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公开(公告)号：CN105232034A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201410244477.4
申请日：2014-06-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: A61B5/0408
Abstract: 一种用于心电信号及人体阻抗检测的电极与电路复用结构，包括：一第一电极、一第二电极、一第三电极和一第四电极，所述第一电极、第二电极、第三电极和第四电极用于贴合到人体体表；一模拟开关网络，其输入端与第一电极、第二电极、第三电极和第四电极连接，用于接收各电极的信号；一心电信号放大电路，其输入端与模拟开关网络连接；一阻抗信号检测电路，其输入端与模拟开关网络连接；一交流电流源，其输出端与模拟开关网络连接；一多路复用器，其输入端与分别与心电信号放大电路和阻抗信号检测电路的输出端连接；一模数转换器，其输入端与多路复用器的输出端连接。
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公开(公告)号：CN104352234A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410584847.9
申请日：2014-10-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: A61B1/00004 , A61B5/04 , A61B5/7221 , A61B5/7253
Abstract: 本发明公开了一种生理电信号尖峰奇异点检测方法。所述方法包括：采样得到生理电信号序列；对采样得到的生理电信号序列进行小波变换，获得对应的小波变换系数；根据所述小波变换系数筛选得到对应于生理电信号中尖峰脉冲顶点；根据筛选得到的尖峰脉冲顶点寻找所述小波变换系数中的模极大值对，并计算得到尖峰奇异点潜在位置；对所述尖峰奇异点潜在位置进行时移修正，以确定尖峰奇异点的正确位置。本发明能够提高生理电信号中奇异点检测的精度，同时降低检测方法的复杂度。
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公开(公告)号：CN103271722B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310242828.3
申请日：2013-06-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: A61B5/00
Abstract: 本发明公开了一种高速的植入式信号收发机，包括第一传输电极、第二传输电极、折射微透镜和皮下植入芯片，其中皮下植入芯片的输出端连接于第一传输电极和第二传输电极，第一传输电极和第二传输电极贴合在皮下组织上，折射微透镜附着在皮下植入芯片上，且位于皮肤组织和皮下植入芯片之间。本发明利用人体组织的光电传输性质，将人体皮肤组织作为信号传输媒介，不需要通过金属连线将体内的植入器件与体外的设备相连，可以避免有线连接造成的伤口感染；本发明采用Blue tooth等无线数据通信技术相比，基于人体皮肤组织的光电传输特性的植入式信号收发机速度快，功耗更低，发热量较小，对植入体组织有利，同时能延长植入系统电池的使用寿命。
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公开(公告)号：CN103750833A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410028793.8
申请日：2014-01-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: A61B5/04
Abstract: 本发明公开了一种硅神经电极混合集成器件的制造方法，包括：制作用于神经信号采集的前置放大器芯片和硅神经电极；在前置放大器芯片表面制作掩膜，在前置放大器芯片输入压焊盘中制作金属层；在前置放大器芯片表面和压焊盘中制作绝缘层；对前置放大器芯片和硅神经电极的表面进行抛光；采用硅片键合技术将前置放大器芯片与硅神经电极集成，在前置放大器与硅神经电极间形成耦合电容。本发明有效隔离了电极记录点与神经细胞接触时形成的电极-电解液极化电位与细胞组织的共模扰动，消除了对前置放大器直流工作点的影响，简化了前置放大器的设计与神经信号记录系统。
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公开(公告)号：CN102999467A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210566722.4
申请日：2012-12-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G06F13/40
Abstract: 一种基于FPGA实现的高速接口与低速接口转换电路及方法，该基于FPGA实现的高速接口与低速接口转换电路包括相互连接的：高速并行接口模块、高速写控制模块、高速读控制模块、第一数据缓存FIFO读写模块、第二数据缓存FIFO读写模块、低速读控制模块、低速写控制模块、并串转换模块、串并转换模块和低速串行接口模块。本发明的基于FPGA实现的高速接口与低速接口转换电路及方法，可以解决嵌入式系统中高速并行接口与低速串行接口之间数据率和接口协议不匹配问题，同时能够实现全双工通信，采用Xilinx Virtex-5系列FPGA实现时占用的逻辑资源少，易于系统集成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101738841B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200910242353.1
申请日：2009-12-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种CMOS图像传感器，该CMOS图像传感器包括像素阵列、曝光控制电路、行列选通电路和信号输出电路，其中：像素阵列包含多个像素点，每个像素点由多个子像素组成，各像素点中相对位置相同的子像素的复位控制和信号保持控制线连接在一起，信号线按行列方式共享或独立拥有信号输出线；曝光控制电路用于控制各个子像素的曝光按照预设的时间差依次开始和结束；行列选通电路用于依次选通各个子像素，将信号输出到信号线上；信号输出电路用于缓冲或放大子像素的输出信号，驱动与该CMOS图像传感器的输出连接的模数转换器。本发明能够突破CMOS图像传感器的曝光时间存在物理下限，也可以解决过短的积分时间引起的信号质量下降问题。
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公开(公告)号：CN101738841A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910242353.1
申请日：2009-12-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种CMOS图像传感器，该CMOS图像传感器包括像素阵列、曝光控制电路、行列选通电路和信号输出电路，其中：像素阵列包含多个像素点，每个像素点由多个子像素组成，各像素点中相对位置相同的子像素的复位控制和信号保持控制线连接在一起，信号线按行列方式共享或独立拥有信号输出线；曝光控制电路用于控制各个子像素的曝光按照预设的时间差依次开始和结束；行列选通电路用于依次选通各个子像素，将信号输出到信号线上；信号输出电路用于缓冲或放大子像素的输出信号，驱动与该CMOS图像传感器的输出连接的模数转换器。本发明能够突破CMOS图像传感器的曝光时间存在物理下限，也可以解决过短的积分时间引起的信号质量下降问题。
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公开(公告)号：CN101465358A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200710179892.6
申请日：2007-12-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L27/144
Abstract: 本发明提出一种采用CMOS集成电路工艺制作的差分硅光电探测器，包括：一个衬底(16)；第一、二、三、四、五、六个阱(10)，所述阱等间距地制作在所述衬底上；第一、二、三、四、五、六个扩散区(11)，所述六个扩散区分别制作在所述六个阱的正中央；第七个扩散区(15)，所述第七个扩散区制作在所述六个扩散区和所述六个阱外面；在所述第一个、第三个和第五个扩散区上制作接触孔(14)，通过第一层金属(12)将这三个扩散区连在一起；在所述第二个、第四个和第六个扩散区上覆盖第一层金属，使这些扩散区不透光；在所述第二个、第四个和第六个扩散区上制作接触孔，通过第二层金属(13)将这三个扩散区连在一起。
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公开(公告)号：CN117239541A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202210637700.6
申请日：2022-06-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种驱动电路，适用于激光器，驱动电路和激光器相连接，驱动电路包括：源跟随器、第三电阻、第一晶体管和第二晶体管；源跟随器包括第三晶体管，第三晶体管的源极与第三电阻的第一端相连接，第三晶体管的漏极与电源连接，第三晶体管的栅极用于接收第一输入信号；第三电阻的第二端与第一晶体管的栅极相连接；第一晶体管的栅极还与第二晶体管的漏极相连接，第一晶体管的漏极与激光器的负极相连接，第一晶体管的源极接地，第一晶体管用于驱动激光器；第二晶体管的栅极用于接收脉冲输入信号，第二晶体管的源极接地；源跟随器、第三电阻和第二晶体管用于控制第一晶体管的状态。本公开还提供了一种驱动方法和激光设备。
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公开(公告)号：CN115101702A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210703211.6
申请日：2022-06-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大连化学物理研究所
IPC: H01L51/56 , H01L21/683 , H01L33/00
Abstract: 本公开提供了一种转印薄膜器件的方法，包括：利用预先在储水管的转印端构建的水膜，吸附被预先放置在超疏水衬底上的薄膜器件，其中，储水管与水膜之间的吸附力大于超疏水衬底与水膜之间的吸附力；将被水膜吸附的薄膜器贴附于待转印衬底上的目标键合位点，以便薄膜器件从水膜转移至目标键合位点，其中，所述键合位点被预先覆盖一层导电介质，导电介质与薄膜器件之间的吸附力大于水膜与薄膜器件之间的吸附力。
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