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公开(公告)号：CN116462510A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310374557.0
申请日：2023-04-10
Applicant: 东华大学
IPC: C04B35/553 , C04B35/626 , C04B35/622 , H01L33/30 , H01L33/56
Abstract: 本发明涉及一种氟化钙基荧光陶瓷材料及其制备方法，按照重量百分比，由94～99％氟化钙基体和1～6％的荧光粉组成。本发明采用的超低温烧结技术极大地降低了氟化钙基荧光陶瓷的烧结温度，可以有效的保留商用荧光粉的发光特性，大幅度的提高了陶瓷基LED器件的光效和显色指数，并且有效提升了荧光陶瓷的耐热性和稳定性。
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公开(公告)号：CN110767796B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201910974580.7
申请日：2019-10-14
Applicant: 东华大学
Abstract: 本发明涉及一种二维过渡金属碳化物/碲化铋或其衍生物基热电复合材料及其制备。该复合材料包括：硅烷偶联剂改性的碲化铋或其衍生物基热电材料和MXene。该制备方法包括：将碲化铋或其衍生物基热电材料用硅烷偶联剂改性，然后与MXene异相沉积，烧结。该复合材料具有较低的热导率和较高的电导率。该方法成本低、简单易行、适用范围广、易于工业化批量生产等特点。
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公开(公告)号：CN110767796A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201910974580.7
申请日：2019-10-14
Applicant: 东华大学
Abstract: 本发明涉及一种二维过渡金属碳化物/碲化铋或其衍生物基热电复合材料及其制备。该复合材料包括：硅烷偶联剂改性的碲化铋或其衍生物基热电材料和MXene。该制备方法包括：将碲化铋或其衍生物基热电材料用硅烷偶联剂改性，然后与MXene异相沉积，烧结。该复合材料具有较低的热导率和较高的电导率。该方法成本低、简单易行、适用范围广、易于工业化批量生产等特点。
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