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公开(公告)号：CN105024646B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201510461461.3
申请日：2015-07-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03B19/00
Abstract: 本发明公开了一种用于太赫兹倍频链的新型混合集成电路，涉及太赫兹器件技术领域。所述电路包括射频输入波导、第一石英基板、射频输入过度微带线、第一传输微带线、第一低通滤波器、输入匹配微带线、第一GaAs太赫兹倍频二极管、第二传输微带线、第二GaAs太赫兹倍频二极管、输出匹配微带线、第四传输微带线、射频输出过渡微带线、射频输出波导、第三传输微带线、第二低频滤波器、第三低频滤波器、第一金丝跳线、第二金丝跳线、第二石英基板以及第三石英基板。所述混合集成电路可以获得4次倍频、6次倍频和9次倍频输出，且集成度高，小型化程度高，可以获得最大的功率输出，工艺简单。
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公开(公告)号：CN104993795B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201510464202.6
申请日：2015-07-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03B19/00
Abstract: 本发明公开了一种频率自适应W波段信号源组件，涉及毫米波器件技术领域。所述组件包括第一石英基板、第一传输微带线、第一低通滤波器、第一石英电路、输入射频匹配微带线、第一定位接地端、第二定位接地端、GaAs太赫兹倍频二极管、输出射频匹配微带线、第二石英电路、射频输出过度微带线、射频输出波导、金丝跳线、第二石英基板、直流馈电输出微带线、第二低通滤波器、直流馈电输入微带线。所述组件对输入频率具有自适应性，同一组件既可以实现二次倍频，又可以实现三次倍频；肖特基二极管采用倒装焊接工艺，工艺较为简单。
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公开(公告)号：CN104851921B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201510261562.6
申请日：2015-05-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种垂直结构的GaN基肖特基二极管及其制作方法，涉及半导体器件技术领域。包括用于支撑整个GaN肖特基二极管的衬底，在所述的衬底上外延生长高掺杂的N+型GaN层，在所述的N+型GaN层上外延生长高掺杂的N‑型GaN层，在所述的N‑型GaN层上部蒸发有肖特基接触电极，所述肖特基接触电极通过空气桥与阳极电极连接，所述衬底底面刻蚀有第一刻蚀孔，衬底正面刻蚀有第二刻蚀孔，所述第一刻蚀孔在所述衬底与N+型GaN层连接处的正下方，第二刻蚀孔在阴极电极和N+型GaN和N‑型GaN台面结构之间，所述第一刻蚀孔和第二刻蚀孔内蒸发有欧姆接触电极，欧姆接触电极通过电镀金属层与阴极电极连接。本发明缩短了欧姆接触与肖特基接触之间的距离，减小了器件的扩展电阻，提高了器件的截至频率。
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公开(公告)号：CN107104639A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710391361.7
申请日：2017-05-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03B19/16
CPC classification number: H03B19/16
Abstract: 本发明公开了一种双面鳍线四管芯太赫兹平衡式二次倍频电路，涉及多重倍频变换电路技术领域。所述电路包括石英基板鳍线电路、四个肖特基二极管、射频输入波导和射频输出波导，所述石英基板鳍线电路包括石英电路基板和位于石英电路基板正反面的前侧鳍线与后侧鳍线；位于正面的两个所述肖特基二极管的一端与正面的前侧鳍线电连接，位于正面的两个所述肖特基二极管的另一端与正面的后侧鳍线电连接。所述电路使得射频输入输出波导可以在同一直线上，方便电路人员设计，同时加工更为简单且石英电路采用双面电路，在正反两面均放置反向串联的肖特基二极管，可提高倍频效率，通过正反两面各设置两个肖特基二极管，可承受较大的功率输出，提高输出功率。
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公开(公告)号：CN107040212A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710392404.3
申请日：2017-05-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03B19/16
CPC classification number: H03B19/16
Abstract: 本发明公开了一种单面石英鳍线太赫兹平衡式三次倍频电路，涉及多重倍频变换电路技术领域。所述电路包括石英基板鳍线电路、两个同向串联的GaAs基太赫兹肖特基二极管、射频输入波导和射频输出波导，所述石英基板鳍线电路包括石英电路基板和位于石英电路基板上的前侧鳍线与后侧鳍线；两个所述肖特基二极管的一端与前侧鳍线电连接，两个所述肖特基二极管的另一端与后侧鳍线电连接，且所述肖特基二极管位于前侧鳍线与后侧鳍线间距离保持不变的位置处。所述电路的射频输入输出波导可以在同一直线上，方便电路人员设计，同时加工更为简单，并可以承受大功率输入，提高输出功率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103902668B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201410094889.4
申请日：2014-03-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G06F17/30
Abstract: 本发明公开了一种InP基HEMT在太赫兹频段的建模方法，首先对加工完成的InP基HEMT器件进行直流测试，获得InP基HEMT的电流电压参数，在电路设计软件中建立低频参数包；然后结合InP基HEMT的设计版图和加工工艺，建立InP基HEMT高频仿真结构模型，在InP基HEMT栅端口和漏端口分别设置波端口激励，结合InP基HEMT的实际电路封装形式，抽取InP基HEMT寄生分量S参数包；最后在电路设计软件中建立起完整的包含寄生参量的电路模型，低频参数包和寄生分量S参数包在电路设计软件中串联，建立InP基HEMT在太赫兹频段的整体电路模型。本发明方法简单，使用方便，缩短了开发周期，降低了开发成本。
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公开(公告)号：CN104158495B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201410401569.9
申请日：2014-08-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03D7/16
Abstract: 本发明公开了一种用于太赫兹混频器的新型混合集成电路，涉及电通信的传输装置技术领域。包括石英基板电路、GaAs基板电路、射频波导以及本振波导，GaAs基板电路包括GaAs基板和位于GaAs基板内的GaAs太赫兹肖特基二极管，所述GaAs太赫兹肖特基二极管的正面朝上，GaAs太赫兹肖特基二极管焊盘两端分别集成一段GaAs基的微带传输线或者悬置微带传输线，GaAs基的微带传输线或者悬置微带传输线分别与两侧的石英基板电路电连接。所述集成电路降低了器件微组装的工艺难度，与目前常用的混合集成电路形式相比，二极管的组装精度提高，可以降低混频器的变频损耗，使得混频器的测试结果更加接近设计结果。
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公开(公告)号：CN105845742A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610347861.6
申请日：2016-05-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/872 , H01L23/49
CPC classification number: H01L29/872 , H01L23/49
Abstract: 本发明公开了一种梁式引线太赫兹肖特基二极管，涉及肖特基二极管技术领域。所述二极管包括太赫兹肖特基二极管本体，所述太赫兹肖特基二极管本体上设有阳极和阴极，所述阳极和阴极的外侧面各设有一条向所述二极管本体外侧延伸的梁式引线，且所述梁式引线延伸至所述二极管本体的外侧部分的长度不同。所述二极管在阳极和阴极上伸出不同长度的金属条，在二极管应用于倒装焊接时，从背面看的时候，通过梁式引线长度的不同，区别二极管的阳极和阴极，降低了倒装焊的工艺难度，提高了二极管倒装焊接的可辨识性和可使用性。
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公开(公告)号：CN104935254A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510360823.X
申请日：2015-06-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03B19/14
Abstract: 本发明公开了一种新型F波段三倍频器，涉及太赫兹器件技术领域。本发明采用高截止频率GaN基肖特基二极管作为非线性倍频器件，输入输出采用波导微带过度电路形式，输入端基波信号过度到石英电路上接基波低通滤波器，经基波匹配电路后达到GaN基肖特基二极管，产生三次谐波信号，三次谐波经输出端匹配电路后，经微带波导转换达到输出波导端输出。其中基波低通滤波器可以通过基波输入信号，阻止二次谐波和三次谐波信号，输出端采用减高波导，减高波导的设计尺寸要求可以截止基波的二次谐波频率。所述三倍频器的耐受功率高、散热性能好、可靠性更好。
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公开(公告)号：CN104268355A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410534114.4
申请日：2014-10-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种GaAs基混频肖特基二极管毫米波及太赫兹频段建模方法，涉及二极管建模技术领域。利用基于测量的经验公式描述混频肖特基二极管结的非线性结特性，即利用热电子发射模型对二极管结进行公式描述；通过建立GaAs基混频肖特基二极管的三维电磁模型，利用商用高频结构仿真软件HFSS获得寄生参量在毫米波及太赫兹频段的S参数；最终在电路仿真软件例如ADS中建立GaAs基混频肖特基二极管对应的电路级模型；通过将建立的模型和实际封装测试的二极管S参数进行对比，然后修正其中的二极管结的经验公式，最终获得GaAs基混频肖特基二极管在毫米波及太赫兹频段的精准模型。
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