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公开(公告)号：CN100480617C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200710133888.6
申请日：2007-10-12
Applicant: 东南大学
IPC: G01B7/00 , B81C5/00 , H01L23/544 , H01L21/66
Abstract: 一种微机电系统器件加工中绝缘层与半导体导电层图形对准误差电学测试方法，以金属层为基本层，设计对准误差的测试结构，该结构中半导体层为二块分离、同一材料但不同形状图形的半导体，一块为梯形，另一块为矩形，二者平行；与半导体层接触、形成连接的金属层为二根平行、有间距的金属条，其中一条垂直覆盖梯形的上、下底及矩形的二长边，另一条覆盖梯形的钝角部位及矩形的二长边且于二块半导体之间的分离区截断，半导体层上面的绝缘层上分别对应于金属条的部位，相应开有条状引线孔，其尺寸小于相应部位的金属条，但与金属条一样必须覆盖梯形及矩形半导体的相同部位，两金属条和它们中间的半导体共同形成一个具有连接线的电阻，当绝缘层图形与半导体导电层图形之间存在相对偏移时，测试R2变化，得到绝缘层与半导体导电层图形对准误差。
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公开(公告)号：CN1270351C
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200410065791.2
申请日：2004-11-19
Applicant: 东南大学
Abstract: 光刻胶三维刻蚀过程模拟的动态元胞自动机方法，采用三维的摩尔邻域，计算某一个元胞的刻蚀过程时，考虑6个相邻元胞和12个对角邻元胞对其刻蚀过程的影响，忽略8个点相邻元胞对其刻蚀过程的影响，制定规则确定模拟运算过程中不断更新的表面元胞，使得模拟过程中只需要计算表面元胞的刻蚀过程：一个元胞在某一时间步长内被完全刻蚀后，这一时间步长还可能有剩余时间，不忽略这些剩余时间，将这一剩余时间加到下一时间步长用于刻蚀其相邻元胞，且在计算表面元胞的剩余时间值时考虑该表面元胞的所有邻域内元胞的状态；本发明解决已有光刻胶刻三维刻蚀过程模拟方法难以同时达到稳定性、模拟速度和精度要求的问题。
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公开(公告)号：CN114348952A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210255118.3
申请日：2022-03-16
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种MEMS压力传感器封装结构，在外壳的内侧壁上贴合有一组相对设置的金属极板，金属极板在通入电压后会形成电场，根据介电分离效应，在该电场的作用下，渗入密封腔体的外界污物向着金属极板运动和聚集，并在重力作用下落入金属极板的底端的污物收集槽内，解决现有技术中封装气密性随传感器工作时间的增长逐渐下降，导致外界污物进入封装腔体后下沉到MEMS压力传感器芯片表面，从而造成传感器性能下降的问题。此外，盖状波纹膜片及其连接方式能有效提高密封胶装配的封装气密性，减小波纹膜片上的预应力和热应力；波纹膜片采用高韧性陶瓷材料，有助于抑制恶劣工作环境对波纹膜片的腐蚀和破坏。
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公开(公告)号：CN104034584B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201410243633.5
申请日：2014-06-03
Applicant: 东南大学
IPC: G01N3/08
Abstract: 本发明提出了一种薄膜材料杨氏模量的测试结构及方法，该测试结构由两组结构组成。所述第一组结构中的由待测薄膜材料制作的悬臂梁(103)由锚区(103‑2)和长梁(103‑1)连接而成，长梁(103‑1)和多晶硅悬臂梁(101)垂直，长梁(103‑1)的自由端位于多晶硅悬臂梁(101)的左边第一凸点(101‑5)之下；将力的加载驱动部分和待测薄膜材料制作的杨氏模量测试结构分开，通过几何参数设计控制测试结构的弯曲挠度，通过两组测试结构的相同部分受力相同的原理提取出杨氏模量测试结构所受到的力，利用力和挠度计算得到待测薄膜材料的杨氏模量。本发明的测试结构、测量方法和参数提取的计算方法极其简单，适应性广，可以用于测试导电或绝缘薄膜材料的杨氏模量。
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公开(公告)号：CN104034574B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410243632.0
申请日：2014-06-03
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提出了一种多晶硅薄膜材料杨氏模量的测试结构及方法，主要用于多晶硅结构层的材料测试。该测试结构由两组结构组成，第一组结构包括静电驱动的多晶硅悬臂梁(101)、由待测薄膜材料制作的带有对准结构的第一非对称十字梁(102)、由待测薄膜材料制作的第二非对称十字梁(103)；第二组结构是第一组结构去除第二非对称十字梁后的剩余结构；测量材料的杨氏模量通常需要知道结构受力大小和结构受力所产生的形变或弯曲的挠度。本发明通过几何参数设计控制测试结构的弯曲挠度，通过两组测试结构的相同部分受力相同的原理提取出杨氏模量测试结构所受到的力，利用力和挠度计算得到多晶硅薄膜材料的杨氏模量。本发明的测试结构、测量方法和参数提取的方法极其简单。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104034603B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201410242784.9
申请日：2014-06-03
Applicant: 东南大学
IPC: G01N3/20
Abstract: 本发明提供了一种测量绝缘衬底上薄膜硅材料杨氏模量测试结构及方法。该测试结构由两组结构构成，其中第一组结构由一个多晶硅悬臂梁(101)、一个薄膜硅悬臂梁(103)和一个由薄膜硅制作的垫板(102)组成；第二组结构由一个多晶硅悬臂梁和一个薄膜硅制作的垫板组成。实际测量薄膜硅杨氏模量的单元是薄膜硅悬臂梁，而这两组结构的差别仅在于是否包括薄膜硅悬臂梁，两组结构中其他对应单元结构和几何尺寸完全相同。施加静电力使多晶硅悬臂梁下弯并进而下压薄膜硅悬臂梁和垫板接触衬底。通过两组测试结构的测试提取出单独驱动薄膜硅悬臂梁弯曲到测试挠度所需要的力，由力、测试挠度和几何尺寸可以计算得到绝缘衬底上薄膜硅材料的杨氏模量。
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公开(公告)号：CN103438783B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201310401202.2
申请日：2013-09-05
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种用于测量一维位移量的双向游标尺结构，该结构既可以测量正位移，也可以测量负位移。双向游标由左右两部分组成，其中左半部分的核心结构为“T”型头，右半部分的核心结构为“凸”型头，“T”型头和“凸”型头相对放置，并呈一定的偏移位置关系。“T”型结构的“—”所对应的矩形结构的两条长边是对准用的两根基线，“凸”型结构上的4条直线是另一组对准基线。当两个部分发生水平相向移动或相离移动时，“T”型头和“凸”型头的对准位置发生变化。通过该结构可以测量微机电器件在驱动作用下所产生的位移大小以及因微机电结构释放产生的形变位移大小。
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公开(公告)号：CN104809279A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510182481.7
申请日：2015-04-16
Applicant: 东南大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种矩形薄膜压膜阻尼等效电路模型，包括初级电感回路和次级电感回路单元矩阵。将矩形薄膜均匀划分为（n+1）×（m+1）个薄膜单元，每个薄膜单元对应矩阵中的一个次级电感回路单元，各次级电感回路单元的结构和元件参数完全相同。初级电感回路的电感和各次级电感回路单元的电感形成耦合，各次级电感回路单元的电感间没有耦合。由离散近似的雷诺方程计算得到各薄膜单元的压膜阻尼压强值，将计算得到的阻尼压强值作为初级电感和各次级电感的耦合系数。不同薄膜运动速度下的各次级电感回路单元的次级电感上的电压值分布表征了薄膜下压膜阻尼的阻尼压强分布，通过本发明，可将流体域的问题转换为电域问题，且精度高、速度快。
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公开(公告)号：CN102951593B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201210395413.5
申请日：2012-10-17
Applicant: 东南大学
IPC: B81B3/00
Abstract: 本发明公开了一种电热驱动调变齿间隙的微机电梳齿机构，包括左移电热执行器、右移电热执行器、由左移定齿和右移定齿组成的定齿、动齿、四个第一锚区和绝缘衬底，左移电热执行器与左移定齿的一端连接，左移定齿的两端分别连接在第一锚区上，右移电热执行器与右移定齿的一端连接，右移定齿的两端分别连接在第一锚区上；左移定齿包括第一宽梁、左移梳齿、四个第一折叠梁；右移定齿包括第二宽梁、右移梳齿、四个第二折叠梁；动齿包括质量块、动齿梳齿、两个第二锚区和两个第三折叠梁；第一宽梁上设有左移止挡块，第二宽梁上设有右移止挡块。该微机电梳齿机构在电热驱动力的驱动下，调变齿间隙，使得微机电振动所产生的信号强。
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公开(公告)号：CN104568585A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510010179.3
申请日：2015-01-08
Applicant: 东南大学
IPC: G01N3/08
Abstract: 本发明提出了一种金属薄膜材料杨氏模量测试结构，测试结构包括五部分：带测微游标的第一热膨胀力源；带测微游标的第二热膨胀力源；待拉伸金属构件；双端固支梁；加载驱动电流的锚区。其中，带测微游标的热膨胀力源和双端固支梁均采用已知杨氏模量和残余应力的多晶硅材料制作。该结构除了可以测量金属薄膜的杨氏模量外，通过对测试过程的控制还能同时测量金属存在的残余应力、断裂强度以及临近断裂时的杨氏模量。
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