氟气生成装置
    31.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102803568A

    公开(公告)日:2012-11-28

    申请号:CN201180013041.9

    申请日:2011-02-24

    Abstract: 本发明提供一种氟气生成装置。能够防止将氟化氢吸附去除的精制装置的阻塞,稳定地供给高纯度的氟气。氟气生成装置的特征在于,具有利用吸附剂将由电解槽(1)的熔融盐汽化而混入自阳极(7)生成的氟气中的氟化氢吸附去除的精制装置(20),精制装置(20)包括:筒状构件,其供在电解槽(1)中产生的含有氟气的主产生气体通过;温度调节器,其调节上述筒状构件的温度;吸附剂保持件,其设在上述筒状构件内,上述吸附剂保持件设置为在上述筒状构件内形成用于确保上述主产生气体的流路的空隙。

    已完成填充的容器的制造方法以及已完成填充的容器

    公开(公告)号:CN110832106B

    公开(公告)日:2022-04-15

    申请号:CN201880044231.9

    申请日:2018-07-24

    Abstract: 本发明的已完成填充的容器的制造方法的特征在于,包括如下工序:准备金属制的保存容器的工序,所述金属制的保存容器至少内表面由锰钢构成、且该内表面的表面粗糙度Rmax为10μm以下;氟化工序,在50℃以下,使上述保存容器的内表面与包含选自由ClF3、IF7、BrF5、F2和WF6组成的组中的至少一种第1含氟气体的气体接触;置换工序,对上述保存容器的内部用非活性气体进行置换;和,填充工序,在上述保存容器的内部填充选自由ClF3、IF7、BrF5、F2和WF6组成的组中的至少一种第2含氟气体。

    干式蚀刻方法
    35.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107924837B

    公开(公告)日:2022-02-01

    申请号:CN201680044981.7

    申请日:2016-07-01

    Abstract: 本发明的干式蚀刻方法的特征在于:其是对形成在基板上的硅氧化物层与硅氮化物层的积层膜,隔着形成在所述积层膜上的掩模,进行使干式蚀刻剂等离子体化并施加500V以上的偏压电压的蚀刻,从而对该层形成垂直方向的贯通孔的方法,并且所述干式蚀刻剂至少包含C3H2F4、CxFy所表示的不饱和全氟碳及氧化性气体,且所述干式蚀刻剂中所含的所述不饱和全氟碳的体积为所述干式蚀刻剂中所含的所述C3H2F4的体积的0.1~10倍的范围。通过该干式蚀刻方法,可以将SiOx的蚀刻速度相对于SiN的蚀刻速度的比(SiN/SiOx比)任意地控制在0.90~1.5之间,并且也可以对掩模实现高蚀刻选择性。

    硅氧化物的蚀刻方法和蚀刻装置
    37.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112534550A

    公开(公告)日:2021-03-19

    申请号:CN201980051482.4

    申请日:2019-09-02

    Abstract: 本发明的目的在于,提供:不使用等离子体也能在200℃以下的低温下以充分的速度对硅氧化物进行蚀刻而不产生残渣的方法。本发明为一种硅氧化物的干蚀刻方法,其特征在于,使硅氧化物与气体的氟化氢和气体的有机胺化合物、和/或气体的有机胺化合物的氟化氢盐在不伴随等离子体状态下进行反应。

    六氟化钨的制造方法
    38.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112533873A

    公开(公告)日:2021-03-19

    申请号:CN201980052339.7

    申请日:2019-07-12

    Abstract: 本发明的一实施方式的六氟化钨的制造方法包括如下工序:第1工序,使具有氧化覆膜的钨、与氟气或非活性气体在反应器内接触,得到去除了氧化覆膜的钨,所述氟气或非活性气体包含50体积ppm以上且50体积%以下的氟化氢;及第2工序,使第1工序中去除了氧化覆膜的钨、与含氟气体接触而得到六氟化钨。

Patent Agency Ranking