 , H01L35/34
Abstract: 本申请公开了一种锗铋碲基热电材料及其制备方法，所述锗铋碲基热电材料包括化学式GeAxBi2‑xTe4的化合物。本申请通过改变A、Bi的掺杂比例，特别是在掺杂Sb元素后，改变Bi和Sb的比例，能有效调控材料的载流子浓度，达到最佳范围，获得较大的功率因子。且得到的锗铋碲基热电材料为组织和性能分布均匀的单一相。
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公开(公告)号：CN111302801B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN201811511369.3
申请日：2018-12-11
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: C04B35/505 , C04B35/48 , C04B35/622 , C09K11/77
Abstract: 本发明涉及一种上转换发光陶瓷及其制备方法。具体地，本发明公开了一种通式为mA·(1‑x‑y‑z)Ln2O3·nMO2·xPr·yBi·zRe的上转换发光陶瓷，其中，A、Ln、M、Re、m、n、x、y、z如说明书中所定义，所述发光陶瓷具有使用寿命长、紫外光转换效率高的特点。
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