公开(公告)号：CN101221465A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200810019343.7

申请日：2008-01-04

Applicant: 东南大学

Inventor： 黄少珉 ,  戚隆宁 ,  胡晨

IPC: G06F1/32 ,  G06F12/08

CPC classification number: Y02D10/13

Abstract: 用于降低硬盘功耗的数据缓冲区实现方法适用于计算机存储系统中，利用数据缓冲区对硬盘数据进行缓存，在多任务环境下通过缓冲区结构的创新设计降低硬盘平均功耗。该缓冲区包括分块的数据缓冲区、缓冲区管理模块，分块的数据缓冲区将数据传送给缓冲区管理模块，缓冲区管理模块通过硬件设备驱动模块将状态控制与数据访问命令传送给硬盘，硬盘再将数据传送给分块的数据缓冲区，实现用于降低硬盘功耗的缓冲区。一方面根据多任务的数据访问速率提出带来功耗最优的缓冲区分组大小的确定方法，另一方面提出考虑任务数据访问情况的数据块替换算法，进一步延长硬盘访问的空闲时间。

公开(公告)号：CN1367478A

公开(公告)日：2002-09-04

申请号：CN02112706.9

申请日：2002-03-01

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  胡晨 ,  时龙兴

IPC: G09G3/32 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78

Abstract: 平板显示的驱动芯片用高压器件,由高压二极管、高压P型MOS管和高压N型横向双扩散MOS管组成,高压N型横向双扩散MOS管设在P型衬底上,在P型衬底上位于高压N型横向双扩散MOS管的源区下方位置设有P型阱,在P型衬底上设N型深阱,高压二极管和高压P型MOS管设在N型深阱内。制备方法:在预清洗后的P型衬底上制N型深阱,在N型深阱内制高压二极管和高压P型MOS管的P型漂移区,在P型衬底上制高压N型横向双扩散MOS管N型漂移区及P型阱,高压N型横向双扩散MOS管的源区位于其中,在N型深阱内制P型阱区,其位置为高压P型MOS管的源区及厚栅氧的下方;调整沟道阀值电压,制多晶硅栅,制源区、漏区及接触孔,蒸铝,反刻铝、钝化处理。

公开(公告)号：CN2517178Y

公开(公告)日：2002-10-16

申请号：CN02218639.5

申请日：2002-01-29

Applicant: 东南大学

Inventor： 张嗣忠 ,  时龙兴 ,  胡晨 ,  陆生礼 ,  徐光明

IPC: H03L7/16 ,  H03L7/18

Abstract: 小数分频输出相位补偿装置是一种实现N—数字小数分频输出的相位补偿和减小相位抖动的帕斯卡三角形数值运算电路。该装置由多级累加器相串联组成,其中每一级累加器由延时器、补码器、全加器所组成,延时器的输入端接前一级累加器的输出端,延时器的输出端接全加器的输入端,全加器的输入端还分别与补码器、前一级累加器的输出端OUTn+1、本级的信号输入端INn相接;延时器由D触发器构成,补码器由或门和异或门构成,全加器由全加器电路构成,延时器的输入端即D触发器的输入端接前一级全加器电路的输出端,D触发器的输出端与本级全加器电路的输入端和本级补码器的或门、异或门的输入端相接。

公开(公告)号：CN2517125Y

公开(公告)日：2002-10-16

申请号：CN02218453.8

申请日：2002-01-21

Applicant: 东南大学

Inventor： 张嗣忠 ,  孙国安 ,  陆生礼 ,  胡晨 ,  时龙兴

IPC: H01Q13/00 ,  H01Q1/36

Abstract: 本实用新型公开了一种手机用内置式双频移动通讯手机天线,包括衬底,在衬底上设有低频辐射体、高频辐射体和传输线,低频辐射体为N形状铜皮,高频辐射体为「形状铜皮,传输线为条形铜皮,低频辐射体的左端点通过传输线与高频辐射体的下端点并联,在传输线上设有天线输入/输出端,在天线输入/输出端旁设有金属短路销钉。本实用新型具有制造成本低廉、材料的可选范围广的优点。