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公开(公告)号：CN113461885A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110910692.3
申请日：2021-08-09
Applicant: 北京彤程创展科技有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
Abstract: 本申请涉及光刻胶技术领域，具体公开了一种光刻胶用酚醛树脂及其制备方法。所述制备方法包括制备步骤和纯化步骤，制备步骤：单羟基甲酚、多羟基苯酚和醛类化合物在酸性催化剂和水的条件下进行反应，得到反应液；纯化步骤：首先中和剂中和反应液，并分出水相；然后进行水洗处理，并分出水相；最后在35~80℃温度下进行干燥，得到光刻胶用酚醛树脂。所述光刻胶用酚醛树脂是由上述制备方法制备而得。本申请通过在酚醛树脂的结构中适当引入多羟基苯酚，提高酚醛树脂的耐热性，进而提高光刻胶的感光灵敏度、分辨率和反差，同时还可以调节酚醛树脂的碱溶解速率。
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公开(公告)号：CN113485072B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202110691354.5
申请日：2021-06-22
Applicant: 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
IPC: G03F7/004
Abstract: 本申请提供了一种光刻胶组合物及其用途，该光刻胶组合物，以重量份计，包括以下成分：酚醛树脂10‑50份、感光剂1‑10份、塑化剂0.1‑5份、添加剂0.1‑5份和有机溶剂40‑100份，添加剂包括结构式(I)所示化合物中的至少一种。将本申请的光刻胶作为G线光刻胶或I线光刻胶使用，具有较低的回流温度，能避免高温对器件造成不利影响，在较低的温度下迅速回流形成形貌良好的微镜阵列，可用于对温度要求苛刻的生产工艺中。而且较小尺寸、或者较大高宽比的图形也能回流成形貌良好的微镜阵列。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN115725216B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202211319214.6
申请日：2022-10-26
Applicant: 北京科华微电子材料有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
IPC: G03F7/09 , C09D133/14
Abstract: 本申请提供了一种底部抗反射涂层组合物及其用途，其中，底部抗反射涂层组合物不含小分子的交联剂、产酸剂，该底部抗反射涂层组合物含有丙烯酸树脂共聚物A和丙烯酸树脂共聚物B，能够引入含有可热交联的环氧基团和芳香胺基团，可以在热交联的过程中减少由于小分子气化‑重结晶导致的污染情况的发生。
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公开(公告)号：CN115793391A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211513745.9
申请日：2022-11-29
Applicant: 北京科华微电子材料有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种光刻胶及其应用，属于半导体及集成电路技术领域。光刻胶包括10wt％～30wt％酚醛树脂、2wt％～10wt％重氮萘醌感光剂和0.1wt％～10wt％添加剂。本申请在重氮萘醌型光刻胶中加入含卤素的添加剂，添加剂能够和光刻胶中的其他成分相互作用，从而提高光刻胶的光敏感度，且能够使得光刻胶具有较好的光刻性能，具体表现为侧壁较垂直的形貌。
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公开(公告)号：CN113234194B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202110725188.6
申请日：2021-06-29
Applicant: 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
IPC: C08F222/40 , C08F220/14 , C08F220/20 , C08F8/12 , C09J135/00 , G03F7/42
Abstract: 本申请提供一种共聚物、底层胶组合物、双层体系及其在双层剥离工艺中的应用。属于半导体技术领域。共聚物由N取代马来酰亚胺单体、溶解速率控制单体、丙烯酸酯疏水性单体和丙烯酸羟乙酯亲水性单体聚合得到。本申请的共聚物不溶解于传统光刻胶的溶剂，可以溶解于碱性溶液中，不溶于水，且具有较高的玻璃化转变温度，并具有较好的化学稳定性和抗刻蚀能力，能够作为双层剥离工艺的底层树脂材料。双层体系包括顶层光刻胶和共聚物形成的底层胶。双层体系能够用于双层剥离工艺，且只需要单次显影和单次显影就可以得到目标光刻图案，大大提高光刻效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115877662A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211649375.1
申请日：2022-12-21
Applicant: 北京科华微电子材料有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种倒梯形正性光刻胶，属于光刻技术领域。倒梯形正性光刻胶按质量百分比计包括：20％～40％的线性酚醛树脂、≤5％的重氮萘醌类感光剂、≥1.5％的溶解促进剂以及50％～80％的溶剂；其中，线性酚醛树脂为聚合单体包括间甲酚、对甲酚和3,5‑二甲酚的酚醛树脂，线性酚醛树脂的结构式如以下式I所示。该光刻胶采用特定结构的线性酚醛树脂，配合特定质量比例的溶解促进剂和具有强抑制性的重氮萘醌类感光剂，能够有效地形成易于剥离的、倒梯形的正性光刻胶，光刻胶在室温下通过丙酮、丙二醇甲醚醋酸酯等一般的有机溶剂即可有效实现去胶，使得去胶的工艺更简单、成本更低。
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公开(公告)号：CN115639722A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211361864.7
申请日：2022-11-02
Applicant: 北京科华微电子材料有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种光刻胶组合物及其用途，其中，光刻胶组合物通过添加含多羟基苯基化合物的添加剂，一方面提高了非曝光区的溶解速率，解决了显影后光刻胶图形表面有残留物的问题，另一方面由于光刻胶组合物的结构上可交联的羟基数目多，曝光区交联密度大，使曝光区与非曝光区，溶解速率差距进一步增大，提高了光刻胶的对比度，从而解决了显影后光刻胶图形的间隔区出现桥接缺陷的问题。将本申请的光刻胶组合物用作深紫外KrF负型光刻胶时，其具有更高的分辨率和更好的工艺窗口。
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公开(公告)号：CN112778437B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202011642781.6
申请日：2020-12-31
Applicant: 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种天然多糖改性树脂及其制备方法和应用、光刻胶，属于半导体材料技术领域。天然多糖改性树脂以天然多糖为主链结构，以带有酯类保护基团的氨基甲酸酯极性基团部分或全部取代天然多糖结构中的羟基中的氢原子，能够提高以天然多糖改性树脂作为基体树脂在光刻胶常用酯类溶剂中的溶解度，酯类保护基团能够在光酸的催化下脱保护，形成羧酸，使得天然多糖改性树脂溶于碱性显影液中。同时，天然多糖结构中的羟基中的氢原子部分或全部被带有酯类保护基团的氨基甲酸酯极性基团取代后，使得天然多糖改性树脂的侧链具有氨基甲酸酯极性基团，从而改善以天然多糖改性树脂作为基体树脂制成的光刻胶与基片的粘附性。
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公开(公告)号：CN113485072A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110691354.5
申请日：2021-06-22
Applicant: 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
IPC: G03F7/004
Abstract: 本申请提供了一种光刻胶组合物及其用途，该光刻胶组合物，以重量份计，包括以下成分：酚醛树脂10‑50份、感光剂1‑10份、塑化剂0.1‑5份、添加剂0.1‑5份和有机溶剂40‑100份，添加剂包括结构式(I)所示化合物中的至少一种。将本申请的光刻胶作为G线光刻胶或I线光刻胶使用，具有较低的回流温度，能避免高温对器件造成不利影响，在较低的温度下迅速回流形成形貌良好的微镜阵列，可用于对温度要求苛刻的生产工艺中。而且较小尺寸、或者较大高宽比的图形也能回流成形貌良好的微镜阵列。
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公开(公告)号：CN113105330A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110409013.4
申请日：2021-04-15
Applicant: 北京科华微电子材料有限公司 , 北京科华丰园微电子科技有限公司 , 上海彤程电子材料有限公司 , 彤程新材料集团股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种酚类化合物以及制备方法和应用、光刻胶，属于光刻技术领域。本申请的酚类化合物能够对光刻胶的分辨率进行改善，同时使得光刻胶具有较好的光刻性能，具体表现为较好的感光度、更大的对比度、侧壁角较垂直的形貌及更大的工艺窗口。光刻胶包括10～30wt％酚醛树脂、2～10wt％重氮萘醌感光剂、0.1～5wt％流平剂、40～80wt％溶剂和0.1～10wt％酚类化合物。
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