公开(公告)号：CN103165722A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201310101906.8

申请日：2013-03-27

Applicant: 上海空间电源研究所

Inventor： 刘成 ,  周丽华 ,  杨君昆

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/0352

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 本发明公开了一种微晶硅薄膜太阳电池，该太阳电池包含从下到上依次设置的柔性衬底、背反射电极、N型非晶硅掺杂层、微晶硅本征吸收层、P型非晶硅轻掺杂层、P型非晶硅掺杂层以及透明导电薄膜；P型非晶硅轻掺杂层的带隙为1.5eV~1.9eV；该P型非晶硅轻掺杂层的厚度为1nm～20nm。P型非晶硅轻掺杂层通过等离子体增强化学气相沉积设备来制备，反应气体为硅烷、氢气及硼烷。本发明提供的微晶硅薄膜太阳电池，能够有效地改善本征吸收层与P型非晶硅掺杂层之间的能带和界面失配，有利于载流子的输出和收集，从而提高电池的转换效率。

公开(公告)号：CN103077981A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201110331873.7

申请日：2011-10-26

Applicant: 上海空间电源研究所

Inventor： 刘成 ,  周丽华 ,  唐道远 ,  杨君坤 ,  王小顺 ,  陈亮 ,  曹娜娜

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/076 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及光伏太阳电池，公开了一种柔性衬底硅基多结叠层薄膜太阳电池，包括在金属箔或聚酯膜柔性衬底上依次沉积的背反射电极、微晶硅(μc-Si:H)或非晶硅锗(a-SiGe:H)底电池、非晶硅(a-Si:H)顶电池、透明导电薄膜、金属栅线；其中，底电池和顶电池间采用复合隧穿结进行电学连接。本发明还公开了该电池的制造方法，包括：溅射沉积背反射电极、沉积微晶硅或非晶硅锗底电池、沉积非晶硅顶电池、溅射沉积ITO、SnO2·F、ZnO:Al、ZnO:Ga等透明导电薄膜、电化学钝化、制备金属栅线等步骤。本发明提高了电池转化效率和大面积均匀性，获得高效率和高功率重量比等有益效果，同时制备工艺简单，可实现规模化生产。

公开(公告)号：CN102148280A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN201010108650.X

申请日：2010-02-10

Applicant: 上海空间电源研究所

Inventor： 柳琴 ,  叶晓军 ,  刘成 ,  周丽华 ,  钱子勍 ,  张翼翔

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/028 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种新型硅基底异质结太阳电池。本发明在N型单晶硅或多晶硅片的背面蒸发Ag背电极，在硅片的正面(电池的受光面)依次沉积本征非晶硅(i-a-Si:H)，P型纳米硅(p-nc-Si:H)，P型重掺杂的非晶硅(p+-a-Si:H)，超薄的本征非晶硅(i-a-Si:H)，最后在其上溅射一层ITO透明导电薄膜，丝网印刷Ag栅线电极。本发明具有上述新型结构的太阳电池，比普通的硅太阳电池成本低，降低了普通非晶硅太阳电池的光致衰退，具有更好的长期使用稳定性，光吸收能力强，光电转换效率高。在AM1.5，100mW/cm2的标准模拟光强下，效率达到了17.2％。