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公开(公告)号：CN110868189A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910080487.1
申请日：2019-01-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种谐振器制作方法。该谐振器制作方法包括：对衬底进行预处理，形成预设厚度的介质层；对介质层的预设区域进行离子注入处理；对经过离子注入处理后的介质层进行刻蚀或腐蚀，形成牺牲材料部分；所述牺牲材料部分的形状为顶面为平面且竖截面呈桥状结构；在已形成牺牲材料部分的衬底上形成多层结构，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；去除所述牺牲材料部分。上述谐振器制作方法相对于传统的谐振器制作方法对谐振器工作区域的表面粗糙度更为容易控制。
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公开(公告)号：CN110868185A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910329117.7
申请日：2019-04-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03H9/02
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种体声波谐振器和半导体器件。该体声波谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、掺杂压电层和上电极层；其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体；所述掺杂压电层包括掺杂有至少一种稀土元素的压电材料。上述谐振器通过设置具有下半腔体和上半腔体的腔体，以及在压电层掺杂至少一种稀土元素，形成了一种新型的体声波谐振器结构，且具有较好的性能。
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公开(公告)号：CN110868183A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910328530.1
申请日：2019-04-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种谐振器和滤波器。多层结构形成于衬底上，包括压电层、第一电极和第二电极；其中，第一电极和第二电极分别设置在压电层的两侧，所述第一电极包括第一导电层和第二导电层，所述第二电极包括第三导电层和第四导电层，第一电极和第二电极的声阻抗随距离压电层的距离增大而增大；同时，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体。上述谐振器通过设置具有下半腔体和上半腔体的腔体，且下半腔体整体位于衬底上表面之下，上半腔体整体位于衬底上表面之上，形成一种新型的谐振器结构，使谐振器具有较好的性能。
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公开(公告)号：CN110868176A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910329126.6
申请日：2019-04-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种具有内埋式温度补偿层的谐振器和滤波器。该谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层，上、下电极层中分别设有温度补偿层；在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体。该谐振器具有较好的性能，且温度补偿层补偿了压电层的负温度系数，增大了谐振器的耦合系数，压电层不会被温度补偿层中的材料污染，从而使谐振器的操作更稳定。
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公开(公告)号：CN110868175A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910328580.X
申请日：2019-04-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 李亮 , 李丽 , 吕鑫 , 梁东升 , 刘青林 , 马杰 , 高渊 , 丁现朋 , 冯利东 , 崔玉兴 , 张力江 , 刘相伍 , 杨志 , 商庆杰 , 李宏军 , 钱丽勋 , 卜爱民 , 王强 , 付兴昌
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种具有晶种层的谐振器、滤波器及谐振器制备方法。该谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括晶种层、下电极层、压电层和上电极层；其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体。上述谐振器通过设置具有下半腔体和上半腔体的腔体，且下半腔体整体位于衬底上表面之下，上半腔体整体位于衬底上表面之上，从而形成一种具有晶种层的新型的谐振器结构，且具有较好的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110868171A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910328541.X
申请日：2019-04-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 田秀伟 , 李亮 , 吕鑫 , 梁东升 , 刘青林 , 马杰 , 高渊 , 丁现朋 , 冯利东 , 崔玉兴 , 张力江 , 刘相伍 , 杨志 , 商庆杰 , 李宏军 , 李丽 , 卜爱民 , 王强 , 付兴昌
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种谐振器、晶片及谐振器制造方法。该谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层、上电极层和声镜对；所述上电极层和下电极层中的至少一者包括：电极层和温度补偿层；其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体。上述谐振器通过设置具有下半腔体和上半腔体的腔体、声镜对及温度补偿层，从而形成一种新型的谐振器结构，且具有较好的性能。
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公开(公告)号：CN110868169A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910080476.3
申请日：2019-01-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种谐振器和半导体器件。该谐振器包括：衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体由所述衬底的上侧面和所述多层结构的下侧面围成，所述多层结构的下侧面与所述腔体对应部分的中部区域为平面，且中部区域的边缘与所述腔体边缘之间为圆滑过渡的平滑曲面，所述平滑曲面位于所述衬底的上侧面和所述平面之间。上述谐振器通过设置顶壁为平面的腔体，从而形成一种新型的谐振器结构，且具有较好的性能。
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公开(公告)号：CN110868170B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN201910328539.2
申请日：2019-04-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种声谐振器，所述声谐振器包括：衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体；所述下电极层的边缘邻接平坦化层；所述多层结构中设置有桥部。本发明的声谐振器通过特殊结构的腔体与桥部的结合，具有良好的性能，且结构坚固，不易损坏。
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公开(公告)号：CN110868177B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201910329129.X
申请日：2019-04-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种包括桥部的堆叠式声学谐振器和滤波器。该谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括第一电极层、第一压电层、第二电极层、第二压电层和第三电极层；和桥部，设置在所述第一电极层和第三电极层之间；其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体。上述谐振器通过设置具有下半腔体和上半腔体的腔体，且下半腔体整体位于衬底上表面之下，上半腔体整体位于衬底上表面之上，从而形成一种新型的谐振器结构，且具有较好的性能。
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公开(公告)号：CN110868173B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201910328545.8
申请日：2019-04-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 李亮 , 李宏军 , 吕鑫 , 梁东升 , 刘青林 , 马杰 , 高渊 , 丁现朋 , 冯利东 , 崔玉兴 , 张力江 , 刘相伍 , 杨志 , 商庆杰 , 钱丽勋 , 李丽 , 卜爱民 , 王强 , 付兴昌
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种谐振器及滤波器。该谐振器包括衬底、下电极层、上电极层和环；其中，环设置在所述下电极层或所述上电极层的表面上。所述衬底和所述下电极层之间形成有具有下半腔体和上半腔体的腔体，且下半腔体整体位于衬底上表面之下，上半腔体整体位于衬底上表面之上；通过设置环及腔体，使谐振器形成一种新型的谐振器结构，具有较好的性能。
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