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公开(公告)号：CN106848007A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710023326.X
申请日：2017-01-12
Applicant: 东南大学
CPC classification number: H01L33/005 , H01L33/002 , H01L33/26
Abstract: 本发明公开了一种增强氧化锌‑氮化镓(ZnO‑GaN)异质结构电致发光的方法，利用气相传输的方法在p型GaN(p‑GaN)衬底上制备氧化锌纳米棒阵列，构建n‑ZnO‑p‑GaN异质结构，并采用磁控溅射的方法在ZnO纳米棒阵列表面修饰金属铝纳米颗粒，形成铝纳米颗粒修饰的n‑ZnO‑p‑GaN复合体系。通过金属铝纳米颗粒局域表面等离子体效应，增强ZnO纳米阵列自发辐射性能，提升异质结构内量子效率。本发明为构建高性能光电器件提供了一种行之有效的方法，同时解决了异质结构器件在界面处由于晶格结构和能带结构的不匹配而造成的发光效率偏低等一系列问题，本发明在未来的光电技术领域有着巨大的潜在应用。
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公开(公告)号：CN102545060A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210014194.1
申请日：2012-01-17
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种微激光二极管阵列的制备方法，首先在P型氮化镓(GaN)薄膜表面旋涂一层p型聚合物半导体薄膜(如聚乙烯基咔唑（PVK）、聚芴（PF）、聚对苯乙烯撑（PPV）、聚-3烷基噻吩(P3HT)及其衍生物等p型聚合物半导体)，然后将单根氧化锌（ZnO）微米棒集成在p型聚合物薄膜表面形成异质结，将透明导电薄膜（如：氧化铟锡（ITO）、氧化锌铝（ZAO）等）镀在透明玻璃上，然后再在透明导电玻璃的一端镀一层金（Au）电极，然后将其扣在表面集成有ZnO微米棒上面，然后在透明导电玻璃和p-GaN之间注入环氧乙酯。最后在p-GaN表面制备具有欧姆接触的电极，构成完整的器件。
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公开(公告)号：CN102496852A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110444006.4
申请日：2011-12-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种结合p型氮化镓衬底制备十二边形氧化锌回音壁模紫外微激光异质结二极管方法。该方法首先利用高温气相传输法制备具有十二边形截面的氧化锌微米棒。将氧化锌微米棒分散在p型氮化镓衬底上形成pn结构器件，然后利用旋涂方法将聚甲基丙烯酸甲酯薄膜沉积在pn结构器件表面，利用反应离子束刻蚀使氧化锌微米棒上表面从聚甲基丙烯酸甲酯薄膜中显露出来，最后采用磁控溅射技术在p型氮化镓表面和氧化锌微米棒表面制备电极，从而形成回音壁模紫外微激光异质结二极管。该方法利用光线在十二边形氧化锌微米棒内的内壁全反射构成高品质的回音壁模微激光，通过选择不同尺寸的氧化锌微米棒可实现不同要求的紫外激光输出波长。
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公开(公告)号：CN115400767B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202211053278.6
申请日：2022-08-30
Applicant: 东南大学
IPC: B01J27/04 , B01J23/06 , B01J35/51 , B01J35/39 , C02F1/30 , C02F101/38 , C02F101/34 , C02F101/36
Abstract: 本发明公开了一种硫化铟锌微米球花/ZnO纳米颗粒复合光催化剂、制备方法及应用，所述复合光催化剂的载体为硫化铟锌ZnIn2S4，其表面附着ZnO纳米颗粒；制备方法为先合成ZnIn2S4微米球花，再以ZnIn2S4微米球花、Zn(OAc)2、NaOH为原料，通过水热沉积得到光催化剂前驱体，经过退火处理得到ZnIn2S4微米球花/ZnO纳米颗粒复合光催化剂；本发明通过将ZnO负载在ZnIn2S4表面，形成了具有Z型能带排布的异质结，提高光生载流子分离效率的同时，又保留了最高的氧化还原电位，反应分解的能力增强，提高催化剂在降解四环素类抗生素的效率。
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公开(公告)号：CN114015990B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202111190422.6
申请日：2021-10-13
Applicant: 东南大学
IPC: C23C14/35 , C23C14/08 , C23C14/02 , C23C14/18 , C23C14/58 , G01N27/26 , G01N27/30 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种氧化镍‑金‑氧化锌同轴纳米阵列的制备方法及应用。属于纳米光电功能材料领域，具体步骤：1、将预处理后的导电基底置于磁控溅射仪中，采用氧化锌靶材在高纯氧气和高纯氩气的混合气体中溅射得到氧化锌种子层；2、然后将其加入到醋酸锌和六次甲基四胺的水溶液中，水热合成制备得到氧化锌纳米线阵列；3、随后将所得产物经洗涤、干燥后进行等离子体纳米金溅射；得到金‑氧化锌纳米线阵列；4、最后将金包裹的氧化锌纳米线阵列(金‑氧化锌纳米线阵列)置于磁控溅射仪，进行氧化镍的再修饰，最终得到氧化镍‑金‑氧化锌同轴纳米线阵列。本发明的氧化镍‑金‑氧化锌同轴纳米线阵列具有形貌可控、光电协同、可重复性好等特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114122909B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202111319525.8
申请日：2021-11-09
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于ZnO微米线的波长可调的WGM紫外激光器及其波长调控方法，激光器包括：ZnO微米线、石英玻璃和金属电极，金属电极位于ZnO微米线两端，ZnO微米线通过金属电极固定在石英玻璃上，金属电极与电源通过导线连接；波长调控方法包括如下步骤：(1)通过CVD方法生长出结晶质量良好的ZnO微米线；(2)将单根ZnO微米线固定至石英玻璃上，沿ZnO微米线Z轴方向设置等间距的金属电极，用导线引出与电源相连；(3)将325nm飞秒激光通过微区系统聚焦至ZnO微米线表面，ZnO微米线受激发射，获得WGM紫外激光并通过光谱仪收集WGM紫外激光光谱；(4)给ZnO微米线施加不同的外加电压，获得不同的波长移动效果。本发明灵敏度高，调节速度快，调节效果稳定。
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公开(公告)号：CN116099555A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211437072.3
申请日：2022-11-16
Applicant: 东南大学
IPC: B01J27/057 , B01J37/10 , B01J37/34 , C02F1/30 , C02F1/467 , C02F101/38 , C02F101/34
Abstract: 本发明涉及一种ZnO基三元Z型结构光催化剂的制备方法，包括，种子层制备‑生长ZnO纳米棒阵列‑磁控溅射Bi纳米粒子‑ZnO/Bi/CdTe双壳层复合物的构建‑有机污染物的光催化降解。本发明方法结合了Bi纳米粒子的可见光及近红外光高响应的优势，有效扩展了ZnO/CdTe的光响应范围。该方法选用透光率高、导电性好的氧化铟锡导电玻璃作为基底，所制备的复合材料具有比单纯的ZnO、ZnO/CdTe更高的光降解性能，在太阳光下对对硝基苯酚的降解效率高达89.65％。
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公开(公告)号：CN113479927B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202110746503.3
申请日：2021-07-01
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种在水中直接合成黄光发射卤素钙钛矿CsCu2I3粉末的制备方法。全无机卤素铜基钙钛矿是一种无毒、低成本、高质量的新型荧光材料，在照明、显示、通讯、传感、生物成像及探测等领域有着广泛的应用前景。本发明采用水相超声的方法，以碘化铯和碘化铜粉末为原料，2‑甲基咪唑作为反应辅助剂，在纯水中通过超声合成黄光发射CsCu2I3粉末，峰值约为575nm。本发明所采用的方法与现有CsCu2I3材料制备方法相比，具有原料来源广、操作简易、实验条件温和、无需加热与保护型气体及有机溶剂等优点。
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公开(公告)号：CN114989818A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210604235.6
申请日：2022-05-30
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种全无机无铅Cs3Cu2I5钙钛矿闪烁体薄膜及其应用，首先将碘化铯与碘化亚铜充分研磨，然后将研磨好样品放入石英舟并送入管式炉中心温度处，最后将清洗吹干后的玻璃片放入管式炉中，使用化学气相沉积法进行薄膜生长。本发明的所采用的方法与现有Cs3Cu2I5薄膜制备方法相比，具有操作简单、可控性强、可重复性好，能够实现大规模工业化生产；同时采用该方法制备的薄膜成膜性好、稳定性好、量子发光效率高，X射线响应度高，光产额高，可以用于高清X射线成像屏。
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公开(公告)号：CN114024212A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111214135.4
申请日：2021-10-19
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于n‑ZnO/PEDOT/HfO2/p‑GaN的紫外激光二极管及制备方法，二极管包括：n‑ZnO纳米棒、p‑GaN薄膜、PEDOT薄膜、HfO2薄膜、PMMA保护层和金属电极；方法包括如下步骤：采用磁控溅射法在p‑GaN薄膜上沉积一定厚度的HfO2薄膜，然后在HfO2薄膜上旋涂PEDOT薄膜，再旋涂分散了ZnO纳米棒的乙醇溶液，加热烘干，旋涂PMMA保护层，至PMMA保护层漫过n‑ZnO纳米棒，加热使PMMA保护层凝固，然后利用氧等离子体刻蚀，将PMMA保护层刻蚀至n‑ZnO纳米棒露出，分别在p‑GaN薄膜和n‑ZnO纳米棒上制备金属电极，构成完整的器件。本发明能够有效降低界面处的光学损耗，增加载流子注入效率，实现电场驱动下的紫外激光行为。
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