磁微粒成像装置
    31.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117916608A

    公开(公告)日:2024-04-19

    申请号:CN202180102214.8

    申请日:2021-09-14

    Abstract: 磁微粒成像装置(100)具备:保持部(1),保持被检查体(S);静磁场发生器(2),发生穿过被保持部保持的被检查体的线状的无磁场区域(FFL);交流磁场施加线圈(3A),针对无磁场区域施加交流磁场;以及测量线圈(4),用于取得无磁场区域内的磁性微粒的磁化变动作为信号。测量线圈具有与交流磁场的方向平行的轴(AX4)。在与轴的延伸方向以及无磁场区域的延伸方向分别正交的第3方向(C)上,保持部、交流磁场施加线圈以及测量线圈各自的相对位置被决定。保持部、交流磁场施加线圈以及测量线圈作为一体,相对于静磁场发生器而在第3方向(C)上相对地移动。

    磁微粒成像装置
    32.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117241730A

    公开(公告)日:2023-12-15

    申请号:CN202280027007.5

    申请日:2022-03-29

    Abstract: 以夹着磁微粒(1)的方式配置第1测量线圈对(3)。以夹着磁微粒(1)及第1测量线圈对(3)的方式配置第2测量线圈对(4)。以夹着磁微粒(1)、第1测量线圈对(3)及第2测量线圈对(4)的方式配置交流磁场施加线圈对(5)。测量器输出表示由第1测量线圈对(3)测量的信号与由第2测量线圈对(4)测量的信号之差的信号。

    压装功率半导体模块用弹簧电极

    公开(公告)号:CN111052361B

    公开(公告)日:2023-08-25

    申请号:CN201780094212.2

    申请日:2017-08-31

    Abstract: 本发明的目的在于针对压装功率半导体模块,提供在半导体芯片短路时防止导电通路的断线的弹簧电极。本发明的压装功率半导体模块用弹簧电极(101)具有:第1电极(11),其与功率半导体芯片接触;第2电极(12),其与第1电极(11)相对配置;以及压垫(13),其连接第1电极(11)以及第2电极(12),在第1电极(11)以及第2电极(12)的相对面的法线方向上具有挠性,第1电极(11)以及第2电极(12)的相对面是大于或等于五边形的多边形,第1电极(11)的相对面的各边和与这些边对应的第2电极(12)的相对面的各边通过压垫(13)并联连接。

    半导体装置
    34.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109716515B

    公开(公告)日:2023-01-17

    申请号:CN201680088963.9

    申请日:2016-09-09

    Abstract: 特征在于,具有:下电极;半导体芯片,其设置在该下电极之上;压垫,其设置在该半导体芯片之上或之下;上电极,其设置在该压垫和该半导体芯片层叠的构造之上;以及连接导体,其仅在该下电极和该上电极的距离大于预定的值的情况下,在该下电极和该上电极之间提供新的电流路径,该下电极和该上电极之间的距离可变,该压垫无论该下电极和该上电极之间的距离如何,都经由该半导体芯片而将该下电极和该上电极进行电连接。

    磁制冷装置及制冷循环装置

    公开(公告)号:CN115427742A

    公开(公告)日:2022-12-02

    申请号:CN202080099771.4

    申请日:2020-04-20

    Abstract: 本发明提供一种能够抑制装置的大型化、复杂化、高成本化的磁制冷装置及制冷循环装置。磁制冷装置(100)具备磁热材料(20)、第一配管(61)、第二配管(62)、磁场产生部(30)及切换部(40)。第一配管(61)从箭头(51)所示的第一制冷剂方向向磁热材料(20)供给制冷剂。第二配管(62)从与第一制冷剂方向不同的第二制冷剂方向向磁热材料(20)供给制冷剂。磁场产生部(30)能够对磁热材料(20)施加磁场。切换部(40)通过由磁场产生部(30)产生的磁场来切换第一状态和第二状态。在第一状态下,制冷剂从第一配管(61)向磁热材料(20)供给。在第二状态下,制冷剂从第二配管(62)向磁热材料(20)供给。

    半导体模块
    36.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109690768B

    公开(公告)日:2022-08-16

    申请号:CN201680089135.7

    申请日:2016-09-13

    Abstract: 本发明的目的在于提供对半导体芯片短路时的电流路径的断开以及电弧放电的产生进行抑制的半导体模块。本发明涉及的半导体模块(100)具备:至少1个半导体芯片(2);框体(5),其对半导体芯片(2)进行收容;以及至少1个压力部件(10),其配置在半导体芯片(2)的上部电极(2a)与设置于框体(5)的上侧电极(3)之间,将上部电极(2a)与上侧电极(3)电连接,压力部件(10)具有弹性,压力部件(10)具备:导电块(12);以及板簧部件(11),其具备电流路径(11a、11b),所述电流路径(11a、11b)以使得导电块(12)的至少一部分进入所述电流路径(11a、11b)之间的方式彼此相对。

    半导体装置
    37.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114730756A

    公开(公告)日:2022-07-08

    申请号:CN201980102108.2

    申请日:2019-11-15

    Abstract: 半导体装置(100)具有绝缘部(4)、第1电极(11)、第2电极(12)、第1母线(21)、第2母线(22)和多个半导体芯片(3)。绝缘部(4)将多个半导体芯片(3)包围。第1电极(11)被压接于多个半导体芯片(3)。第2电极(12)与第1电极(11)在第1方向上夹着多个半导体芯片(3)。第2电极(12)被压接于多个半导体芯片(3)。第1母线(21)与第1电极(11)连接。第2母线(22)与第2电极(12)连接。第1母线(21)与第2母线(22)在与第1方向交叉的第2方向上夹着绝缘部(4)。

    半导体装置
    38.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111725191A

    公开(公告)日:2020-09-29

    申请号:CN202010187073.1

    申请日:2020-03-17

    Abstract: 目的在于提供能够抑制电流路径的截面积的减小,并且提高熔断特性的半导体装置。具有半导体元件、端子电极以及内部配线。半导体元件被收容于壳体。端子电极以能够与壳体的外部电连接的方式而设置。内部配线设置于壳体内,将半导体元件与端子电极之间电连接。内部配线在内部配线的一部分包含通过过电流而熔断的熔断部。熔断部包含一组并列配线即多根金属线。多根金属线中的一根金属线的电阻值比在一根金属线的外侧配线的其它金属线的电阻值高。

    变压器
    40.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102648505B

    公开(公告)日:2015-07-29

    申请号:CN201080052488.2

    申请日:2010-10-19

    CPC classification number: H01F27/245

    Abstract: 变压器(10)包括:包含沿一个方向(Z轴方向)层叠的多个磁性板的脚铁心(14);以及卷绕于脚铁心(14)的线圈(21)。在多个磁性板中,至少在多个磁性板层叠方向上的与线圈内周面相对的磁性板上形成有切口(16)。由切口(16)来分开涡流,因此,能减小涡流密度。通过减小涡流密度,能减小铁心(15)的损耗密度。通过减小铁心(15)的损耗密度,从而能降低变压器(10)的损耗。

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