一种AlCoCrFeNi系双相碳化物增强激光熔覆高熵合金复合涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN118756135A

    公开(公告)日:2024-10-11

    申请号:CN202411022164.4

    申请日:2024-07-29

    Abstract: 本发明公开了一种AlCoCrFeNi系双相碳化物增强激光熔覆高熵复合涂层及其制备方法。所述的高熵合金复合涂层包含高熵合金基体和外加增强颗粒,高熵合金基体包括Al、Co、Cr、Fe、Ni以及外加元素Ti、Zr、V、Ta、Nb、W、Mo等,外加增强颗粒包括WC,NbC,ZrC等,采用激光熔覆制备而成。本发明通过复合引入法(外加增强+原位生成)制备的激光熔覆高熵复合涂层具有优异的耐磨损和耐腐蚀性能,外加增强相、原位生成相和高熵合金基体具有良好的界面结合。该复合涂层可应用于机械,煤炭等行业,并使高熵合金在表面改性领域上得到推广应用。

    一种制备多铁半导体用铪钛酸钡钙的方法

    公开(公告)号:CN115872447B

    公开(公告)日:2024-07-09

    申请号:CN202211679739.0

    申请日:2022-12-27

    Abstract: 本发明公开了一种制备多铁半导体用铪钛酸钡钙的方法,包括以下步骤:按照Ba、Ca、Ti、Hf的摩尔比称取乙酸钡、乙酸钙、四氯化铪、钛酸四丁酯原料,利用溶胶‑凝胶方法制得BCHT溶胶;对溶胶进行活化处理;将活化处理后的溶胶放入油浴锅中保温陈化得到凝胶,于真空干燥箱中干燥后得到凝胶干粉;对凝胶干粉进行煅烧、研磨,得到BCHT粉体。本发明克服了现有铪钛酸钡钙粉体制备方法存在的粉体球磨混料不均匀,引入外部杂质,煅烧温度高等问题,具有大幅降低煅烧温度、成分均匀、组分准确、纯度高、产物粉体细小、单分散等优势,有利于提升粉体的烧结性能,为进一步制备高磁电耦合性能多铁半导体压电相奠定了坚实基础。

    一种镁合金氧化膜缺陷矿化修复方法

    公开(公告)号:CN117070944B

    公开(公告)日:2024-06-04

    申请号:CN202311080958.1

    申请日:2023-08-25

    Abstract: 本发明公开了一种镁合金氧化膜缺陷矿化修复方法,属于材料科学领域。具体修复方法为:将具有氧化膜的镁合金置于无水乙醇中进行超声清洗,经干燥后,再置于水蒸气与二氧化碳的混合气氛中养护,最后经热解,即完成对镁合金氧化膜缺陷的矿化修复。本发明研究的镁合金氧化膜缺陷矿化修复方法,可对任何镁合金表面氧化膜进行修复,均能有效弥补镁合金氧化膜疏松多孔缺陷,实施过程工艺简单,成本较低,环境友好,生产效率高,利于大规模工业生产,为镁合金表面防护处理技术探索提供新的思路与技术借鉴。

    一种高熵合金及其制备方法

    公开(公告)号:CN116987944B

    公开(公告)日:2024-04-30

    申请号:CN202310941097.5

    申请日:2023-07-28

    Abstract: 本发明属于合金材料技术领域,公开了一种高熵合金及其制备方法,所述高熵合金的组成为AlaCrbXcNid;其中,a为Al元素的原子百分数,10%≤a≤25%;b为Cr元素的原子百分数,10%≤b≤30%;c为X元素的原子百分数,10%≤c≤25%;d为Ni元素的原子百分数,d>35%;且a+b+c+d=100%;X为Fe、Zr的一种或两种;且所述高熵合金的微观组织为短棒状共晶或具有向日葵形貌的共晶。本发明的高熵合金具有向日葵形貌共晶组织或大片短棒状共晶组织,具有高强度、高塑性的力学性能,且制备方法操作简单、安全,制备效果好。

    一种镁合金氧化膜缺陷矿化修复方法

    公开(公告)号:CN117070944A

    公开(公告)日:2023-11-17

    申请号:CN202311080958.1

    申请日:2023-08-25

    Abstract: 本发明公开了一种镁合金氧化膜缺陷矿化修复方法,属于材料科学领域。具体修复方法为:将具有氧化膜的镁合金置于无水乙醇中进行超声清洗,经干燥后,再置于水蒸气与二氧化碳的混合气氛中养护,最后经热解,即完成对镁合金氧化膜缺陷的矿化修复。本发明研究的镁合金氧化膜缺陷矿化修复方法,可对任何镁合金表面氧化膜进行修复,均能有效弥补镁合金氧化膜疏松多孔缺陷,实施过程工艺简单,成本较低,环境友好,生产效率高,利于大规模工业生产,为镁合金表面防护处理技术探索提供新的思路与技术借鉴。

    一种管道焊缝缺陷漏磁信号的剥离方法

    公开(公告)号:CN115047060B

    公开(公告)日:2023-06-20

    申请号:CN202210561462.5

    申请日:2022-05-23

    Abstract: 本发明提供一种管道焊缝缺陷漏磁信号的剥离方法,通过建立管道的壁厚、焊缝余高以及缺陷深度三者之间的管道焊缝缺陷模型;采用周向励磁漏磁检测方法或轴向励磁检测方法对管道磁化后产生的漏磁场进行检测,确定管道中的含焊缝缺陷管道和无焊缝缺陷管道;根据管道焊缝缺陷模型,采集含焊缝缺陷管道和无焊缝缺陷管道的漏磁信号;根据含焊缝缺陷管道的漏磁信号和无焊缝缺陷管道的漏磁信号的个数,判断对含焊缝缺陷管道的漏磁信号或无焊缝缺陷管道的漏磁信号进行数据点插值和作差运算,以得到剥离后的管道焊缝缺陷处的漏磁信号,从而实现了对管道焊缝缺陷的漏磁信号的剥离,进而提高了管道焊缝缺陷的识别准确度以及后续管道缺陷的量化分析。

    一种合成多铁半导体用LBMO磁性粉体的方法

    公开(公告)号:CN115818720A

    公开(公告)日:2023-03-21

    申请号:CN202211679893.8

    申请日:2022-12-27

    Abstract: 本发明公开了一种合成多铁半导体用LBMO磁性粉体的方法,包括如下步骤:首先,通过溶胶‑凝胶方法制备LBMO凝胶,将凝胶烘干后得到LBMO干粉前驱体;其次,将研磨后的干粉前驱体填入氧化锆模具后,装入真空气氛结炉中;最后,将真空气氛结炉进气阀口连接空气鼓风机,开启鼓风并进行煅烧;煅烧完毕后,取出炉中的产物,研磨后得到LBMO粉体。本发明克服了现有LBMO磁性粉体制备方法存在的成分偏离、引入杂质、粉体团聚、产物不纯、结晶程度低、煅烧温度高、保温时间长等问题,具有混料充分均匀、组分控制精确、合成粉体纯度高、合成粉体单分散、提高产物结晶程度、降低煅烧温度、缩短保温时间等优势。

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