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公开(公告)号:CN104402441B
公开(公告)日:2016-05-04
申请号:CN201410592544.1
申请日:2014-10-28
Applicant: 东华大学 , 上海柯瑞冶金炉料有限公司
IPC: C04B35/563 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种低温快速烧结制备碳化硼陶瓷材料的方法,其特征在于,包括:采用硬模板作为结构导向剂,利用纳米浇铸法合成多孔碳化硼粉体;将多孔碳化硼粉体装入石墨模具中,放入放电等离子体烧结炉的炉腔内,在真空、惰性气氛或者还原性气氛下进行烧结,烧结完成后随炉冷却至室温,经过研磨即得碳化硼陶瓷材料。本发明提供的低温快速烧结制备碳化硼陶瓷的方法采用了多孔碳化硼粉体为烧结原料,它具有比表面积大、表面能高、烧结活性好等优点,从而使其在烧结过程更容易致密化;同时放电等离子体烧结技术在烧结过程中可以加压,这有利于多孔碳化硼粉体的孔道坍塌和致密化,从而可以实现在较低温度下得到高致密度的碳化硼陶瓷,而且这种技术具有升温速度快,烧结时间短等优点,是一种节能环保的制备技术,具备良好的应用前景。
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公开(公告)号:CN103274597A
公开(公告)日:2013-09-04
申请号:CN201310190453.0
申请日:2013-05-21
Applicant: 东华大学
Abstract: 本发明涉及一种铋离子掺杂微孔分子筛制备近红外发光玻璃的方法,包括:将含铋化合物和含铝化合物在溶剂中溶解配成溶液,然后将微孔分子筛浸渍,静置,干燥、热处理,得到掺铋粉体;将上述掺铋粉体装入石墨模具中,然后用放电等离子体烧结炉进行烧结,冷却至室温,打磨、抛光,即得近红外发光玻璃。本发明提供的制备掺铋近红外发光玻璃的制备方法与传统高温熔融法相比具有升温速度快,烧结时间短,而且放电等离子体烧结制备玻璃的烧结过程不发生熔融过程,属于固相烧结,相同基质的玻璃制备时,这种方法的烧结温度要远低于高温熔融温度,所以此方法是一种节能环保的方法。
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公开(公告)号:CN102607953A
公开(公告)日:2012-07-25
申请号:CN201210069574.5
申请日:2012-03-15
Applicant: 东华大学
IPC: G01N3/08
Abstract: 本发明提供了一种用于压电陶瓷力电耦合条件下的力学性能测试装置,其包括高精度载荷传感器,上导向模,下导向模,压杆,样品,上承载模,下承载模,高精度位移传感器及高压电源。本发明还提供了一种采用上述装置的力学性能测试方法。发明的优点是:本发明提供的测试设备结构简单,适用于小型片状材料,能真实反映压电陶瓷实际使用中在力电耦合场作用下的受力状态。本发明提供的力电耦合小样品测试方法是适合于评价小尺寸陶瓷材料力学性能的有效、方便和可靠的测试方法。
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公开(公告)号:CN102386321A
公开(公告)日:2012-03-21
申请号:CN201110317550.2
申请日:2011-10-19
Applicant: 东华大学 , 大连海蓝光电材料有限公司
Abstract: 本发明涉及一种纳米热电粉体材料的制备方法,包括:(1)将热电材料破碎成1mm~5mm的粗粉;(2)将上述粗粉装入研磨罐,浸入液氮预冷5-60min;(3)在液氮环境中研磨1-30h,研磨后经过真空干燥得到纳米热电粉体。本发明制备出不发生相变或分解的纳米级热电粉体,保证粉体有良好的形貌和性能的同时,其可控性好,利用率高,无污染等优点,使得其具有良好的发展应用前景。
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公开(公告)号:CN116693205A
公开(公告)日:2023-09-05
申请号:CN202310670482.0
申请日:2023-06-07
Applicant: 东华大学
Abstract: 本发明涉及一种铜卤化物玻璃荧光材料的制备方法和应用,包括:将铜卤化物原料与玻璃原料充分混合,封入石英管中并将体系抽取真空;将所述混合材料通过真空高温熔化进行熔融‑淬火处理;以及将所述混合材料于高温熔融形成玻璃液;以及将所述熔融玻璃液迅速转移进行退火形成铜卤化物和玻璃的复合材料。本发明通过真空固相法制备复合体系,保证Cu+不会被氧化。其中CuCl和氧化硼玻璃的复合材料整体呈现白光发光和黄光发光的特征,CuCl、CsCl和氧化硼玻璃的复合材料整体呈现绿光发光的特征。
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公开(公告)号:CN116462510A
公开(公告)日:2023-07-21
申请号:CN202310374557.0
申请日:2023-04-10
Applicant: 东华大学
IPC: C04B35/553 , C04B35/626 , C04B35/622 , H01L33/30 , H01L33/56
Abstract: 本发明涉及一种氟化钙基荧光陶瓷材料及其制备方法,按照重量百分比,由94~99%氟化钙基体和1~6%的荧光粉组成。本发明采用的超低温烧结技术极大地降低了氟化钙基荧光陶瓷的烧结温度,可以有效的保留商用荧光粉的发光特性,大幅度的提高了陶瓷基LED器件的光效和显色指数,并且有效提升了荧光陶瓷的耐热性和稳定性。
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公开(公告)号:CN115064636A
公开(公告)日:2022-09-16
申请号:CN202210293117.8
申请日:2022-03-24
Applicant: 东华大学
Abstract: 本发明涉及一种柔性硒化银基热电器件及其制备方法,所述热电器件包括:柔性基底、含无机半导体硒化银基热电材料作为热电臂、导电墨水作为电极。本发明的热电器件具有较高的集成度、优异的热电性能、良好的柔韧性,能够满足柔性、可穿戴等应用的要求。
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公开(公告)号:CN113097375B
公开(公告)日:2022-09-16
申请号:CN202110295306.4
申请日:2021-03-19
Applicant: 东华大学
Abstract: 本发明涉及一种柔性硒化银基热电薄膜及其制备方法。该方法包括:将硒源、银源与表面活性剂、溶剂、还原剂混合,利用化学溶液法进行反应,将得到的硒化银基纳米粉体和溶剂混合,然后在基底上喷墨打印出预制膜,真空干燥,直接热处理或置于粘结剂分散液中浸泡后热处理。该方法简单,成本低廉,制备得到的薄膜具有良好的热电性能、优异的力学性能及柔性。
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公开(公告)号:CN114927609A
公开(公告)日:2022-08-19
申请号:CN202210430037.2
申请日:2022-04-22
Applicant: 东华大学
Abstract: 本发明涉及一种适用于Mg3Sb2‑Mg3Bi2基热电材料的阻挡层及其使用方法。采用本发明的阻挡层材料使得Mg3Sb2‑Mg3Bi2基热电接头具有较低的界面电阻,以及良好的高温稳定性,阻挡层材料在高温下对基体材料几乎呈现化学惰性,使Mg3Sb2‑Mg3Bi2基热电材料的中温发电应用得以实现,并能有效提高其热电器件的可靠性和服役寿命。另外,本发明的制备方法具有工艺简单、制备成本低、适合规模化生产等优点。
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公开(公告)号:CN114447203A
公开(公告)日:2022-05-06
申请号:CN202210078634.3
申请日:2022-01-24
Applicant: 东华大学
IPC: H01L35/34 , H01L35/24 , C08J5/18 , C08L71/02 , C08K5/3445
Abstract: 本发明公开了一种巨热电势离子热电薄膜及其制备方法。将聚环氧乙烷与溶剂混合,得到聚合物溶液;将含离子液体加入到聚合物溶液中,将所得混合物浇筑于模具中烘干。本发明的薄膜及器件具有良好的柔性和断裂伸长率,合成方法简单,适用于大批量的制备。最为重要的是,所述热电薄膜在人体舒适湿度下表现出超高离子热电势,填补了当前常规湿度下高性能离子热电材料的空缺,具有优良的热电响应,实现了塞贝克系数和电导率的同时优化,不存在传统热电材料中参数耦合的难题,且同时具有优异的空气稳定性,易于加工成柔性热电器件,为热能收集‑转换‑存储提供了新的途径,对高性能巨热电势的柔性热电器件的发展具有重要意义。
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