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公开(公告)号：CN116239809B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202111493332.4
申请日：2021-12-08
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种抗原子氧/防静电的有机硅烷/还原氧化石墨烯复合表面改性薄膜及其制备方法。所述抗原子氧/防静电的有机硅烷/还原氧化石墨烯复合表面改性薄膜包括：聚合物基体、以及形成在聚合物基体表面的有机硅烷和还原氧化石墨烯混合层；其中，有机硅烷同时与聚合物基体和还原氧化石墨烯发生键合反应。
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公开(公告)号：CN116731541B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202210207848.6
申请日：2022-03-03
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明公开了一种抗原子氧水滑石涂层及其制备方法与应用。所述抗原子氧水滑石涂层包括：形成在聚合物基体表面的由水滑石纳米片或类水滑石纳米片中至少一种和硅烷偶联剂交联形成的多孔涂层。与目前常规致密的抗原子氧涂层不同，本发明所涉及的涂层由防护单元水滑石或类水滑石纳米片与氨烃基硅烷偶联剂共同构成，具有纳米片取向高度一致的叠层排列形成的非致密微纳结构，可以防止内应力作用而开裂；同时交联剂氨烃基硅烷偶联剂能增强涂层与基体间的界面附着力，防止剥脱现象的发生。该涂层主体为无机水滑石或类水滑石纳米片层，原料价格低廉、工艺简捷、操作方便，且抗原子氧/防剥落开裂性能优异，可广泛应用于航天领域。
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公开(公告)号：CN118834428A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202310456172.9
申请日：2023-04-25
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种抗原子氧/防静电复合防护涂层及其制备方法。所述抗原子氧/防静电复合防护涂层包括：聚合物基体，以及形成在聚合物基体表面的还原氧化石墨烯/水滑石防护层；所述还原氧化石墨烯/水滑石防护层为包含硅烷偶联剂、还原氧化石墨烯和水滑石纳米片的复合层。
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公开(公告)号：CN118562389A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202310173849.8
申请日：2023-02-28
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C09D187/00 , C09D1/00
Abstract: 本发明涉及一种抗原子氧金属有机框架涂层及其制备方法。所述抗原子氧微纳结构有机无机杂化涂层包括：原位形成在聚合物基体表面的金属有机框架晶种层、以及形成在金属有机框架晶种层表面的由金属有机框架纳米颗粒形成的微纳结构有机无机杂化涂层。
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公开(公告)号：CN114018792A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111263287.3
申请日：2021-10-28
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: G01N17/00
Abstract: 本发明提供一种空间环境多因素协同试验装置，包括空间环境模拟系统(1)、真空辐照室(2)、紫外辐照强度测量系统(3)和控制系统(4)。本发明还提供一种如上所述的空间环境多因素协同试验装置的测试方法。本发明的空间环境多因素协同试验装置，集成度高，最多可进行原子氧辐照/近紫外辐照/远紫外辐照/温度循环/真空环境五种空间因素综合辐照协同试验，具有很好的灵活性；可实现对综合辐照试验中原子氧束流密度及均匀性、近紫外辐照强度及均匀性、温度循环温度和真空模拟系统的真空度进行测量，保障综合辐照试验数据的准确性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113916931A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202010645849.X
申请日：2020-07-07
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明提供一种极低温度下材料半球发射率测试装置与方法，能测试深空探测、航天领域中的半球发射率。该装置包括热平衡绝热腔、真空制冷系统、样品稳态控制系统和数据采集系统；热平衡绝热腔包括腔体、回温加热器和多个腔体温度传感器，腔体包括真空外腔和绝热内腔，样品容纳于内腔中；真空制冷系统包括与绝热内腔相连通的低温制冷部分和与真空外腔和绝热内腔相连通的无油抽真空部分；样品稳态控制系统包括样品加热器以及样品温度传感器；数据采集系统包括与腔体温度传感器和回温加热器相连的温度控制器、与腔体温度传感器和样品温度传感器相连的温度监控器、与样品加热器相连的电流源表、与样品加热器相连的电压表以及与上述器件相连的计算机。
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公开(公告)号：CN108568295B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201710131496.X
申请日：2017-03-07
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: B01J23/06 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C02F1/30 , C02F101/30
Abstract: 本发明涉及一种砚状ZnO/石墨烯复合物光催化剂及其制备方法，所述砚状ZnO/石墨烯复合物光催化剂包括砚状ZnO、和覆盖所述砚状ZnO的石墨烯，所述砚状ZnO为六角砚状薄片结构，包括砚底和砚壁，所述砚底的厚度为10～40 nm，优选为20～40 nm，砚壁的厚度为150～250 nm。与现有技术相比，本发明的制备方法和实验设备简单，反应条件温和，产率高，便于大规模上产。
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公开(公告)号：CN112558199A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201910854206.3
申请日：2019-09-10
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明公开一种可调控的近红外超薄宽带完美吸收器及其制备方法，所述吸收器包括衬底、位于衬底上的背反射层、位于背反射层上的介质层，以及位于介质层上的二氧化钒层；所述吸收器的膜层总厚度小于工作波长的四分之一。本发明的吸收器是超薄的多层薄膜结构，相比于传统的四分之一波长厚度吸收器以及近年提出的超材料吸收器，该吸收器可通过外场控制二氧化钒薄膜的介电函数，从而调控吸收器在近红外波段的吸收带宽及吸收效率，且结构厚度明显降低，避免使用复杂的光刻加工技术，使生产周期显著缩短，生产成本显著下降，便于大规模、批量化制备。
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公开(公告)号：CN101465172A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200810205224.0
申请日：2008-12-31
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种复合结构透明导电膜及其制备方法，尤其涉及一种采用磁控溅射工艺制备的复合结构透明导电膜及其制备方法，属于真空镀膜与光电子器件技术领域。本方法的复合结构透明导电膜具有多层结构，包括柔性基材层(1)；在柔性基材层上的SiO2或Al2O3中间层(2)；和在中间层上的ITO导电层(3)。本发明的制备方法通过增加中间层、控制工艺参数，制备得到的透明导电膜表面电阻在50～600Ω/□、可见光550nm波段透光率82～98％，适于显示器件和太阳薄膜电池等领域应用。
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公开(公告)号：CN2633899Y
公开(公告)日：2004-08-18
申请号：CN03232693.9
申请日：2003-07-02
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C23C14/35
Abstract: 本实用新型涉及一种电磁场约束电感耦合等离子体增强气相沉积薄膜系统，属于薄膜材料制备设备领域。该系统包括真空子系统(1)、溅射子系统(2)、气体混合及输入子系统(3)、等离子体辅助子系统(4)、电磁场约束子系统(5)、衬底加热及控温子系统(6)和衬底偏压子系统(7)组成；该系统能针对不同的薄膜材料体系、结构性能和应用目标，灵活又经济地改变或切换成膜技术和操作模式进行各种试验。
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